Boboev Akramjon Yo‘ldashboevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «n-(GaAs)-r- (GaAs)1-x-u(Ge2)x(ZnSe)u geterotuzilmasining tuzilmaviy xususiyatlari, elektrofizik va fotoelektrik xossalari», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2019.2.PhD/FM69.
Ilmiy rahbar: Yo‘lchiev Shaxriyor Xusanovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muxammadjon G‘ulomqodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent; Turg‘unov Nozimjon Abdumannopovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: n-(GaAs)-r-(GaAs)1-x-u(Ge2)x(ZnSe)u geterotuzilmasining tuzilmaviy xususiyatlarini, elektrofizik va fotoelektrik xossalarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor (100) tartibli monokristall n-GaAs tagliklarga suyuq fazali epitaksiya usulida r-tipli (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y epitaksial qatlamlari o‘stirilgan;
olingan (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 epitaksial qatlamlar taglik tartiblanishiga mos ravishda (100) tartibli, blok o‘lchamlari 52 nanometrli monokristall hisoblanib, sfalerit tuzilishga egaligi isbotlangan;
juft Ge atomlari GaAs molekulalari bilan qisman o‘rin almashinib, asosiy panjara bloklarini shakllantirishi va bloklarning bo‘linish chegarasi bo‘ylab nuqsonga moyil sohalarida ortiqcha Ge atomlari o‘lchami 44 nanometrli bo‘lgan nanokristallarni shakllantirishi aniqlangan;
ilk bor (GaAs)1-x(Ge2)x epitaksial qatlamining sirtida 59 nanometrli ZnSe nanoorolchalari shakllanganligi aniqlangan;
n-GaAs-p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 geterotuzilmasi vol`t-amper xarakteristi- kasining to‘g‘ri yo‘nalishida tokning qiyalik burchagi bilan farqlanuvchi Ge va ZnSe nanokristallari bilan bog‘liq bir qancha sohalar aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
n-(GaAs)-r-(GaAs)1-x-u(Ge2)x(ZnSe)u geterotuzilmasining tuzilmaviy xususiyatlarini, elektrofizik va fotoelektrik xossalarini aniqlash asosida:
ZnSe nanoob’ektlarining geometrik shakli va o‘lchamlarini aniqlash hamda ularning shakllanish mexanizmlarini baholash va ZnSe nanokristallarida tok o‘tish mexanizmlarni aniqlash usullari F-2-37 raqamli «Yarimo‘tkazgichlarda nuqsonlarni shakllantiradigan lazer-induksiyaviy nochiziqli jarayonlarning o‘ziga xosligi» loyihasida yarimo‘tkazgichlarda nuqsonlar va nanokristallarning shakllanishini hamda o‘lcham effektini aniqlash uchun qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2018 yil 24 maydagi 89-03-2001-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi yarimo‘tkazgichlarda nuqsonlarni va nanokristallarni shakllantiradigan lazer-induksiyaviy nochiziqli jarayonlarni aniq va o‘ziga xos tavsiflash imkonini bergan;
kvant nanoob’ektlarining o‘lchami, shakli va ularning zichliklari texnologik me’yorlarga (o‘sish harorati oralig‘iga va sovutish tezligiga) bog‘liqligini aniqlash usullari F2-FA-F120 raqamli «Kichik o‘lchamli yuqori haroratli o‘ta o‘tkazgichlar, yarimo‘tkazgichli geterotuzilmalar, metall va ularning oksidlarining elektron xossalari va radiatsiyaviy takomillashtirilishi» loyihasida yangi turdagi ko‘p qatlamli yarimo‘tkazgichli geterotuzilmalar olish uchun qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 2019 yil 24 iyundagi 2/1255-1772-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanishi kvant nuqtali yarimo‘tkazgichli geterotuzilmalar olishning yangi va optimal usulini yaratishga imkonini bergan.
