Karimov Muxtorjon Karimberganovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “InP(001) va InGaP(001) yupqa qatlamlar sirtini kichik burchak ostida bombardimon qilayotgan Ne+, Ar+, Xe+ ionlarini sochilish jarayonini modellashtirish”, 01.04.04-Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2020.4.PhD/FM537
Ilmiy rahbar: Kutliev Uchkun Otoboevich fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Urganch davlat universiteti, PhD.03/30.09.2020.FM.55.04 
Rasmiy opponentlar: Yadgarov Ishmumin Djabbarovich fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim; 
Rasulov Akbarali Maxamatovich fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Yetakchi tashkilot: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi ideal ko‘p tarkibli InP(001) va InGaP(001) yupqa qatlam sirtlariga kichik burchak ostida yo‘naltirilgan ionlarning sochilish qonuniyatlarini kompyuterda modellashtirish usuli bilan o‘rganish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
kichik burchak ostida bombardimon qilinayotgan InP(001) va InGaP(001) yupqa qatlam sirtidan sochilish qonuniyatlarini kompyuterda modellashtirish uchun dasturlar yaratildi va mavjudlari uch turdagi atomlardan tashkil topgan yarim kanal uchun mukammallashtirilgan;
ilk bor yupqa qatlamlardan sochilgan ionlarning traektoriyalari aniqlangan va mukammal o‘rganilgan. Olingan natijalar asosida noelastik energiya yo‘qotishlarning kelib chiqish mexanizmi aniqlangan;
ilk bor uch tarkibli yarimo‘tkazgich yupqa qatlamlar sirtidagi yarim kanallarda ionlarning fokuslanish effekti o‘rganilgan. Aniqlandiki uch tarkibli monokristallarda ionlarning fokuslanish effekti ikki tarkibli monokristallar uchun kuzatilgan qiymatdan katta va fokuslanish yarim kanalning kichik massali atomi joylashgan tomonga siljishi aniqlangan;
InP(001) va InGaP(001) yupqa qatlam sirtiga kichik burchak ostida yo‘naltirilgan ionlarning energetik va burchak taqsimotlarini o‘rganilgan. Energetik taqsimotda sirt atom qatori va yarim kanal tubidan sochilgan ionlarning intensiv cho‘qqilari bilan birgalikda yarim kanal devoridan sochilgan ionlarning ham cho‘qqilari tadqiq qilindi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. 
Kichik burchak ostida bombardimon qilinayotgan InP(001) va InGaP(001) yupqa qatlam sirtidan sochilish qonuniyatlarini kompyuterda modellashtirish uchun yaratilgan dasturlardan, yupqa qatlamlardan sochilgan ionlarning traektoriyalari va olingan natijalar asosida noelastik energiya yo‘qotishlarning kelib chiqishini aniqlash mexanizmlaridan F2-FA-F161 raqamli “Erkin yupqa plyonkalar (Al, Cu, Ag, va Cu-Si) va massiv kristallar (W, WOn, TiN, CdTe va SiO2) yuzasida ion implantatsiyasi usuli bilan hosil qilingan nanoo‘lchamli geterostrukturalarning shakllanish mexanizmlari va ularning fizik-kimyoviy xossalarini o‘rganish” nomli fundamental loyihasini bajarishda qo‘llanilgan (O‘zR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutining 25.05.2021 yildagi 01/-294 sonli ma’lumotnomasi, O‘zR FA ning 11.06.2021 yildagi 2/1255-1722 sonli ma’lumotnomasi). Mazkur ilmiy natijalardan foydalanish erkin nanoplyonkalarda va kremniy plyonkasi ionlar bilan bombardimon qilinganda plyonkalardagi atomlar joylanishini aniqlash imkonini bergan.
Ikki va uch tarkibli yarimo‘tkazgich yupqa qatlamlardan ionlarning sochilishini modellashtirish bo‘yicha olingan natijalar Santiago de Kompostella universitetining (Ispaniya) Smart texnologiyalar bo‘yicha Singulyar tadqiqotlar markazida (CITIUS), «Ilgarilagan yarimo‘tkazgich asboblarni modellashtirish va hisoblash vositalarini yaratish: xususiy parametrlarni fluktuatsiyasini o‘rganish uchun qo‘llash» loyihasida ilgarilagan maydoniy tranzistorlarni modellashtirishda qo‘llanilgan (CITIUS markazi Elektronika va kompyuter fanlar bo‘limi rahbari ma’lumotnomasi. 2021 yil). Olingan ilmiy natijalardan foydalanish nanoo‘lchamli maydoniy tranzistorlarni (FinFET, Fin field-effect transistor) strukturasini va geometrik o‘lchamlarini aniqlash imkonini bergan.