Юсупжонова Махсуна Боходировнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Юзаси имплантация усули билан модификацияланган диэлектрик плёнкаларнинг электрон ва оптик хусусиятлари», 01.04.04–Физик электроника (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2017.2.PhD/FM99.
Илмий раҳбар: Ташмухамедова Дилноза Артикбаевна, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.30.05.2018.FM./T.65.01.
Расмий оппонентлар: Исаханов Зайнобиддин Абилпайзиевич, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим; Рахмонов Ганибай Таджиевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона политехника институти.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ион бомбардимон ва кейинги қиздиришда SiO2 ва MgO юпқа плёнкаларининг электрон зона тузилишлари, эмиссион ва оптик хусусиятларининг ўзгариш қонуниятларини аниқлашдан иборат .
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
турли усуллар билан олинган SiO2 плёнкасининг энергетик зона параметрларининг асосий фарқлари, валент электронларнинг ҳолатлар зичлиги, эмиссион ва оптик хусусиятлари ҳамда SiO2/Si ва MgO/Mg тизимларининг ҳақиқий иккиламчи электронлари ва фотоэлектронларининг чиқиш чуқурликлари аниқланган;
илк бор SiO2/Si ва MgO/Mg тизимлари чегарасида ҳосил бўлган ўтиш қатламининг турли чуқурликларида энергетик зона параметрлари аниқланган;
Ar+ ионлари билан бомбардимон қилиниб, кейинги қиздиришлар натижасида SiO2 ва MgO плёнкалари юзасида Si ва Mg наноструктураларини ҳосил қилишнинг асосий механизмлари ва Si/SiO2/Si, Mg/MgO/Mg наноплёнкали тизимларни олишнинг мақбул шартлари аниқланган;
илк бор уч компонентли МехSi1-хО2/SiO2/Si, Mg0,5Ba0.5О /MgO/Mg наноплёнкали тизимлар олинган ва уларнинг электрон тузилиши, эмиссия ва оптик хусусиятлари аниқланган;
ионли легирланган SiO2 ва MgO плёнкаларининг эмиссион ва оптик хусусиятларига ҳароратли қиздиришнинг таъсири ўрганилган ҳамда ионли легирланган тизимларнинг физик хусусиятлари 100 соат ёки ундан ортиқ вақт давомида ўзгармаслиги юз берадиган қиздиришнинг мақбул режимларида аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ион бомбардимон ва кейинги қиздиришда SiO2 ва MgO юпқа пленкаларининг электрон зона тузилишлари, эмиссион ва оптик хусусиятларининг ўзгариш қонуниятларини аниқлаш асосида:
диэлектрик плёнкаларнинг юза ва юза ости қатламларида нанокристаллар ва наноплёнкаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва физик механизмлари бўйича «Кобальт силицидининг нанокристалларини олиш усули»га Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал мулк агентлигининг ихтирога патенти олинган ( №IAP 05809, 04.04.2019 й.). Ишлаб чиқилган бу усул кобальт силицидининг нанокристалларини самарали олиш ва ўрганиш имконини берган;
диэлектрик плёнкаларнинг юзасида наноўлчамли фазалар ва наноплёнкаларнинг ҳосил бўлиши ва уларнинг эмиссион ва оптик хусусиятларини ўрганиш бўйича олинган натижалар Ф2-ФА-Ф161 рақамли «Эркин юпқа плёнкалар (Al, Cu, Ag) ва массив кристаллар (W, WOn, TiN, CdTe, SiO2) юзасида ион имплантацияси усули билан ҳосил қилинган наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланиш механизмлари ва уларнинг физик-кимёвий хоссаларини ўрганиш» ва Ф-2-31рақамли «Наноўлчамли металлар силицид плёнкаларни структураси ва физик хоссаларини ўрганиш ва термосезгир структуралар ҳосил қилиш» лойиҳаларини бажаришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2019 йил 7 июндаги 89-03-2398-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши наноўлчамли гетероструктураларнинг шаклланиш механизмлари, уларнинг физик-кимёвий хоссаларини ва наноўлчамли металл силицид плёнкаларнинг структурасини самарали ўрганиш имконини берган.
