Жуманиёзов Иброҳим Отахоновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Фотосезгир Ga_xIn_1-xP/GaP гетеротузилмаларга ва улар асосидаги поғонали фотоўзгартгичларга тўпланган нурларнинг таъсири», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.3.PhD/ FM105.
Илмий раҳбар: Абдуқодиров Мухитдин Абдурашитович, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент ахборот технологиялари университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Каримов Абдулазиз Вахитович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Илиев Халмурат Миджитович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: мужассамлашган, яъни тўпланган қуёш нурланишининг галлий фосфид таглигида олинган индий-галлий-фосфид гетеротузилма асосидаги поғонали тузилмаларнинг фотоэлектрик хоссаларига таъсири механизмларини аниқлашдан иборат.  
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
поғонали қуёш элементлари учун истиқболли бўлган мукаммал тузилмаси юпқа (d≤2мкм) гетероэпитаксиал Ga_xIn_1-xP (0,6≤х≤1,0) қатламларни суюқ фазадан ишчи қатлам ва таглик орасига гетерочегарадан панжара доимийси бир текис ортиб турувчи оралиқ қатлам киритиш йўли билан олиш мумкинлиги кўрсатилган;
база қатлами қалинлиги билан Ga_xIn_1-xP қаттиқ эритманинг ёруғлик нурланишини самарали ўзгартиришни таъминлайдиган ўзаро алоқаси аниқланган;
илк бор кенг зонали Ga_xIn_1-xP/GaP яримўтказгичлар асосидаги фотоўзгартгичларнинг ҳаво-конвектив табиий иссиқлик алмашуви режимида ва 100 карралик қуёш нури режимида ҳам ишлай олиши асосланган;
илк бор AlInP/InP/GaInAs тизимидаги кучайтирилган чиқиш кучланишига ва фотоэлектрик қувватга эга икки томонлама-сезгир уч поғонали фотоўзгартгич тузилмаси ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Мужассамлашган, яъни тўпланган қуёш нурланиши галлий фосфид таглигида ишлаб чиқилган индий-галлий-фосфид гетеротузилма асосидаги поғонали гетеротузилманинг фотоэлектрик характеристикаларига таъсири механизмларини аниқлаш асосида:
икки томонлама-сезгир уч поғонали фотоўзгартгичнинг тузилмасига «Поғонали қуёш элементи» Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти  олинган (№ IAP 04695, 15.04.2013 й.). Ишлаб чиқилган поғонали қуёш элементи юқори чиқиш кучланишини (13÷14В ва 8÷10 мА/см² га тенг қисқа туташув токи) олишга ва 100 каррали қуёш нурланишида совутиш қурилмаларисиз ишлаш имконини берган;
фотоўзгартгичлар база соҳаси қалинлигини қаттиқ эритма таркибига қараб олиш усули, фотоўзгартгичлар кенг зонали р-nўтишларининг электр хусусиятларининг 600К ҳароратгача чидамлилиги ва 100 та қуёшгача тўпланган нур таъсири остида махсус тизими бўлмаганда ҳам ишлай олиши  Ф2-ОТ-О-15494 рақамли «Квант нуқтали гетеро- ва нанотузилмалардаги экситонларни, поляронларни ва кўчиш ҳодисаларини тадқиқ этиш асосида нурлагичлар, фотоэлементлар ва бошқа турдаги оптоэлектрон асбобларнинг самарадорлигини яхшилаш»  (2012-2016 йй.) фундаментал лойиҳасида қуёш энергияси фотоўзгарткичларининг самарадорлигини оширишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фан ва технологиялар агентлигининг 2017 йил 18 декабрдаги ФТА-02-11/1320-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши квант нуқтали гетеро- ва нанотузилмаларни совутмасдан ишчи ҳароратлари оралиғини аниқлаш имконини берган.