Каримов Мухторжон Каримбергановичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатламлар сиртини кичик бурчак остида бомбардимон қилаётган Ne+, Ar+, Xe+ ионларини сочилиш жараёнини моделлаштириш”, 01.04.04-Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.4.PhD/FM537
Илмий раҳбар: Кутлиев Учкун Отобоевич физика-математика фанлари доктори, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Урганч давлат университети, PhD.03/30.09.2020.FM.55.04 
Расмий оппонентлар: Ядгаров Ишмумин Джаббарович физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим; 
Расулов Акбарали Махаматович физика-математика фанлари доктори, профессор;
Етакчи ташкилот: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади идеал кўп таркибли InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатлам сиртларига кичик бурчак остида йўналтирилган ионларнинг сочилиш қонуниятларини компьютерда моделлаштириш усули билан ўрганиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
кичик бурчак остида бомбардимон қилинаётган InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатлам сиртидан сочилиш қонуниятларини компьютерда моделлаштириш учун дастурлар яратилди ва мавжудлари уч турдаги атомлардан ташкил топган ярим канал учун мукаммаллаштирилган;
илк бор юпқа қатламлардан сочилган ионларнинг траекториялари аниқланган ва мукаммал ўрганилган. Олинган натижалар асосида ноэластик энергия йўқотишларнинг келиб чиқиш механизми аниқланган;
илк бор уч таркибли яримўтказгич юпқа қатламлар сиртидаги ярим каналларда ионларнинг фокусланиш эффекти ўрганилган. Аниқландики уч таркибли монокристалларда ионларнинг фокусланиш эффекти икки таркибли монокристаллар учун кузатилган қийматдан катта ва фокусланиш ярим каналнинг кичик массали атоми жойлашган томонга силжиши аниқланган;
InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатлам сиртига кичик бурчак остида йўналтирилган ионларнинг энергетик ва бурчак тақсимотларини ўрганилган. Энергетик тақсимотда сирт атом қатори ва ярим канал тубидан сочилган ионларнинг интенсив чўққилари билан биргаликда ярим канал деворидан сочилган ионларнинг ҳам чўққилари тадқиқ қилинди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
Кичик бурчак остида бомбардимон қилинаётган InP(001) ва InGaP(001) юпқа қатлам сиртидан сочилиш қонуниятларини компьютерда моделлаштириш учун яратилган дастурлардан, юпқа қатламлардан сочилган ионларнинг траекториялари ва олинган натижалар асосида ноэластик энергия йўқотишларнинг келиб чиқишини аниқлаш механизмларидан Ф2-ФА-Ф161 рақамли “Эркин юпқа плёнкалар (Al, Cu, Ag, ва Cu-Si) ва массив кристаллар (W, WОn, TiN, CdTe ва SiO2) юзасида ион имплантацияси усули билан ҳосил қилинган наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланиш механизмлари ва уларнинг физик-кимёвий хоссаларини ўрганиш” номли фундаментал лойиҳасини бажаришда қўлланилган (ЎзР ФА Ион-плазма ва лазер технологиялари институтининг 25.05.2021 йилдаги 01/-294 сонли маълумотномаси, ЎзР ФА нинг 11.06.2021 йилдаги 2/1255-1722 сонли маълумотномаси). Мазкур илмий натижалардан фойдаланиш эркин наноплёнкаларда ва кремний плёнкаси ионлар билан бомбардимон қилинганда плёнкалардаги атомлар жойланишини аниқлаш имконини берган.
Икки ва уч таркибли яримўтказгич юпқа қатламлардан ионларнинг сочилишини моделлаштириш бўйича олинган натижалар Сантиаго де Компостелла университетининг (Испания) Смарт технологиялар бўйича Сингуляр тадқиқотлар марказида (CITIUS), «Илгарилаган яримўтказгич асбобларни моделлаштириш ва ҳисоблаш воситаларини яратиш: хусусий параметрларни флуктуациясини ўрганиш учун қўллаш» лойиҳасида илгарилаган майдоний транзисторларни моделлаштиришда қўлланилган (CITIUS маркази Электроника ва компьютер фанлар бўлими раҳбари маълумотномаси. 2021 йил). Олинган илмий натижалардан фойдаланиш наноўлчамли майдоний транзисторларни (FinFET, Fin field-effect transistor) структурасини ва геометрик ўлчамларини аниқлаш имконини берган.