Игамов Бахром Джураевичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Ион-плазма усулида ҳосил қилинган Мн4Си7, CoSi2 ва ЗрО2 вакуумли қопламаларининг тузилиши, структураси ва электрофизик хоссалари”, 01.04.04 – физик электроника (физика-математика фанлари)
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2025.1. DSc /FM277
Илмий маслаҳатчи: Бекпулатов Илхом Рустамович, физика-математика фанлари доктори, дотсент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Конструкторлик бюроси ва тажрибавий ишлаб чиқариш илмий-техник маркази.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.05/27.12.2025.FM/T.09.01 Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Рахманов Ганибой Тоджиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор; Абдуваитов Акбаржон Абдумажитович физика-математика фанлари доктори, профессор; Исхакова Саида Суннатовна, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот : Урганч Давлат Университети.
Диссертация йўналиши: амалий ва назарий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади. Диелектрик ва Си(111) тагликларда ион-плазма усулида олинган Мн₄Си₇, CoSi₂ ва ЗрО₂ юпқа қопламаларининг шаклланиш механизмларини ҳамда термик қиздириш таъсирида структуравий, электрофизик ва термоелектр хоссаларининг ўзгариш қонуниятларини аниқлаш ва уларни оптоелектрон ҳамда термоелектр қурилмаларда қўллашнинг илмий асосларини ишлаб чиқиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйдагилардан иборат:
ион-плазма усулида қалинлиги ≤0,3 μм бўлган ЗрО2 юпқа қопламаларининг шаклланиш қонуниятлари аниқланди ҳамда кислород босимининг ортиши натижасида Зр5О → Зр3О → ЗрО2 фазаларининг кетма-кет шаклланиш қонунияти аниқланди;
ЗрО2 юпқа қопламалари кислородли муҳитда 873–1073 К ҳарорат оралиғида қиздирилганда атомлар диффузияси ва коалессенция жараёнлари таъсирида моноклин фазадан тетрагонал фазага, 1073–1273 К ҳарорат оралиғида эса агломерация жараёни натижасида тетрагонал фазадан қисман кубик фазага ўтиш механизми аниқланди;
илк бор кислородли муҳитда 873–1273 К ҳарорат оралиғида термик қиздириш натижасида ЗрО2 юпқа қопламаларининг тақиқланган зона кенглиги 4,83 эВ дан 5,84 эВ гача ортиши аниқланди. Мазкур ўзгариш кислород ваканциялари консентрациясининг камайиши, кристалланиш даражасининг ортиши ҳамда моноклиник фазадан тетрагонал ва қисман кубик фазаларга ўтиш билан боғлиқ эканлиги аниқланди;
Мн4Си7 ва CoSi2 юпқа қопламаларининг электрофизик хоссаларини қиёсий таҳлил қилиш натижасида Мн4Си7 юпқа қопламаларининг CoSi2 га нисбатан юқори электрофизик кўрсаткичларга эга эканлиги аниқланди ҳамда уларнинг термоелектр ва оптоелектрон қурилмалар учун истиқболли функсионал материал эканлиги илмий жиҳатдан асосланди;
термик қиздириш натижасида қўшимчали Мн4Си7 юпқа қопламаларида Zeebek коеффитсиентининг 30,3 μV/K гача, стехиометрик Мн4Си7 юпқа қопламаларида эса 27,58 μV/K гача ортиши кристалл тузилишининг шаклланиши ва заряд ташувчилар сочилишининг камайиши билан илмий жиҳатдан асосланди;
термик қиздириш натижасида Мн4Си7 юпқа қопламаларининг термоелектр самарадорлик кўрсаткичи (ЗТ) қўшимчали қопламаларда 0,37 гача, стехиометрик қопламаларда эса 0,31 гача ортиши аниқланди. Ушбу ўзгариш коалессенция ва диффузиявий қайта кристалланиш жараёнлари натижасида электр ўтказувчанлик хоссаларининг яхшиланиши ҳамда иссиқлик ўтказувчанлигининг камайиши билан илмий жиҳатдан изоҳланди;
илк бор термик қиздириш натижасида Мн4Си7 юпқа қопламаларида термотокнинг стехиометрик қопламаларда 9,81 μА гача, қўшимчали қопламаларда эса 0,94 μА гача ортиши аниқланди. Мазкур ўзгариш кристалл тузилишининг тартиблашуви ҳамда электр ўтказувчанлик хоссаларининг яхшиланиши билан илмий жиҳатдан изоҳланди;
илк бор Мн4Си7 юпқа қопламаларини 300–800 К ҳарорат оралиғида термик қиздириш натижасида тақиқланган зона кенглигининг қўшимчали қопламаларда 0,66–0,74 эВ, стехиометрик қопламада эса 0,59–0,36 эВ оралиғида ўзгариши аниқланди. Мазкур ўзгариш коалессенция ва диффузиявий қайта кристалланиш жараёнлари билан боғлиқлиги илмий жиҳатдан асосланди;
илк бор Мн4Си7 ва CoSi2 юпқа қопламаларида тақиқланган зона кенглиги, инфрақизил нурланишнинг тўлқин узунлиги ва максимал сезгир ҳарорат ўртасидаги ўзаро боғлиқлик аниқланди. Тақиқланган зона кенглигининг камайиши инфрақизил сезгирлик диапазонининг узун тўлқинлар соҳасига силжиши ҳамда максимал ишлаш ҳароратининг пасайишига олиб келиши илмий жиҳатдан асосланди.
