Ашуров Рустам Хатамовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри(илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Кремний ва кремний бирикмаларининг наноўлчамли тузилмаларининг ион-плазмали шаклланиши», 01.04.04–Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.3.PhD/FM138.
Илмий раҳбар: Умирзаков Болтахужа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.30.05.2018.FM./T.65.01.
Расмий оппонентлар: Никифоров Александр Иванович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Ташмухамедова Дилноза Артиқбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: моносилан парчаланиш механизмлари ва нанозарралар ўсиш кинетикасини ўрганган ҳолда моносиландан кремний нанозарраларини ион-плазма олиш усулини яратиш ва жараённинг оптимал параметрларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
триэтоксисиланнинг каталитик диспропорциялаш орқали моносилан ишлаб чиқаришнинг узлуксиз технологияси яратилган;
игнали электродлардан фойдаланиш орқали электродлар орасида турғун плазма ҳосил қилиш ҳамда газ узатилишини электродларга паралелл равишда амалга ошириш орқали радикалларни плазма ҳажмида бўлиш вақти назорат қилиш имконини берувчи плазмада кремний нанозарраларини синтез қилиш қурилмаси яратилган;
илк бор чангли плазмада Мотт-Генри схемасини қўллаган ҳолда кремний нанозарраларини ҳосил қилиш ва уларнинг ўсиш кинетикаси ишлаб чиқилган ва ушбу схема асосида (SiH3+)i кластерининг эволюциясини тасвирловчи кинетик тенглама олинган;
ўлчамлари бўйича дисперция 8 нмдан кичик зарралар учун 10 –15% ва 10 нмдан катта зарралар учун 20% бўлган ҳолларда юқори частотали разряднинг чангли плазма режимидаги оптимал шароитлари аниқланган;
нанозарралар водород билан пассивация қилинганида фотолюменисценция интенсивлиги 10 баробарга ортиши имконини бериувчи кремний нанозарралари юзасини водород ва кислород билан пассивация қилиш усули ишлаб чиқилган;
илк бор иссиқлик энергияси ўзгартиргичларини яратиш учун яримўтказгичли хом-ашёга нанозарралар қўшилган ҳолда олиниш усули ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Моносилан синтези, уни плазмада парчаланиши ва плазмада кремний нанозарраларини ҳосил қилиш жараёнларини ўрганиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
Моносилан синтези технологияси бўйича «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane (Триалкоксисиланлардан фойдаланиб моносилан олиш усули)»га Япония патенти олинган (25.10.2016 й., №JP6014771 В2). Ишлаб чиқилган триалкоксисиланлар орқали моносилан олишнинг янги усули синтез жараёнини узлуксиз амалга ошириш ва реактордан моносиланни бир хил миқдорда олиш, шунингдек катализаторни реакторга узатишнинг янги усули реакцион зонада катализатор концентрацияси ҳамда активлигини керакли даражада ушлаб туриш имконини берган;
янги технолгия асосида «Энергия ўзгартиргичлар учун асос ясаш усули»га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг патенти олинган (27.09.2016 й. №IAP05288). Ишлаб чиқилган технология кислород билан пассивация қилинган кремний нанозарраларини механик майдаланган кремнийга қўшилиши орқали намуна ҳажмининг яхши тўлдирилиши ва бу эса электронларни туннеллашиш шароитини яхшилаш орқали термоэлектрик кўрсаткичларни 20% га орттириш имконини берган.
