Далиев Хожакбар Султановичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Ноанъанавий кириндилар билан легирланган кремний ва унинг асосидаги кўп қатламли структуралардаги номувозанатли жараёнлар», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.1.DSc/ FM37.
Илмий маслаҳатчи: Зайнабидинов Сирожиддин, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, Самарқанд давлат университети, DSc.27.06.2017.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Арипов Хайрулла Кабилович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Зикриллаев Нурулла Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Камалов Амангелди Базарбаевич, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ўтиш ва ноёб ер элементлар яъни ноанъанавий киришмалар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиши жараёнлари, ҳамда бу киришмаларнинг кремнийли металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) структуралар хусусиятига таъсирини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) структураларнинг параметрларини кам қийматларда NSS юза ҳолатлари энергетик спектрини, МДЯ-структураларда ҳар хил электрон жараёнларнинг кинетикасини ҳамда диэлектрикда, Si-SiO2 ўтишида ва унинг чегара қисмида, яримўтказгич ҳажмида электрик фаол нуқсонларнинг параметрларини юқори аниқликда ўзгармас сиғим (СС-DLTS) шароитида (ностационар сиғимли чуқур сатҳлар спектроскопияси) DLTS ёрдамида аниқлаш усули ишлаб чиқилган;
кремнийда ноанъанавий киришмалар чуқур сатҳи ҳосил бўлиши самарадорлигини аниқловчи асосий омилларни, жумладан тоблаш ҳарорати ва легирлангандан кейинги совутиш тезлигини ҳамда турлича паст ва юқори ҳароратларда Ni ёки V диффузияси коэффициентининг ошиши ва ўстиришда легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиши асосланган;
кремнийга киритиладиган ноанъанавий киришмаларнинг атомлари ўстириш киришмалари (кислород) билан ўзаро таъсирлашиб, оптик фаол кислороднинг концентрациясини (10 дан 50% гача) камайишига, айнан киришманинг турига қараб никель билан легирланган кремнийнинг оптик шаффофлиги йўқолиши тажрибада аниқланган;
g-квантлари ва электронлар билан нурлантирилган кремнийли МДЯ-структураларда диэлектрикнинг ҳажмида янги радиацион нуқсонлар ҳосил бўлиши, катта дозаларда уларнинг концентрациясининг ошиши, яримўтказгич юзасида стабил инверсион қатлам ҳосил бўлишига тўсқинлик қилувчи тирқишли ток ҳосил бўлишига олиб келиши уларнинг кремний юзасидан узоқдаги марказлар билан боғлиқлиги аниқланган;
майдоний электродда манфий ва мусбат кучланишли силжишларда ўтиб кетувчи нурланиш таъсирида МДЯ-структураларида радиацион нуқсонлар стабил шароити ҳосил бўлишини таъминловчи, ҳар хил радиацион нуқсонларнинг жойлашиш ўрни ва параметрларини аниқлаш усули яратилган;
g-квантлари ва электронлари таъсирида МДЯ-структураларнинг Si-SiO2 ўтиш қатламида кремний атоми билан эркин боғланишли ҳамда катодли сочилган SiO2 структураларида, кремний ва кремний оксиди орасида кенглиги 0,6 нм атрофида SiOx таркибли қатламидаги радиацион нуқсонлар эркин боғланишларнинг фазовий жойлашиш модели ишлаб чиқилган;
МДЯ-структураларда киритилган заряд ва диэлектрикнинг ҳажмий ҳолати 250°С ҳароратда, Si-SiO2 чегара қисмида эса сиртий ҳолатлар 350°С ҳароратда, Si-SiO2 ўтиш қатламидаги характерли радиацион нуқсонлар эса 400°С ҳароратда батамом термик тобланиши кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Ўтиш ва ноёб ер элементлар яъни ноанъанавий киришмалар билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиши жараёнлари ҳамда бу киришмаларнинг кремнийли МДЯ-структуралар хусусиятига таъсирини тадқиқ қилиш асосида:
кремнийни термик оксидлашда қуруқ кислород атмосферасига кам миқдордаги хлорни қўшиш йўли билан ишлаб чиқилган МДЯ-структураларни тайёрлаш технологияси «FOTON» акциядорлик жамиятида КП304А майдон транзисторини ишлаб чиқишда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 13 сентябрдаги 03-1862-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши анъанавий технологияларга нисбатан оксид қатламида жойлаштирилган заряди ва сиртий ҳолатлари зичлиги кам бўлган структуралар олиш имконини берган;
ионизацион нурланиш таъсирида оксид қатламда мусбат заряд ҳосил қилиш бўйича олинган натижалар «FOTON» акциядорлик жамиятида КП304А майдон транзисторларининг параметрларини барқарорлаштиришда қўлланилган («Ўзэлтехсаноат» акциядорлик компаниясининг 2017 йил 13 сентябрдаги 03-1862-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланилиши заряд ташувчиларнинг инвертирланган каналда эффектив ҳаракатчанлик нурланиш таъсирида 4–5 баробарга камайиши КП304А майдон транзисторидаги зарядларнинг йиғилиши ва оқишини бошқариш орқали электрик параметрлари барқарорлигини ошириш имконини берган;
ишлаб чиқилган ўзгармас сиғим шароитида (CC-DLTS) ностационар сиғимли чуқур сатҳлар спектроскопияси ёрдамида диэлектрик ҳажмида, Si-SiO2 ўтишида ва унинг чегара бўлимида, яримўтказгич ҳажмида ҳар хил нуқсонлар параметрларини айрим ҳолда аниқлаш усули Ф2-ФА-Ф121 «Бир жинсли бўлмаган микроҳолатларни шаклланиши ва уларни нейтронлар ёрдамида легирланган кремнийнинг гидрогенлаш пайтида фундаментал хоссаларига таъсири» мавзусидаги илмий грантида (Ядро физикаси институти) яримўтказгичли диодлар параметрларини барқарорлаштиришда ишлатилган (Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 24 августдаги ФТА-01-01/555-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши нейтронлар ёрдамида легирланган кремнийда нобиржинсли микроқўндирилмаларнинг батамом шаклланишини ва уларни гидрогенизациялашган кремнийнинг фундаментал характеристикаларига таъсирини ўрганишга имкон берган.