IV. Тадқиқот натижаларининг амалиётга жорий қилиниши:
ушбу тадқиқотда, вакуумли камера ичида битта магнетрон манбаи, ион-плазмали тозалаш мосламаси ва намуналарга ишлов бериш учун қулай мосламаси ишлаб чиқилган. Ушбу қурилма "Вакуумли плазма қоплама қурилмаси" деб номланади ва Фойдали моделга патент (FAP № 20230191, Фойдали моделлар давлат реестрида 22.11.2024-йилда рўйхатдан ўтган) асосида ишлаб чиқилган. ЗрО₂, Мн₄Си₇ ва CoSi₂ юпқа қопламаларни ҳосил қилишда ушбу қурилма самарали ҳисобланади. Илмий натижаларга асосланиб, турли қалинликдаги поликристалл Мн₄Си₇, CoSi₂ ва ЗрО₂ юпқа қопламаларини тез ва сифатли тарзда олиш имконини беради;
потентсиал жиҳатдан ишончсиз юпқа қопламали резисторларни саралашнинг янги усули ишлаб чиқилган. Ушбу усул, резисторли қопламани кислородли юқори частотали плазмада 20 дан 50 mWt/см³ гача қувват зичлиги билан 10 дан 20 дақиқагача плазмада ишлов беришга асосланади. Ишлов беришдан олдинги ва кейинги қоплама қаршиликларининг фарқи орқали потентсиал жиҳатдан ишончсиз резисторлар аниқланади. Ушбу ёндашув "Потентсиал ишончсиз юпқа қопламали резисторларни саралаш усули" номи билан Фойдали моделга патент (FAP № 20230072, Фойдали моделлар давлат реестрида 19.12.2024-йилда рўйхатдан ўтган) олиш имконини берди. Ушбу илмий усул резисторли қопламани кислородли юқори частотали плазмада ишлов беришдан олдинги ва кейинги қатлам қаршиликларининг фарқи орқали потентсиал жиҳатдан ишончсиз резисторларни аниқлаш имконини беради;
олинган Мн₄Си₇, CoSi₂ ва ЗрО₂ юпқа қопламалар асосида яқин инфрақизил (NIR) диапазонида сезгир инфрақизил оптик спектрометр, термоелектрик қурилмалар ва инфрақизил детекторлар яратиш бўйича илмий тавсиялар ишлаб чиқилган. Ушбу тавсиялар "FOTON" АЖ томонидан ишлаб чиқаришга жорий этилганлиги ҳақидаги маълумотнома (395/2025.13.10) билан тасдиқланган. Мн₄Си₇ ва CoSi₂ юпқа қопламалари ишлаб чиқариш усуллари ва физик-кимёвий хусусиятларини оптималлаштириш имкониятларини яратади. Кристалл ўлчами ва дислокация зичлигини ўрганиш асосида микроструктуравий ўзгаришлар аниқланиб, улар электрофизик ва термоелектрик хоссаларни ўзгартириш имконини берди.
