Ergashev Bobur Avaz o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Turli tarkibli CdTe yupqa qatlamida xususiy nuqtaviy nuqsonlarning holati va tabiati», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.2.PhD/FM88.
Ilmiy rahbar: Razikov Taxirdjon Mutalovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika-texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.
Rasmiy opponentlar: Gulyamov Abdurasul Gafurovich, fizika-matematika fanlari doktori; Tursunkulov Oybek Muyidinovich, fizika-matematika fanlari nomzodi.
Yetakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: turli tarkibli CdTe yupqa qatlamlarida xususiy nuqtaviy nuqsonlarning holati va tabiatini hamda CdCl2 ishqorida termik ishlov berish va Sb bilan legirlashning yupqa qatlamlarga ta’sirini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
yupqa qatlam elementlarining tarkibini KMDO usulida sintez qilishda o‘sish tezligi 10-1÷10 Å/sek bo‘lganda taglikka tushayotgan molekulalar oqimining 1013–1014 sm2/sek-1 gacha pasayishi, CdTe yuzasida yupqa nanoqatlamlar olishga imkoniyat yaratish va yuqori sifatli omik kontaktlar olish mumkinligi aniqlangan;
bug‘ fazalarda Cd/Te molekulalar dastalarining intensivlik nisbatini va taglikka o‘stiriladigan elementlarning ketma-ketlik oqimini boshqarish bilan polikristall CdTe yupqa qatlamlarini olish va ularning solishtirma qarshiligini keng 104–108 Om•sm oraliqda o‘zgartirish mumkinligi aniqlangan;
CdCl2 ishqorida CdTe yupqa qatlamlariga ishlov berilganda donachalar o‘lchami kattalashishi va buning natijasida donachalar orasidagi bo‘shliqlar yo‘q bo‘lishi hamda CdTe yupqa qatlamlarida zich taxlangan donachalar hosil bo‘lishi ko‘rsatilgan;
turli tarkibli CdTe yupqa qatlamlarining 20 K haroratdagi fotolyuminessensiya spektrlarida ikkita 1,41 eV va 1,12 eV cho‘qqilarini namoyon qilganligi va birinchi sath EV+0.15 eV birlik zaryadlangan vakansiya kadmiy VCd-ga, ikkinchi cho‘qqining hosil bo‘lishi EC-0.48 eV sathga va ikkilik zaryadlangan vakansiya tellurga VTe++ yoki tugunlararo kadmiy atomiga Cdi++ tegishli ekanligi aniqlangan;
CdTe yupqa qatlamlariga havo muhitida termik ishlov berilganda, kislorod atomlari donor sath bo‘lgan vakansiya tellurni VTe egalashi va natijada akseptorlar konsentratsiyasining ortishi hamda mos ravishda r-tur o‘tkazuvchanlikni namoyon qilishi ko‘rsatilgan;
KMDO usulida Sb bilan legirlangan turli tarkibli CdTe yupqa qatlamlarining eng kichik solishtirma qarshiligi Cd ga boyitilganda kuzatilib, bunda CdTe:Sb yupqa qatlamlarida Sb atomi Te atomining joyini oson egallashligi va yupqa qatlamda akseptor xossasini ifodalashi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Turli tarkibli CdTe yupqa qatlamlarida xususiy nuqtaviy nuqsonlarning holati va tabiatini hamda ularning elektrofizik xossalarini aniqlash asosida:
CdCl2 ishqori bilan termik ishlov berilgan CdTe yupqa qatlamlarining xossalarini optimallashtirishda olingan natijalar xorijiy ilmiy jurnallarda (Thin Solid Films, 582, 134-138, 2015, IF: 1.939; Advances in Condensed Matter Physics, 2016, Article ID 8068396, IF: 0.959; Physica Status Solidi A, 213(12), 3231-3237, 2016, IF: 1.795) CdTe yupqa qatlamlarining elektrofizik va optik xossalarini yaxshilash va ular asosidagi quyosh elementlari samaradorligini yaxshilashda foydalanilgan. Ilmiy natijalardan foydalanish CdTe yupqa qatlamlarining morfologik, strukturaviy xossalarini yaxshilash va solishtirma o‘tkazuvchanlikni oshirish hamda ular asosidagi quyosh elementlarining samaradorligini oshirish imkonini bergan;
CdTe yupqa qatlamlarining o‘sish jarayonida bug‘ fazadagi tarkibini boshqarish orqali yupqa qatlamning morfologik, strukturaviy hamda elektrofizik xossalarini yaxshilashda olingan natijalar xorijiy ilmiy jurnallarda (Materials Science and Engineering B, 171, 73–78, 2010, IF: 3.316; Physica B, 407, 4214–4220, 2012, IF:1.453; Optik, 124, 2165–2170, 2013, IF:1.191) CdTe yupqa qatlamlarining elektrofizik va optik xossalari o‘zgarishini boshqarishda foydalanilgan. Ilmiy natijalardan foydalanish CdTe yupqa qatlamlarini tanlangan tarkibda olish imkonini bergan.
