Вахабов Кутбиддин Иловиддиновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.  
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кремнийли нурланиш қабул қилгичларнинг электрофизик характеристикаларига ультратовуш тўлқинларининг таъсири”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2020.4.PhD/FM414
Илмий маслаҳатчи: Гаибов Абдумалик Гайбуллаевич, физика-математик фанлари номзоди, доцент. 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12 
Расмий оппонентлар: Азаматов Закиржан Тахирович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Расулов Рустам Явкачевич, физика-математика фанлари доктори, профессор. 
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади n-p ўтишли кремний асосидаги нурланишни қабул қилгичларнинг электрофизик, спектрометрик ва фотоэлектрик хусусиятларига ультратовуш тўлқинларининг таъсирини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
n-p ўтишли кремний асосидаги нурланишни қабул қилгичлар сезгир соҳасидаги мувозанатда бўлмаган заряд ташувчиларнинг ғайриоддий юқори йўқотишлари, киришма атомларининг нотекис тақсимланиши натижасида юзага келувчи потенциал рельефга  боғлиқлиги аниқланган;
илк бор p-Si асосида олинган нурланишни қабул қилгичларнинг спектрал чизиқлари ва заряд импульслари шакли паст ҳарорат соҳасида (Т=148÷168 К) кичик амплитудага эга бўлиши ва кенгайиши киришма нуқсонларида ҳажмий зарядларнинг «қутбланиш эффекти» туфайли содир бўлиши аниқланган;
n-p ўтишли Si асосидаги нурланишни қабул қилгичларнинг сезгир соҳасида олтин киришма атомларининг мавжудлиги, уларнинг функционал характеристикаларини яхшилашга олиб келиши аниқланган;
киришма локал тўпламлари томонидан номувозанатли заряд ташувчиларнинг эффектив тутилиши натижасида n-p ўтишли Si асосидаги нурланишни қабул қилгичларда кераксиз қутбланиш эффекти аниқланган;
ультратовуш тўлқинлари таъсирида (t>30 минут, интенсивлиги I0,4 Вт/см2) Si асосидаги нурланишни қабул қилгичларнинг сезгир соҳасидаги олтин киришма атомлари комплексларининг парчаланиши ҳисобига фотосезгирликнинг 15÷20 % га ортиши аниқланган;
нурланишни қабул қилгичларда ультратовуш тўлқинлари таъсирида (интенсивлиги I=2 Вт/см2, частотаси f=15 МГц,  t=30 минут)  р-кремний сиртидаги n+-Si қатламларига олтин атомларининг адгезияси мустаҳкамлиги 10 баробарга ортиши аниқланган. 
IV. Тадқиқот натижаларини жорий қилиниши.
Кремнийли диффузион нурланишни қабул қилгичларнинг электрофизик, спектрометрик ва фотоэлектрик характеристикасига ультратовуш тўлқин-ларининг таъсири бўйича олинган илмий натижалар асосида:
кремний монокристалларидаги маҳаллий бир жинсли бўлмаган соҳалар тақсимлинишини икки координаталар (x,y) бўйича аниқлаш усули “FOTON” акциядорлик жамиятида амалиётга жорий этилган (“Ўзэлтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2020 йил 26 августдаги № 04-1/1563-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши ультратовуш тўлқинлари таъсирида (t>30 минут, интенсивлиги I0,4 Вт/см2) Si асосидаги нурланишни қабул қилгичларнинг сезгир соҳасидаги олтин киришма атомлари комплексларини парчаланиши ҳисобига фотосезгирликнинг 15÷20 % га ортиши, шунингдек, нурланишни қабул қилгичларда ультратовуш тўлқинлари таъсирида (интенсивлиги I=2 Вт/см2, частотаси f=15 МГц,  t=30 минут)  р-кремний сиртидаги n+-Si қатламларига олтин атомларининг адгезияси мустаҳкамлиги 10 баробарга ортиши кремний асосидаги детекторлар самарадорлигини ошириш имкониятини берган;
диффузион р-n ўтиш асосида яратилган нурланишни қабул қилгичларга ультратовушли ишлов (УТИ) бериш режимларини танлаш бўйича олинган натижалар №А-4-7 “Микро ва оптоэлектроника, шунингдек қуёш энергетикаси асбоблари учун кремний ва арсенид галлий монокристалл пленкаларининг сирт ости қатламларида гетероэпитаксиал наноўлчамли тузулмаларни синтез қилиш технологиясини ишлаб чиқиш” мавзусидаги лойиҳасида фотоэлементларни салт юритиш кучланиши ва фойдали иш коэффициентини оширишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 24 августдаги № 89-03-2918-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Si-n-p фото қабул қилгичлардаги сигнал амплитудасининг ошиши айниқса, тўлқин узунлиги 0,81,2 мкм диапазонида намоён бўлиши уларнинг спектрал сезгирлигини мақсадли бошқариш имконини берган.