Нормуродов Дилшод Абдуразоқовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): « Кремний монокристалли сиртида олинган юпқа металл силицидларнинг тузилиши, электрон ва оптик хусусиятлари ва улар асосида гетероструктуралар ҳосил қилиш » , 01.04.04 – Физик электроника (физика - математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2022.1.PhD/FM507.
Илмий раҳбар: Нормурадов Мурадулла Тагаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Қарши давлат университети ва Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Расмий оппонентлар: Мамадалимов Абдуғофур Тешабоевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Алиқулов Муйсин Нортошевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот номи: Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади Si юзасида ва юзаости соҳаларида металл силицидларнинг гетероструктуравий фазалари ва қатламларининг шаклланиш қонуниятларини, уларнинг таркиби, структуралари ва физик хусусиятларини ўрганиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кичик дозаларда (D = 5*1014 ион/см2), Е0 = 0.5 - 5 кэВ энергия интервалида Ва+, ишқорий металлар ва кислород билан имплантация қилинган монокристалл кремнийда, матрица ва легирловчи элемент атомлари орасида кимёвий боғланишлар пайдо бўлиши кўрсатиб берилган;
ионлар дозалари (D = Dт) тўйиниш дозасига тенг бўлганда бир жинсли легирланган қатлам шаклланиши орқали ушбу қатлам оптимал температурада (450-500 °С) 30 - 40 дақиқа мобайнида қиздирилганда яхши стехиометрияга эга, қалинлиги 30 - 60 Å бўлган MeSi2 типидаги силицидлар ҳосил бўлиши аниқланган;
Ва+ ионлари билан имплантация қилиш жараёнида SiO2 учун ҳақиқий иккиламчи электронлар эмиссияси (ҲИЭ) коэффициенти dm ва уларни чиқиш чуқурлиги l орасида боғланиш мавжудлиги аниқланиб, SiO2 ни Ba+ ионлари билан легирлаш жараёнида l - ҲИЭ нинг чиқиш чуқурлиги икки марта ортиши ва l≈ 600 - 650 Å га тенг бўлиши тажриба натижасида аниқланган;
ион имплантация ва магнетрон қурилмаси ёрдамида ион-плазма чанглатиш усуллари билан Si нинг сиртости соҳаларида BaSi2 нинг “яширин” қатламлари олиниши орқали BaSi2 нанофазаларининг квант ўлчам эффектлари намоён бўладиган ўлчамлари аниқланган.
IV. Тадқиқoт натижаларининг жорий қилиниши. Кремний монокристалли сиртида металл силицидлар юпқа қатламлари структураларининг шаклланиши, уларнинг электрон ва оптик хусусиятларини тадқиқ қилиш натижалари ва олинган гетероструктуралар асосида:
кичик дозаларда (D=5-1014 ион/см2), Е0 = 0.5 - 5 кэВ энергия интервалида Ва+, ишқорий металлар ва кислород билан имплантация қилинган монокристалл кремнийда, матрица ва легирловчи элемент атомлари орасида кимёвий боғланишларнинг пайдо бўлишига доир хулосаларидан “Ўзэлтехсаноат” АК нинг “Фотон” АЖ да кремний ва кремний оксиди юзаси ва юза ости қатламларида наноўлчамли структуралар шаклланишининг асосий қонуниятларини ўрганишда фойдаланилган (“Фотон” аксиядорлик жамиятининг 2022 йил 27 апрелдаги № 142- сонли маълумотномаси). Натижада ион-имплантация ва магнетрон чанглатиш усуллари билан Si нинг сиртга яқин худудида яширин BaSi2 катлами олинган. BaSi2 нанофазаларининг ўлчамлари аниқланган ва бунда квант ўлчамли эффектлар намоён бўлиши кузатилган. Кремний намуналарига актив металлар ионларини имплантация килганда ундаги хусусий киришмали атомларнинг чукурлик буйича қайта таксимланиши уларнинг турига боғлиқ ҳолда концентрацияси ёки ион-легирланган катламда, ёки Si нинг легирланмаган худудида ортишини аниқлаш имконини берган;
ионлар дозалари (D = Dт) тўйиниш дозасига тенг бўлганда бир жинсли легирланган қатлам шаклланиши орқали ушбу қатлам оптимал температурада (450-500 °С) 30 - 40 дақиқа мобайнида қиздирилганда яхши стехиометрияга эга, қалинлиги 30 - 60 Å бўлган MeSi2 типидаги силицидлар ҳосил бўлиши аниқланганлиги бўйича олинган натижалар ОТ-Ф2-53 рақамли “Кванотова-размерные эффекты и электронные свойства двухслойных наноразмерных структур, созданных на поверхности и приповерхностной области пленок А3В5 и А2В6” номли фундаментал лойиҳасини бажаришда қўлланилди (Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети ректорининг 2022 йил 28 апрелдаги № 01/9-14-1343 сон маълумотномаси). Натижада яратилган механизм бўйича олинган натижалар GaAs, CdTe, CdS, GaMeAs, CdMeTe ва CdMeS структураларининг энергетик зона кенглиги эгилиши ва асосий сатҳдаги силжишларини тушунтириш имконини берган.
