Аллаярова Гулмира Холмуратовнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертаци ямавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Молибден ва кремний юзасида ҳосил қилинган оксид наноплёнкаларнинг электрон тузулиши ва оптик хусусиятлари”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: - №В2019.2.PhD/Т1048
Илмий маслаҳатчи: Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика фанларидоктори, профессор.
Диссертация бажарилганмуассасаноми: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Карши давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи PhD.03/31.03.2021.FM.70.016
Расмий оппонентлар: Тураев Эргаш Юлдошевич, физика-математика фанлари доктори, Исаханов Зинаобиддин Абилпейзович, физика-математика фанлари доктори
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади Мо ва Si ни О2+ ионларини имплантация қилиш жараёнида МоО3 ва SiO2 оксидларининг наноўлчамли плёнкаларининг хосил бўлиш қонуниятларини ва электрон тузилишини ўрганиш, ҳамда Ar+ ва фаол металл Ва+ ионлари билан бомбардимон қилинган пайтда уларнинг электрон ва оптик хусусиятларининг ўзгариш механизмларини ишлаб чиқиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
биринчи марта Мо ни 850 К да қиздириб туриб кислород босимини ~5 10-2 Па термик оксидлантириш ва О2+ ионларини ион имплантация қилиш орқали МоО3/Мо нанофазалари ва пленкаларини ҳосил қилиш қонуниятлари ўрганилди;
термик оксидлаш жараёнида d ≈ 60- 70 Å қалинликдаги ва ион бомбардимон қилиш орқали d ≈  25- 30 Å  қалинликдаги бир жинсли МоО3 плёнкаси ҳосил бўлиши аниқланди. Ушбу пленкалар поликристалл бўлиб, таъқиқланган зона кенглиги ~ 3.4 эВ га тенг;
биринчи марта МоО3 га Ва+ ионларининг имплантацияси жараёнида наноўлчамли фазалар Ва – О, Ва- Мо – О ва Мо- О бирикмалари ҳосил қилинди Ион имплантацияси ва кейинги қиздириш жараёнида оксидларнинг эмиссия ва оптик хусусиятларидаги ўзгаришларнинг асосий механизмлари тушунтирилди;
молибден сиртининг кислород билан ўзаротаъсирида оксидланиш даражасини пасайтиришнинг янги усуллари таклиф қилинади. Ва+ионларини Мо га имплантация қилишунингсиртиниоксидланишиниолдиниолади;
SiO2 нинг сиртида ва юза ости қатламларида турли чуқурликларда наноўлчамли фазалар ва Si қатламларини олиш усуллари  ишлаб чиқилди;
биринчи марта Si юзасида силицид наноплёнкаларҳосил бўлишининг Si нинг хусусий киришма атомларининг миграциясига таъсири ўрганилди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Ион бомбардировка ва кейинги қиздириш жараёнида МоО3 ва SiО2 сиртида ва сирт ости қатламларида наноўлчамли структураларнинг шаклланиши ва физик хоссаларининг ўзгариши қонуниятларини аниқлаш асосида: № ОТ – Ф2- 67 “Диэлектрик яримўтказгич чегарасидаги нуқсонлар табиатини ва бўйлама тақсимотини аниқлаш усулига янгича ёнданиш” фундаментал лойиҳанинг илмий- техникавий муаммолари бажарилишида яримўтказгичларнинг наноўлчамли фазалар ва пленкалар ва диэлектрик пленкалар шаклланишининг асосий қонуниятларини аниқлашда қўлланилади ЎзРО ва ЎМТ нинг 02. 01. 2021. № 89-03-4333 рақамли маълумотномаси.
Илмий натижаларнинг қўлланилиши қуйидагича имкониятларни берди:
Кремнийнинг хусусий киришмалари миграцияси таъсирида силицид - кремний ва кремний – оксид кремний чегарасида вужудга келадиган юқори қаршиликли қатлам шаклланишининг асосий механизмлари аниқланди.
FinFET трансизторлардан оқиб ўтаётган ток миқдори Si - SiО2 чегарасида пайдо бўладиган заряд таъсирининг моделини яратиш;
Диссертацияда таклиф этилган Si ва SiО2 сиртларида юпқа контакт қатламларни яратиш усули “УзЭлтехсаноат” АК нинг “Фотон” АЖ да ишлаб чиқариладиган электрон компонентларни контактли пайвандлашд ақўлланилди. (01.02.2021. №04-1/162 сонли маълумотнома);
Илмий натижаларни амалиётда қўллаш яримўтказгичлар сиртида металл контактларнинг адгезиясини ошириш имконини беради.