Jumaniyozov Ibrohim Otaxonovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Fotosezgir Ga_xIn_1-xP/GaP geterotuzilmalarga va ular asosidagi pog‘onali fotoo‘zgartgichlarga to‘plangan nurlarning ta’siri», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.3.PhD/ FM105.
Ilmiy rahbar: Abduqodirov Muxitdin Abdurashitovich, texnika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Toshkent axborot texnologiyalari universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.
Rasmiy opponentlar: Karimov Abdulaziz Vaxitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Iliev Xalmurat Midjitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: O‘zbekiston Milliy universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: mujassamlashgan, ya’ni to‘plangan quyosh nurlanishining galliy fosfid tagligida olingan indiy-galliy-fosfid geterotuzilma asosidagi pog‘onali tuzilmalarning fotoelektrik xossalariga ta’siri mexanizmlarini aniqlashdan iborat.  
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
pog‘onali quyosh elementlari uchun istiqbolli bo‘lgan mukammal tuzilmasi yupqa (d≤2mkm) geteroepitaksial Ga_xIn_1-xP (0,6≤x≤1,0) qatlamlarni suyuq fazadan ishchi qatlam va taglik orasiga geterochegaradan panjara doimiysi bir tekis ortib turuvchi oraliq qatlam kiritish yo‘li bilan olish mumkinligi ko‘rsatilgan;
baza qatlami qalinligi bilan Ga_xIn_1-xP qattiq eritmaning yorug‘lik nurlanishini samarali o‘zgartirishni ta’minlaydigan o‘zaro aloqasi aniqlangan;
ilk bor keng zonali Ga_xIn_1-xP/GaP yarimo‘tkazgichlar asosidagi fotoo‘zgartgichlarning havo-konvektiv tabiiy issiqlik almashuvi rejimida va 100 karralik quyosh nuri rejimida ham ishlay olishi asoslangan;
ilk bor AlInP/InP/GaInAs tizimidagi kuchaytirilgan chiqish kuchlanishiga va fotoelektrik quvvatga ega ikki tomonlama-sezgir uch pog‘onali fotoo‘zgartgich tuzilmasi ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Mujassamlashgan, ya’ni to‘plangan quyosh nurlanishi galliy fosfid tagligida ishlab chiqilgan indiy-galliy-fosfid geterotuzilma asosidagi pog‘onali geterotuzilmaning fotoelektrik xarakteristikalariga ta’siri mexanizmlarini aniqlash asosida:
ikki tomonlama-sezgir uch pog‘onali fotoo‘zgartgichning tuzilmasiga «Pog‘onali quyosh elementi» O‘zbekiston Respublikasi Intellektual mulk agentligining ixtiroga patenti  olingan (№ IAP 04695, 15.04.2013 y.). Ishlab chiqilgan pog‘onali quyosh elementi yuqori chiqish kuchlanishini (13÷14V va 8÷10 mA/sm² ga teng qisqa tutashuv toki) olishga va 100 karrali quyosh nurlanishida sovutish qurilmalarisiz ishlash imkonini bergan;
fotoo‘zgartgichlar baza sohasi qalinligini qattiq eritma tarkibiga qarab olish usuli, fotoo‘zgartgichlar keng zonali r-no‘tishlarining elektr xususiyatlarining 600K haroratgacha chidamliligi va 100 ta quyoshgacha to‘plangan nur ta’siri ostida maxsus tizimi bo‘lmaganda ham ishlay olishi  F2-OT-O-15494 raqamli «Kvant nuqtali getero- va nanotuzilmalardagi eksitonlarni, polyaronlarni va ko‘chish hodisalarini tadqiq etish asosida nurlagichlar, fotoelementlar va boshqa turdagi optoelektron asboblarning samaradorligini yaxshilash»  (2012-2016 yy.) fundamental loyihasida quyosh energiyasi fotoo‘zgartkichlarining samaradorligini oshirishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fan va texnologiyalar agentligining 2017 yil 18 dekabrdagi FTA-02-11/1320-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi kvant nuqtali getero- va nanotuzilmalarni sovutmasdan ishchi haroratlari oralig‘ini aniqlash imkonini bergan.