Qo‘chqarov Qudratulla Mamarasulovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiya himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «n-CdS-p-CdTe yupqa qatlamli quyosh elementlarini olish va fizik xossalari», 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.DSc/FM62.
Ilmiy maslahatchi: Raziqov Toxir Matalovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zR FA Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12. 
Rasmiy opponentlar: Yuldashev Nosirjon Xaydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Yodgorova Dilbara Mustafaevna, texnika fanlari doktori, professor; Dadamirzaev Muxammadjon Gulomkodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: vodorod va geliy gazi oqimida atmosfera bosimida arzon kimyoviy molekulalar dastasida olish (KMDO) usuli bilan turli tarkibli CdTe asosida yupqa qatlam quyosh elementlarini olish va ularning elektrofizik va fotoelektrik xossalarini tadqiq etish.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk marta qattiq fazadagi CdTe tarkibi bug‘ faza tarkibiga bog‘liqligi chiziqli xarakterga ega ekanligi o‘rnatilgan;
taglikning 6000S temperaturasida kimyoviy molekulalar dastasida olish (KMDO) usuli bilan o‘stirilgan CdTe qatlami dona o‘lchamlari 2-6 mkm va qalinligi bir xil 4 mkm polikristall sfelerit tuzilma (111) yo‘nalish bo‘yicha yaxshi orientirlangan qatlam hosil bo‘lishi aniqlangan;
CdTe yupqa qatlamini o‘sish mexanizmi diffuziya modeli bilan tavsiflanishi hamda yupqa qatlamning o‘sish  tezligi molekulalar oqimining intensivlik nisbatiga muhim bog‘liqligi o‘rnatilgan;
yupqa qatlamning solishtirma elektr o‘tkazuvchanligini chegaraviy erishgan qiymati p- CdTe uchun tellur bilan boyitish darajasiga bog‘liq xolda 10-910-4 (Om sm)-1 ga kadmiy bilan boyitish darajasiga bog‘liq xolda 10-910-5(Om  sm)-1 qiymatlariga ega bo‘lishi ko‘rsatilgan;
haroratning pasayishi bilan A2V6 yupqa qatlamning o‘tkazuvchanligi (σ ‖) parallel yo‘nalishi bo‘yicha chiziqli kamayishi va o‘tkazuvchanlikning perpendikulyar yo‘nalishi (σꓕ) bo‘yicha sezilarsiz kamayish aniqlangan. Bundan A2V6 yupqa qatlamning donachalar chegarasini o‘tkazuvchanlikning perpendikulyar yo‘nalishiga ta’siri ahamiyatga ega emasligi kelib chiqqan;
kimyoviy molekulalar dastasida olish (KMDO) usuli bilan samaradorligi 12-15% CdTe asosidagi yupqa qatlamli quyosh elementini olishning yangi iqtisodiy va sodda texnologiyasi ishlab chiqilgan va keyingi oshirish usullari ko‘rsatib berilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: 
CdCl2 eritmasida termik ishlov berishdan oldingi va keyingi turli tarkibli CdTe qatlamining fizik xossalarini va donacha chegaralarini A2V6 qatlamining o‘tkazuvchanligiga ta’sirini hamda CdTe qatlami tarkibini yupqa qatlamli quyosh elementlarining fotoelektrik xarakteristikalariga ta’sirini o‘rganish natijalari bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
CdCl2 eritmasida termik ishlov berishni kadmiy tellurid qatlamining tuzilmaviy va elektrofizik xossalariga ta’sirini o‘rganish natijalari chet el jurnallarida yupqa qatlamli va polimerli quyosh elementlarining baza qatlamini tuzilmaviy va elektr xossalarini yaxshilash uchun qo‘llanilgan (Journal of Materials Science: Materials in Electronics,Volume 28, Pages 18745-18754, 2017, IF: 2.195; Materials Technology, Volume 32, Issue -4, Pages 239-244, 2017, IF: 1.82; Materials Technology, Volume 32,I ssue-13, Pages 792-799, 2017, IF: 1.82 va h.k.). Olingan ilmiy natijalarni qatlam tayyorlashdagi ilmiy-texnik va texnologik jarayonlarda qo‘llanilishi kadmiy tellur qatlamining morfologiyasi va tuzilmasini yaxshilash imkonini bergan, hamda 12,5% samaradorli CdTe asosli yupqa qatlamli quyosh elementi va η(%)~ 5.6 li yupqa polimer qatlamli quyosh elementi olingan;
qatlam tarkibi va CdCl2 eritmasidagi termik ishlov berishning kadmiy tellur qatlamining tuzilmaviy, elektrofizik va optik xossalariga ta’sirini tekshirish natijalari kadmiy tellur nanotuzilmaviy yupqa qatlami va titan ikki oksidi asosidagi nanotrubkalarning fizik xossalarini tadqiq etish uchun chet el jurnallarida qo‘llanilgan (Journal of Materials Science: Materials in Electronics,Volume 28, Pages 18745-18754, 2017, IF: 2.195; Materials Technology, Volume 32, Issue -4, Pages 239-244, 2017, IF: 1.82;     Materials Technology, Volume 32,I ssue-13, Pages 792-799, 2017, IF: 1.82 va h.k.). Ilmiy tadqiqot natijalarining qo‘llanilishi elektr o‘tkazish usuli bilan olingan nanotuzilmali kadmiy tellur qatlamining elektr va optik xossalarini yaxshilash imkonini bergan hamda nanotrubok TiO2 asosida 3,89% samaradorlikli seksibilizatsiyalangan bo‘yoq (DSSC) quyosh elementi olingan;
donachalar chegarasining zichligi A2V6 qatlam o‘tkazuvchanligiga ta’sirini va A2V6 qatlamidagi tok o‘tish mexanizmini tadqiq etish bo‘yicha natijalar, taglik temperaturasining yupqa qatlamlar ZnTe va Ti/TiN ning tuzilmaviy va elektr xossalariga ta’sirini tadqiq etish, xamda Cu(In,Ga)Se qatlamining tuzilmaviy va elektr xossalarini yaxshilash uchun chet el jurnallarida qo‘llanilgan (Vacuum, Volume 83, Issue -12, Pages 1485-1488, 2009, IF: 2.5;  Materials Science and Engineering:B, Volume 176, I ssue-1, Pages 1-7, 2011, IF: 3.5; Solar Energy,Volume 86, Pages 2795- 2801, 2012, IF: 4.8 va h.k.). Ilmiy natijalarning qo‘llanilish ZnTe, Ti/TiN va Cu(In,Ga)Se qatlamlarning tuzilmaviy, elektr va optik xossalarini yaxshilash imkonini bergan, hamda 3,39% samaradorlikli Cu(In,Ga)Se asosli yupqa qatlamli quyosh elementlari olingan.