Даулетмуратов Борибай Коптлеуовичнинг

фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.

Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Cd(Me)Te ва Ga(As, Se, N) кристалларнинг импулсли лазер билан ишлов бериш усулларини оптималлаштириш», 01.04.10– Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).

Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.DSc/ Т9.

Илмий маслаҳатчи: Власенко Александр Иванович, физика-математика фанлари доктори, профессор.

Диссертация бажарилган муассаса номи: Қорақалпоқ давлат университети.

ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.27.06.2017.FM/T.34.01 рақамли бир марталик илмий кенгаш.

Расмий оппонентлар: Гнатенко Юрий Павлович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Рахматов Ахмад Зайниевич, техника фанлари доктори; Касимахунова Анвархан Мамасадиковна, техника фанлари доктори, профессор.

Етакчи ташкилот: Тошкент ахборот технологиялари университети.

Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.

II. Тадқиқотнинг мақсади: Cd(Me)Te ва Ga(As,Se,N) кристалларида дефектлар ҳосил бўлиши, диффузия, тўлқинли тўқнашув жараёнларини, акустик эмиссия ва ночизиқли оптик эффектларнинг содир бўлишини бошқариш ва лазерли наносекундли ишлов бериш жараёнларини оптималлаштиришдан иборат.

III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:

CdTе, CdZnTе юқори Омли кристалларига рубин лазерининг наносекундли импулслари билан ишлов берилганда юза ҳолатининг яхшиланиши асосланган;

юза рекомбинацияси тезлигини камайтириш ва сезгирлигини ошириш ҳамда фотоўтказувчанликни ва фотолюминесценциянинг спектрал диапазонини ўзгартириш шароитлари топилган;

лазер технологиялари асосида CdTe ва GaAs учун импулсли лазер таъсирида акустик нурланиш энергияси ва амплитудаси ўзгаришини таъминловчи яримўтказгичли кристаллар эрий бошлашини аниқловчи акустоэмиссион усули ишлаб чиқилган;

CdTe наносекундли лазерда тоблаш йўли билан хотирали электрон узиб-уланиш хусусиятига эга Te-CdTe структурасини тайёрлаш усули ишлаб чиқилган;

импульсли лазерли тоблашда акустик нурланиш механизми асосида яримўтказгичли CdTe ва GaAs монокристалларининг эрий бошлаш шароитлари аниқланган;

яримўтказгичлар юзасини импулсьли лазерда тоблашнинг оптималлаш усули ва қонуниятлари CdTe ва унинг асосидаги қаттиқ эришмалар, GaAs, GaSe ларни лазерли ишлов бериш технологиясида ишлатилиши мумкинлиги асосланган.

IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:

Кристалларга импульсли лазерда ишлов беришнинг ва ночизиқли оптик эффектларнинг диффузия ва нуқсонлар ҳосил бўлишига таъсирини ўрганиш асосида:

ишлаб чиқилган яримўтказгичли материаллар ва структуралар барқарорлигини таъминлаш ва назорат қилишнинг акустоэмиссион экспресс усули InGaN ёғду диодларини танлашда ва  «Полтава» корхонасида «Универсал УТОГ» ёриткичларини серияли ишлаб чиқаришда фойдаланилган (Полтава Миллий техника университетининг 2016 йил 15 августдаги маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши ёриткичларнинг ёруғлик коэффициентини 3%га оширишга имкон берди;

CdTe индий билан наносекундли лазерли қаттиқ фазадан лигерлашдаги масса кўчиш механизмлари; CdTe да индийнинг масса кўчиш коэффициентлари, CdTe ва GaAs монокристалл бирикмаларининг локал эриш сабаблари, λ=0,94 мкмли бир марталик наносекундли (20 нс) тоблашдаги монокристалл юзаларининг топилган эриш чегаралари, GaN асосидаги гетеро-структураларнинг электрик ва люминисцентлик характеристикалари ўзгариши ва акустик эмиссия пайдо бўлиш жараёнлари ўртасидаги аниқланган боғлиқлик бўйича олинган натижалар Қорақалпоқ дават университети Ф-2-ОТ-1-10079 «Яримўтказгичларда нуқсонлар ҳосил бўлишининг лазерли-индуцирланган ночизиқ жараёнларининг хусусийлиги» грант лойиҳасини бажаришда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 21 февралдаги ФТК-03-13/677-сонли маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши ёғду диодлари барқарорлигини ва текширишнинг экспресс-тезкор усулини яратиш имконини берган;

Теллур ва индий материаллари учун Раман сочилиши ва индий атомларининг кадмий теллурга атом массасининг ўтиш механизмлари бўйича олинган натижалар хорижий илмий журналларда (Journal of Applied Physics 119, 024106 (2016); Chem. Mater., 2014, 26 (7), pp 2313-2317; Sensors and Actuators B: Chemical. Volume 191, February 2014, Pages 673-680) урилиш тўлқини ҳосил бўлишининг чуқурлигини аниқлаш имконини берган.