Ashurov Rustam Xatamovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri(ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Kremniy va kremniy birikmalarining nanoo‘lchamli tuzilmalarining ion-plazmali shakllanishi», 01.04.04–Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.3.PhD/FM138.
Ilmiy rahbar: Umirzakov Boltaxuja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.30.05.2018.FM./T.65.01.
Rasmiy opponentlar: Nikiforov Aleksandr Ivanovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Tashmuxamedova Dilnoza Artiqbaevna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy va nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: monosilan parchalanish mexanizmlari va nanozarralar o‘sish kinetikasini o‘rgangan holda monosilandan kremniy nanozarralarini ion-plazma olish usulini yaratish va jarayonning optimal parametrlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
trietoksisilanning katalitik disproporsiyalash orqali monosilan ishlab chiqarishning uzluksiz texnologiyasi yaratilgan;
ignali elektrodlardan foydalanish orqali elektrodlar orasida turg‘un plazma hosil qilish hamda gaz uzatilishini elektrodlarga paralell ravishda amalga oshirish orqali radikallarni plazma hajmida bo‘lish vaqti nazorat qilish imkonini beruvchi plazmada kremniy nanozarralarini sintez qilish qurilmasi yaratilgan;
ilk bor changli plazmada Mott-Genri sxemasini qo‘llagan holda kremniy nanozarralarini hosil qilish va ularning o‘sish kinetikasi ishlab chiqilgan va ushbu sxema asosida (SiH3+)i klasterining evolyusiyasini tasvirlovchi kinetik tenglama olingan;
o‘lchamlari bo‘yicha dispersiya 8 nmdan kichik zarralar uchun 10 –15% va 10 nmdan katta zarralar uchun 20% bo‘lgan hollarda yuqori chastotali razryadning changli plazma rejimidagi optimal sharoitlari aniqlangan;
nanozarralar vodorod bilan passivatsiya qilinganida fotolyumenissensiya intensivligi 10 barobarga ortishi imkonini beriuvchi kremniy nanozarralari yuzasini vodorod va kislorod bilan passivatsiya qilish usuli ishlab chiqilgan;
ilk bor issiqlik energiyasi o‘zgartirgichlarini yaratish uchun yarimo‘tkazgichli xom-ashyoga nanozarralar qo‘shilgan holda olinish usuli ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Monosilan sintezi, uni plazmada parchalanishi va plazmada kremniy nanozarralarini hosil qilish jarayonlarini o‘rganish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
Monosilan sintezi texnologiyasi bo‘yicha «A method for preparing monosilane by using trialkoxysilane (Trialkoksisilanlardan foydalanib monosilan olish usuli)»ga Yaponiya patenti olingan (25.10.2016 y., №JP6014771 V2). Ishlab chiqilgan trialkoksisilanlar orqali monosilan olishning yangi usuli sintez jarayonini uzluksiz amalga oshirish va reaktordan monosilanni bir xil miqdorda olish, shuningdek katalizatorni reaktorga uzatishning yangi usuli reaksion zonada katalizator konsentratsiyasi hamda aktivligini kerakli darajada ushlab turish imkonini bergan;
yangi texnolgiya asosida «Energiya o‘zgartirgichlar uchun asos yasash usuli»ga O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining patenti olingan (27.09.2016 y. №IAP05288). Ishlab chiqilgan texnologiya kislorod bilan passivatsiya qilingan kremniy nanozarralarini mexanik maydalangan kremniyga qo‘shilishi orqali namuna hajmining yaxshi to‘ldirilishi va bu esa elektronlarni tunnellashish sharoitini yaxshilash orqali termoelektrik ko‘rsatkichlarni 20% ga orttirish imkonini bergan.
