Содикжанов Жахонгирбек Шухратбек ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик  шифри  (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ ва Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссалари”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.3.PhD/FM636
Илмий раҳбар: Умирзаков Болтаходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ион-плазма ва лазер технологиялари институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ҳузуридаги DSc.02/30.12.2019.FM.65.01
Расмий оппонентлар: Ташатов Алланазар Каршиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Максимов Сергей Евлантиевич, физика-математика фанлари доктори, катта-илмий ҳодим.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади CdS ва GaAs сиртларини Ar+, O2+ Ba+ вa Na+ ионлари билан бомбардимон қилиб, сиртга яқин қатламининг турли чуқурликларида ҳосил бўлган наноўлчамли структураларнинг ҳосил бўлишининг асосий физик қонуниятларни ва уларнинг CdS ва GaAs ларнинг электрон ва оптик хусусиятларига таъсир қилиш меxанизмларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор электрон спектроскопия ва микроскопия усуллари комплексидан фойдаланган ҳолда, CdS нинг монокристалл, массив ва пленка намуналарининг сирт морфологияси, таркиби, кристал тузилиши ва электрон хоссалари, эмиссион ва оптик характеристикалари аниқланди;
Ar+ ионлари билан бомбардимон қилинган CdS плёнкалари сиртида бир компонентли наноструктуралар шаклланиши асосий механизмлари ва бомбардимон қилишнинг унинг структураси ва физик хоссаларига таъсири, шунингдек,  Ва атомларини ўтқазишнинг чиқиш зоналари чуқурлигига (ҳақиқий иккиламчи электронлар), CdS плёнкаларининг оптик ва электрон xоссаларига таъсири аниқланди;
илк бор, Ва+ ва О2 ионлари имплантацияси билан CdS нинг сирт ости соҳасида турли чуқурликларда Cd-Ba-S ва Cd-O-S типидаги уч компонентли наноўлчамли фазалар ва плёнкалар олинди ва уларнинг асосий шаклланиш қонуниятлари, ҳамда Еg нинг уч компонентли нанокристалл фазалар ўлчамларига боғлиқлиги аниқланди. Ўлчамли эффектлар юзага келадиган Cd-Ba-S нанофазаларининг критик ўлчамлари бахоланди;
илк бор, GaAs ни энергияси E0 = 15-25 кэВ бўлган Nа+ ионлари билан имплантация қилиб ва сўнгра қиздириш билан сирт ости қатламларида Ga0.5Na0.5As типидаги уч компонентли қатлам олинган. GaAs-Ga0.5Na0.5As-GaAs қатламли плёнка тизимининг шаклланиш меxанизмлари аникланди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Ҳар хил табиатли ионлар (Na+, Ba+, O+ ва Ar+) билан имплантацияланган CdS ва GaAs плёнкаларининг электрон ва оптик хоссаларини ўрганиш натижалари асосида:
ЎзР ФА Физика-техника институтида 2018 – 2020 – йилларда бажарилган ФА-Атех-2018-234 рақамли: “А2B6 ярим ўтказгичли қоришмалар асосидаги фотосенсорлар ёрдамида қон плазмасининг оптик зичлигини аниқловчи янги фотоэлектрик колориметр қурилмасини ишлаб чиқиш” номли амалий лойиҳанинг илмий – техникавий вазифаларини бажаришда самарали фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2021 йил 16 декабрдаги  №2/1255-3512 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларнинг фойдаланилиши Ar+, Ba+ вa Na+ ионлари билан бомбардимон қилинган CdS қатламлари Мо тагликка буфер қатлам сифатида ишлатилиши натижасида фотосезгир Au-ZnCdS-Mo структуранинг адгезия ва фотоэлектрик хусусиятлари яхшиланишига олиб келди. Бу структуранинг сезгирлиги ва спектрал сезгирлик доираси кенгайтирилиши имконини берган;
диссертацияда келтирилган ярим ўтказгич намуналарига Ва ва О киришма атомларини киритиб ёруғликни кенг энергия диапозонида ютувчи материаллар олиш усули, «Ўзэлтехсаноат» АК нинг «Фотон» АЖ да кришма атомлари билан легирланган CdS ва Si асосида ёруғликка сезгирлиги юқори бўлган материал олишда қўлланилган (“Ўзэлтехсаноат” АКнинг 2021 йил 11 ноябрдаги №04–3/2386 сонли маълумотномаси). Илмий натижаларни амалиётда қўллаш, намуна датчикларининг электрофизик параметрларини яхшилаш имконини берди.