Махмудов Хушрўйбек Абдулазизовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний асосидаги рух ҳамда қалай оксиди қатламларининг олиниши, таркибий тузилиши ва физик  хоссалари», 01.04.07 - Конденсирланган ҳолат физикаси (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси  рўйхатга олинган рақам: -   B2021.3.PhD/FM631 
Илмий раҳбар: Мансуров Хотамжон Жўраевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент. 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса (муассасалар) номи, ИК рақами: Фарғона политехника институти, РhD.03/27.02.2020.FM.106.01.
Расмий оппонентлар: Хидиров Ирисали, физика-математика фанлари доктори, профессор (ЎзФА Ядро физикаси илмий тадқиқот институти); Отажонов Салим Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори, профессор (Фарғона давлат университети);
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университет қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик. 
II. Тадқиқотнинг мақсади ZnO ва SnO2 пленкаларини олиш усулларини такомиллаштириш, олинган гетеротузилмаларнинг физик хоссаларини ўрганиш ҳамда уларни амалиётда қўлланиш имкониятларини аниқлашдан иборат. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк маротаба кремний тагликларда SnО2 ва ZnО юпқа оксид пленкаларни золь-гель технологиясининг спрей-пиролиз усули билан ўстириш орқали  гетероструктура олишнинг оптимал параметрлари (чанглатиш 2 атм босим, 8 мл/мин тезликда, 1 дақиқа давомида золни пуркаш ҳамда таглик ҳароратини тиклаб олиш учун 30 сония танаффус қилиш, шунингдек, чанглатувчи сопло ва кремний таглигигача бўлган масофа 85 см қилиб белгилаш каби) ишлаб чиқилган;
рентгенотузилмавий таҳлил ёрдамида кремний тагликларда ўстирилган ZnО юпқа қатламларининг гексогонал кристалл панжарага эга ҳамда С6/mmc фазовий гурухга тегишли вюрцит тузилишга эга эканлиги аниқланган; 
n-ZnO/p-Si гетероструктуранинг олд сиртида 50-100 нм ўлчамдаги гумбазсимон нанообъектларнинг юзага келиши ва улар сирт  концентрациясининг 106-108 см2 оралиқда ортиб бориши ҳажмий нуқсонлар камайишига олиб келиши аниқланган;
n-ZnO/p-Si гетеротузилмасининг фотолюминесценсия спектри кенг оптик диапозонни қамраб олиши (350-520 нм) ва уларни қуёш энергетикасида ва оптоэлектроникада фотофаол материал сифатида қўллаш имкониятлари топилди;
SnO2 юпқа қатлам сиртида ва ҳажмида ўртача ўлчамлари 53 нм бўлган субкристаллитларнинг (блокларнинг) ўзини-ўзи шакллантириш тамойиллари ҳосил бўлиши аниқланган. 
SnO2 металлооксиди асосида олинган газларни қайд қилгичларни  изотермик қиздириш пленка сиртдаги кислород атомларини кимёвий боғланишларидан ажратиб, юпқа қатламларда электронлар ҳаракатини кучайтириш орқали ташқи таъсирларга турғунлигини ошириши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ZnO ва SnO2 юпқа пардаларини олиш усулларини такомиллаштириш, олинган гетеротузилмаларнинг физик хоссаларини ўрганиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
n-ZnО/p-Si гетеротузилмаларни олиш, нанокристалларининг ўлчами ва кимёвий таркибини аниқлаш технологияси Самарқанд давлат университети Давлат илмий-техника дастури доирасида 2017-2020 йилларда бажарилган ОТ-Ф7-83 “Хроматографик жараёнларни моделлаш, мақбуллаш ва “Ушланиш катталиклари - хоссалари” ўзаро боғлиқликларни ўрганиш ва уларни нанохроматографияда қўлланилиши” фундаментал лойиҳани бажаришда  (лойиҳа раҳбари к.ф.д., проф.Н.Мухамадиев) фойдаланилган. Натижада SiO2SiO2∙xMeO2 таркибли мезоғовак сорбентлар олишда, ZnО нанокристалларининг ўлчами ва кимёвий таркибини аниқлаш методикалари эса олинган сорбентларнинг геометрик характеристикаларини ўрганишда қўлланилган ва наноўлчамдаги (2-75 нм) ғовакли сорбентлар олиш имконияти яратилган.
кремний тагликларига SnО2 ва ZnО юпқа қатламларини спрей-пиролиз усули билан ўстириш ва бундай юпқа қатламларнинг кристалл панжарасининг тури ҳамда фазовий гурухини аниқлаш, шунингдек, n-ZnO/p-Si намуналари сиртида нанообъектларнинг пайдо бўлиши ва уларнинг зичликларининг ортиб бориши тузилмавий бузилишларни камайиши бўйича олинган натижалари ва тавсиялари Андижон давлат университети доценти Ш.Х.Йўлчиевнинг “Кўпқатламли яримўтказгичли гетеротузилмаларнинг олиниши ва хоссалари” номли монографиясида фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2021 йил 10 декабрдаги 38-01-3626-сон маълумотномаси). Натижада n-ZnO/p-Si гетероструктуранинг олд сиртида 50-100 нм ўлчамдаги гумбазсимон нанообектларнинг юзага келиши ва улар сирт  концентрациясининг 106-108 см2 оралиқда ортиб бориши ҳажмий нуқсонлар камайишига олиб келишини аниқлаш имконини берган;
n-ZnО/p-Si гетеротузилмаларни олиш, уларда ҳосил бўлган ZnО нанокристаллитлари ўлчамлари ва кимёвий таркибини аниқлаш ҳамда уларни кўринувчи нурлар ва ултрабинафша соҳаларида ишловчи фотоактив материал, шунингдек, газлар ва ҳароратга сезгир элемент сифатида қўллаш бўйича илмий-амалий натижалари «FOTON» АЖда ишлаб чиқариладиган яримўтказгичли электрон қурилмалар тайёрлашда фойдаланилган (“Узэлтехсаноат” аксиядорлик компаниясининг 2021 йил 15 ноябрдаги 404-сон маълумотномаси). Натижада 360-400 нм тўлқин узунликли ултрабинафша нурлар соҳасида ишловчи оптоэлектрон қурилмаларнинг янги синфини яратиш имконини берган.