Қўчқаров Қудратулла Мамарасуловичнинг
фан доктори (DSc) диссертация ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «n-CdS-p-CdTe юпқа қатламли қуёш элементларини олиш ва физик хоссалари», 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.2.DSc/FM62.
Илмий маслаҳатчи: Разиқов Тохир Маталович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: ЎзР ФА Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12. 
Расмий оппонентлар: Юлдашев Носиржон Хайдарович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Ёдгорова Дилбара Мустафаевна, техника фанлари доктори, профессор; Дадамирзаев Мухаммаджон Гуломкодирович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Андижон давлат университети. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: водород ва гелий гази оқимида атмосфера босимида арзон кимёвий молекулалар дастасида олиш (КМДО) усули билан турли таркибли CdTe асосида юпқа қатлам қуёш элементларини олиш ва уларнинг электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини тадқиқ этиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк марта қаттиқ фазадаги CdTe таркиби буғ фаза таркибига боғлиқлиги чизиқли характерга эга эканлиги ўрнатилган;
тагликнинг 6000С температурасида кимёвий молекулалар дастасида олиш (КМДО) усули билан ўстирилган CdTe қатлами дона ўлчамлари 2-6 мкм ва қалинлиги бир хил 4 мкм поликристалл сфелерит тузилма (111) йўналиш бўйича яхши ориентирланган қатлам ҳосил бўлиши аниқланган;
CdTe юпқа қатламини ўсиш механизми диффузия модели билан тавсифланиши ҳамда юпқа қатламнинг ўсиш  тезлиги молекулалар оқимининг интенсивлик нисбатига муҳим боғлиқлиги ўрнатилган;
юпқа қатламнинг солиштирма электр ўтказувчанлигини чегаравий эришган қиймати p- CdTe учун теллур билан бойитиш даражасига боғлиқ холда 10-910-4 (Ом см)-1 га кадмий билан бойитиш даражасига боғлиқ холда 10-910-5(Ом  см)-1 қийматларига эга бўлиши кўрсатилган;
ҳароратнинг пасайиши билан А2В6 юпқа қатламнинг ўтказувчанлиги (σ ‖) параллел йўналиши бўйича чизиқли камайиши ва ўтказувчанликнинг перпендикуляр йўналиши (σꓕ) бўйича сезиларсиз камайиш аниқланган. Бундан А2В6 юпқа қатламнинг доначалар чегарасини ўтказувчанликнинг перпендикуляр йўналишига таъсири аҳамиятга эга эмаслиги келиб чиққан;
кимёвий молекулалар дастасида олиш (КМДО) усули билан самарадорлиги 12-15% CdTe асосидаги юпқа қатламли қуёш элементини олишнинг янги иқтисодий ва содда технологияси ишлаб чиқилган ва кейинги ошириш усуллари кўрсатиб берилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: 
CdCl2 эритмасида термик ишлов беришдан олдинги ва кейинги турли таркибли CdTe қатламининг физик хоссаларини ва донача чегараларини А2В6 қатламининг ўтказувчанлигига таъсирини ҳамда CdTe қатлами таркибини юпқа қатламли қуёш элементларининг фотоэлектрик характеристикаларига таъсирини ўрганиш натижалари бўйича олинган илмий натижалар асосида: 
CdCl2 эритмасида термик ишлов беришни кадмий теллурид қатламининг тузилмавий ва электрофизик хоссаларига таъсирини ўрганиш натижалари чет эл журналларида юпқа қатламли ва полимерли қуёш элементларининг база қатламини тузилмавий ва электр хоссаларини яхшилаш учун қўлланилган (Journal of Materials Science: Materials in Electronics,Volume 28, Pages 18745-18754, 2017, IF: 2.195; Materials Technology, Volume 32, Issue -4, Pages 239-244, 2017, IF: 1.82; Materials Technology, Volume 32,I ssue-13, Pages 792-799, 2017, IF: 1.82 ва ҳ.к.). Олинган илмий натижаларни қатлам тайёрлашдаги илмий-техник ва технологик жараёнларда қўлланилиши кадмий теллур қатламининг морфологияси ва тузилмасини яхшилаш имконини берган, ҳамда 12,5% самарадорли CdTe асосли юпқа қатламли қуёш элементи ва η(%)~ 5.6 ли юпқа полимер қатламли қуёш элементи олинган;
қатлам таркиби ва CdCl2 эритмасидаги термик ишлов беришнинг кадмий теллур қатламининг тузилмавий, электрофизик ва оптик хоссаларига таъсирини текшириш натижалари кадмий теллур нанотузилмавий юпқа қатлами ва титан икки оксиди асосидаги нанотрубкаларнинг физик хоссаларини тадқиқ этиш учун чет эл журналларида қўлланилган (Journal of Materials Science: Materials in Electronics,Volume 28, Pages 18745-18754, 2017, IF: 2.195; Materials Technology, Volume 32, Issue -4, Pages 239-244, 2017, IF: 1.82;     Materials Technology, Volume 32,I ssue-13, Pages 792-799, 2017, IF: 1.82 ва ҳ.к.). Илмий тадқиқот натижаларининг қўлланилиши электр ўтказиш усули билан олинган нанотузилмали кадмий теллур қатламининг электр ва оптик хоссаларини яхшилаш имконини берган ҳамда нанотрубок TiO2 асосида 3,89% самарадорликли сексибилизацияланган бўёқ (DSSC) қуёш элементи олинган;
доначалар чегарасининг зичлиги А2В6 қатлам ўтказувчанлигига таъсирини ва А2В6 қатламидаги ток ўтиш механизмини тадқиқ этиш бўйича натижалар, таглик температурасининг юпқа қатламлар ZnTe ва Ti/TiN нинг тузилмавий ва электр хоссаларига таъсирини тадқиқ этиш, хамда Cu(In,Ga)Se қатламининг тузилмавий ва электр хоссаларини яхшилаш учун чет эл журналларида қўлланилган (Vacuum, Volume 83, Issue -12, Pages 1485-1488, 2009, IF: 2.5;  Materials Science and Engineering:B, Volume 176, I ssue-1, Pages 1-7, 2011, IF: 3.5; Solar Energy,Volume 86, Pages 2795- 2801, 2012, IF: 4.8 ва ҳ.к.). Илмий натижаларнинг қўлланилиш ZnTe, Ti/TiN ва Cu(In,Ga)Se қатламларнинг тузилмавий, электр ва оптик хоссаларини яхшилаш имконини берган, ҳамда 3,39% самарадорликли Cu(In,Ga)Se асосли юпқа қатламли қуёш элементлари олинган.