Kenjaev Zoir Toxir o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Kremniyli quyosh elementlari parametrlariga nikel kirishma atomlari ta’sirining o‘ziga xosligi”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.4.PhD/FM415
Ilmiy maslahatchi: Ismaylov Qanatbay Abdreymovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Berdaq nomidagi Qoraqalpoq davlat universiteti va Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12
Rasmiy opponentlar: Turgunov Nozimjon  Abdumannopovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent, Imamov Erkin Zunnunovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor
Yetakchi tashkilot: Ion – plazma va lazer texnologiyalari instituti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Nikel bilan legirlashning kremniyli QE lari parametrlariga ta’sirining o‘ziga xos xususiyatlarini o‘rganish va nikel kirishma atomlarining kremniyli QE lari samaradorligiga ta’sirining fizik modelini ishlab chiqishdir.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
kremniyli QE samaradorligini 25 ÷ 30% ga oshirishga imkon beradigan, nikel bilan legirlashning optimal diffuziya rejimlari – Tdiff=800÷850 °S, qo‘shimcha termik ishlov berish shartlari – Tann=750÷800 °S va kremniyli QE ning optimal tuzilishi eksperimental aniqlangan;
nikel bilan boyitilgan sirt yuzasiga yaqin soha (qalinligi 2÷3 μm), yuqori getterlash xossasiga ega bo‘lib (G ≈ 0.5÷0.8), QE lari bazasidagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning yashash vaqtini 2 martagacha oshirish imkonini berishi va QE samaradorligini oshirishda muhim rol o‘ynashi aniqlangan;
ilk bor nikel bilan legirlash QE lari samaradorligini oshirishi dastlabki kremniyning o‘tkazuvchanlik tipiga (p – yoki n – tip) va p–n o‘tishni yaratish uchun kiritilgan kirishmalar turiga (B yoki P) bog‘liq emasligi aniqlangan;
quyosh nurlanish spektrining ko‘rinadigan sohasida (λ ~ 0.5÷1 μm) nikel bilan legirlangan kremniyli QE lari qisqa tutashuv tokining spektral sezgirligini 25 ÷ 40% gacha oshishi aniqlangan;
nikel kirishma atomlari klasteri tuzilishining fizik modeli ishlab chiqilgan va shu asosida  klasterdagi atomlari orasidagi masofa –RNi-Ni ≈ 3.84 Å va nikel klasterining tez terqaladigan kirishmalar bilan bog‘lanish energiyasi – ΔEk≈1.39 eV hisoblangan;
klasterlarning kremniyli QE parametrlariga ta’sirini tushuntirish uchun nikel klasterlari tomonidan «zararli» kirishma atomlarining getterlash jarayonining fizik modeli ishlab chiqilgan va shu asosida getterlash koeffisienti (G≈0.5÷0.8) va zaryad tashuvchilarni yig‘ish koeffisientining maksimal oshishi – 50÷100% hisoblangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Nikel bilan legirlashning kremniyli QE lari parametrlariga ta’sirining o‘ziga xos xususiyatlarini o‘rganish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
nikel kirishma atomlarini kremniyga oldindan kimyoviy yotqizilgan (o‘stirilgan) qatlamdan diffuziya qilishning yangi usulidan «FOTON» aksionerlik jamiyatida jahon analoglari darajasidagi 20÷100 nm o‘lchamli klasterlarga ega tajriba namunalarini olishda qo‘llanilgan («O‘zeltexsanoat» aksionerlik jamiyatining 2021 yil 09 sentyabrdagi №04-3/1729-son ma’lumotnomasi). Ushbu ilmiy natijalarni effektivligi 18÷20 % gacha bo‘lgan FVP va FVM (fotovoltaik panellar va modullar) ishlab chiqarish uchun qo‘llash tavsiya etilgan;
getterlash usuli va nikel legirlashning optimallashtirilgan texnologiyasi Centre of foundation studies for agricultural science da (Putra Malayziya Universitetining 06.10.2021 yildagi ma’lumotnomasi) asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar yashash vaqtini 2 martagacha oshirish, emitter sirt qarshiligini 10÷15 % ga kamaytirish va samaradorligi yuqori (20÷22 %) quyosh batareyalarini ishlab chiqarish uchun qo‘llanilgan.