Валиев Сирожиддин Абдирасуловичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри(илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Сезгирлиги юқори, параметрлари ҳароратга турғун ва радиацияга чидамли терморезисторларни яратиш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2019.2.PhD/Т1255.
Илмий раҳбар: Зикриллаев Нурилло Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Тошкент давлат техника университети, Андижон давлат университети, DSc.31.01.2019.FM/T.03.05.
Расмий оппонентлар: Алиев Раимжон техника фанлари доктори, профессор; Тошмуродов Ёрқин Қахрамонович техника фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: сезгирлиги юқори, параметрлари юқори ҳароратга турғун ва радиацияга чидамли терморезисторлар олиш технологиясини яратишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
юқори ҳароратга чидамли ва кам энергия истеъмол қилувчи сезгир терморезисторни яратиш учун марганец, олтингугурт ёки никел киришма атомларини кремний монокристаллига газ ҳолатидан диффузия қилишнинг қулай  технологик режимлари аниқланган;
никел киришма атомлари киритилган кремний материали асосида яратилган терморезисторларнинг юқори сезгирликка эга бўлиши ва никел киришма атомларининг комплексларини кремнийда ҳосил бўлиши аниқланган;
сезгирлиги юқори ва электрофизик параметрлари  турғун терморезисторлар олиш учун кремнийга никел, марганец ёки олтингугурт киришма атомларини икки босқичли диффузия қилишнинг оптимал технологик режимлари аниқланган;
Si <P, Ni> асосида ишлаб чиқилган терморезисторларнинг тавсифларига ташқи омилларнинг (ҳарорат ва радиация) таъсири ва γ-нурланишининг 109 Р қийматигача электрофизик параметрларини ўзгармаслиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Сезгирлиги юқори, параметрлари юқори ҳароратга турғун ва радиацияга чидамли терморезисторлар олиш технологиясини яратиш асосида:
кенг ҳарорат оралиғида ишлайдиган (-40÷180 ºС) термосезгир датчик учун «Термодатчик» ихтирога Ўзбекистон Республикаси Интеллектуал Мулк агентлигининг патенти олинган  (UZ IAP 2009 0111 29.11.2013й.). Ишлаб чиқилган терморезистор саноат асбоблари, илмий объектлар ва турли ҳўжалик қурилмалари ҳамда субъектларининг ҳароратини назорат қилиш имконини берган;
кремний кристалл намуналарига марганец, олтингугурт ва никел кришма атомларини киритиб, термодатчикларни олиш технологияси «FOTON» очиқ акциядорлик жамиятида никел киришма атомлари билан легирланган кремний асосида ҳароратга сезгирлиги юқори бўлган материал олишда қўлланилган (“Ўзэлтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2018 йил 25 августдаги 02-1877-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши сезгирлиги юқори бўлган термодатчикларни ишлаб чиқишга имкон берган.