Бобоев Акрамжон Йўлдашбоевичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «n-(GaAs)-р- (GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик ва фотоэлектрик хоссалари», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2019.2.PhD/FM69.
Илмий раҳбар: Йўлчиев Шахриёр Хусанович, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.
Расмий оппонентлар: Дадамирзаев Мухаммаджон Ғуломқодирович, физика-математика фанлари доктори, доцент; Турғунов Нозимжон Абдуманнопович, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятларини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини аниқлашдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор (100) тартибли монокристалл n-GaAs тагликларга суюқ фазали эпитаксия усулида р-типли (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y эпитаксиал қатламлари ўстирилган;
олинган (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 эпитаксиал қатламлар таглик тартибланишига мос равишда (100) тартибли, блок ўлчамлари 52 нанометрли монокристалл ҳисобланиб, сфалерит тузилишга эгалиги исботланган;
жуфт Ge атомлари GaAs молекулалари билан қисман ўрин алмашиниб, асосий панжара блокларини шакллантириши ва блокларнинг бўлиниш чегараси бўйлаб нуқсонга мойил соҳаларида ортиқча Ge атомлари ўлчами 44 нанометрли бўлган нанокристалларни шакллантириши аниқланган;
илк бор (GaAs)1-x(Ge2)x эпитаксиал қатламининг сиртида 59 нанометрли ZnSe нанооролчалари шаклланганлиги аниқланган;
n-GaAs-p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 гетеротузилмаси вольт-ампер характеристи- касининг тўғри йўналишида токнинг қиялик бурчаги билан фарқланувчи Ge ва ZnSe нанокристаллари билан боғлиқ бир қанча соҳалар аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
n-(GaAs)-р-(GaAs)1-х-у(Ge2)х(ZnSe)у гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятларини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини аниқлаш асосида:
ZnSe нанообъектларининг геометрик шакли ва ўлчамларини аниқлаш ҳамда уларнинг шаклланиш механизмларини баҳолаш ва ZnSe нанокристалларида ток ўтиш механизмларни аниқлаш усуллари Ф-2-37 рақамли «Яримўтказгичларда нуқсонларни шакллантирадиган лазер-индукциявий ночизиқли жараёнларнинг ўзига хослиги» лойиҳасида яримўтказгичларда нуқсонлар ва нанокристалларнинг шаклланишини ҳамда ўлчам эффектини аниқлаш учун қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2018 йил 24 майдаги 89-03-2001-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши яримўтказгичларда нуқсонларни ва нанокристалларни шакллантирадиган лазер-индукциявий ночизиқли жараёнларни аниқ ва ўзига хос тавсифлаш имконини берган;
квант нанообъектларининг ўлчами, шакли ва уларнинг зичликлари технологик меъёрларга (ўсиш ҳарорати оралиғига ва совутиш тезлигига) боғлиқлигини аниқлаш усуллари Ф2-ФА-Ф120 рақамли «Кичик ўлчамли юқори ҳароратли ўта ўтказгичлар, яримўтказгичли гетеротузилмалар, металл ва уларнинг оксидларининг электрон хоссалари ва радиациявий такомиллаштирилиши» лойиҳасида янги турдаги кўп қатламли яримўтказгичли гетеротузилмалар олиш учун қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2019 йил 24 июндаги 2/1255-1772-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши квант нуқтали яримўтказгичли гетеротузилмалар олишнинг янги ва оптимал усулини яратишга имконини берган.
