Ибодуллаев Шахбоз Низом ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Наноструктурали кремний асосида физикавий катталикларни ўлчайдиган юқори сезувчанликка эга датчиклар яритиш”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.2.PhD/Т1049
Илмий раҳбар: [Мухаммад Кабир Бахадирханов], физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12
Расмий оппонентлар: Зайнабидинов Сирожиддин Зайнабиддинович, физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги; Мамадалиева Лола Камилжоновна, Техника фанлари доктори, доцент. 
Етакчи ташкилот: Муҳаммад Ал-хоразмий номидаги Тошкент ахборот технологиялари университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Ягона кремний кристали асосида физик катталикларни (ҳарорат, ёруғлик, магнит майдонлар) ўлчайдиган кўп функцияли датчикларини яратиш имкониятларини физик ва технологик асосларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
марганец атомлари билан легирланган кремнийли фоторезисторга берилган кучланиш 0.1-30В оралиғида ва уни ўзгартириш орқали ҳарорат Т=100 К да фотосезгирлик қизил чегарасини λ=4.6 мкм дан 12 мкм гача ошириш мумкинлиги аниқланган;
диффузия технологиясини яхшилаш туфайли кремнийда манфий магнитқаршиликнинг хона ҳароратида Т = 300 К да 500% энг катта қиймати аниқланган;
диффузия технологияси орқали хосил қилинган марганец атомларининг нанокластерлари мавжуд кремний асосида физик катталикларни ўлчайдиган кўп функцияли датчикларни яратиш учун энг оптимал солиштирма қаршилик 5·103 Ом·см материал эканлиги аниқланган; 
кремнийда манфий магнитқаршилик эффектига асосланган кўп функцияли датчик яратиш имконияти кўрсатилган;
илк бор кремний кристалл панжарасида марганец атомларининг нанокластерларига эга яхлит кремний кристали асосида физик катталикларни ўлчайдиган кўп функцияли датчиклар конструкцияси ишлаб чиқилган ҳамда ташқи таъсирлар мавжудлигида (Т = 300 К) асосий параметрлари аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Марганец атомларининг нанокластерларига эга кремний асосида физик катталикларни ўлчайдиган юқори сезгирликка эга датчикларини тадқиқ қилишда олинган натижалар асосида:
«Фотон» акциядорлик жамоаси томонидан яримўтказгичли асбобларни ишлаб чиқаришда солиштирма қаршилиги ρ=5·103 Ом·см бўлган легирланган марганец атомларининг нанокластерига эга кремнийнинг параметрларидан фойдаланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик жамоасининг 2021 йил 22 июльдаги № 01/9-14-2420 - сон малумотномаси). Илмий натижаларни қўллаш асосида «Фотон» АЖ томонидан марганец атомларининг нанокластерлари мавжуд кремний билан юқори ҳароратли яримўтказгичли датчикларни олиш имконини берган;
марганец атомларининг нанокластерларига эга яхлит кремний кристали асосида физик катталикларни ўлчайдиган кўп функцияли датчиклар ишлаб чиқилган ва "Фотон" акциядорлик компаниясида жорий етилган («Ўзэлтехсаноат» аксиядорлик жамоасининг № 345 2021 йил 25 июлдаги сонли маълумотномаси). Олинган илмий натижалар бутунлай янги кўп функционалли датчикларларни (ҳарорат ва ёруғлик) ишлаб чиқишда қўлланилган.