Normurodov Dilshod Abdurazoqovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): « Kremniy monokristalli sirtida olingan yupqa metall silisidlarning tuzilishi, elektron va optik xususiyatlari va ular asosida geterostrukturalar hosil qilish » , 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika - matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.1.PhD/FM507.
Ilmiy rahbar: Normuradov Muradulla Tagaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qarshi davlat universiteti va Toshkent davlat texnika universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti, PhD.03/31.03.2021.FM.70.06.
Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdug‘ofur Teshaboevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Aliqulov Muysin Nortoshevich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot nomi: Andijon davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi Si yuzasida va yuzaosti sohalarida metall silisidlarning geterostrukturaviy fazalari va qatlamlarining shakllanish qonuniyatlarini, ularning tarkibi, strukturalari va fizik xususiyatlarini o‘rganish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
kichik dozalarda (D = 5*1014 ion/sm2), E0 = 0.5 - 5 keV energiya intervalida Va+, ishqoriy metallar va kislorod bilan implantatsiya qilingan monokristall kremniyda, matrisa va legirlovchi element atomlari orasida kimyoviy bog‘lanishlar paydo bo‘lishi ko‘rsatib berilgan;
ionlar dozalari (D = Dt) to‘yinish dozasiga teng bo‘lganda bir jinsli legirlangan qatlam shakllanishi orqali ushbu qatlam optimal temperaturada (450-500 °S) 30 - 40 daqiqa mobaynida qizdirilganda yaxshi stexiometriyaga ega, qalinligi 30 - 60 Å bo‘lgan MeSi2 tipidagi silisidlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
Va+ ionlari bilan implantatsiya qilish jarayonida SiO2 uchun haqiqiy ikkilamchi elektronlar emissiyasi (HIE) koeffisienti dm va ularni chiqish chuqurligi l orasida bog‘lanish mavjudligi aniqlanib, SiO2 ni Ba+ ionlari bilan legirlash jarayonida l - HIE ning chiqish chuqurligi ikki marta ortishi va l≈ 600 - 650 Å ga teng bo‘lishi tajriba natijasida aniqlangan;
ion implantatsiya va magnetron qurilmasi yordamida ion-plazma changlatish usullari bilan Si ning sirtosti sohalarida BaSi2 ning “yashirin” qatlamlari olinishi orqali BaSi2 nanofazalarining kvant o‘lcham effektlari namoyon bo‘ladigan o‘lchamlari aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Kremniy monokristalli sirtida metall silisidlar yupqa qatlamlari strukturalarining shakllanishi, ularning elektron va optik xususiyatlarini tadqiq qilish natijalari va olingan geterostrukturalar asosida:
kichik dozalarda (D=5-1014 ion/sm2), E0 = 0.5 - 5 keV energiya intervalida Va+, ishqoriy metallar va kislorod bilan implantatsiya qilingan monokristall kremniyda, matrisa va legirlovchi element atomlari orasida kimyoviy bog‘lanishlarning paydo bo‘lishiga doir xulosalaridan “O‘zeltexsanoat” AK ning “Foton” AJ da kremniy va kremniy oksidi yuzasi va yuza osti qatlamlarida nanoo‘lchamli strukturalar shakllanishining asosiy qonuniyatlarini o‘rganishda foydalanilgan (“Foton” aksiyadorlik jamiyatining 2022 yil 27 apreldagi № 142- sonli ma’lumotnomasi). Natijada ion-implantatsiya va magnetron changlatish usullari bilan Si ning sirtga yaqin xududida yashirin BaSi2 katlami olingan. BaSi2 nanofazalarining o‘lchamlari aniqlangan va bunda kvant o‘lchamli effektlar namoyon bo‘lishi kuzatilgan. Kremniy namunalariga aktiv metallar ionlarini implantatsiya kilganda undagi xususiy kirishmali atomlarning chukurlik buyicha qayta taksimlanishi ularning turiga bog‘liq holda konsentratsiyasi yoki ion-legirlangan katlamda, yoki Si ning legirlanmagan xududida ortishini aniqlash imkonini bergan;
ionlar dozalari (D = Dt) to‘yinish dozasiga teng bo‘lganda bir jinsli legirlangan qatlam shakllanishi orqali ushbu qatlam optimal temperaturada (450-500 °S) 30 - 40 daqiqa mobaynida qizdirilganda yaxshi stexiometriyaga ega, qalinligi 30 - 60 Å bo‘lgan MeSi2 tipidagi silisidlar hosil bo‘lishi aniqlanganligi bo‘yicha olingan natijalar OT-F2-53 raqamli “Kvanotova-razmernie effekti i elektronnie svoystva dvuxsloynix nanorazmernix struktur, sozdannix na poverxnosti i pripoverxnostnoy oblasti plenok A3V5 i A2V6” nomli fundamental loyihasini bajarishda qo‘llanildi (Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti rektorining 2022 yil 28 apreldagi № 01/9-14-1343 son ma’lumotnomasi). Natijada yaratilgan mexanizm bo‘yicha olingan natijalar GaAs, CdTe, CdS, GaMeAs, CdMeTe va CdMeS strukturalarining energetik zona kengligi egilishi va asosiy sathdagi siljishlarini tushuntirish imkonini bergan.
