Каримбердиев Улуғбек Расулжон ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Си/Ге/ЗнСе гетеротузилмаларида ГаАс1-δБиδ нанокристалларнинг шакилланиши, уларнинг тузилмавий, электрофизик ва оптик хоссалари” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2025.3.PhD/FM1372
Илмий раҳбар: Бобоев Акромжон Йўлдошбоевич, физика-математика фанлари доктори,.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM/Т.15.05.
Расмий оппонентлар: Икрамов Рустамжон Ғуломжонович, физика-математика фанлари доктори, профессор, Отажонов Салим Мадрахимович, физика-математика фанлари доктори. профессор.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Си/Ге/ЗнСе гетеротузилмаларида ГаАс₁₋δБиδ нанокристалларининг шаклланиши, уларнинг тузилмавий, электрофизик ва оптик хоссаларини тадқиқ қилишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат: илк бор 
илк маротаба кристалл панжара доимийлари номувофиқлиги ҳамда компонентларнинг иссиқликдан чизиқли кенгайиш коеффициентлари ўртасидаги (Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у эпитаксиал қатламларининг сиртий соҳаларида  наноўлчамли тузилмаларининг ҳосил бўлиши аниқланган;
илк бор кремний тагликларида таркиби аста-секин ўзгарувчи (0 ≤ х ≤ 0,53 ва 0 ≤ й ≤ 0,74) ўрин алмашинувчи (Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у қаттиқ қоришмаларининг ҳосил бўлиши рентген микротаҳлил натижалари асосида аниқланган;
қаттиқ қоришмаларнинг сиртқи соҳаларида   ўз-ўзидан ташкил топувчи 43 нм ва 34 нм ўлчамли ГаАс1-δБиδ ҳамда ЗнСе наноструктуралар ҳосил бўлиш аниқланган; 
(Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у эпитаксиал қатламлар ҳарорат ортиши билан коваклар ва электронлар ҳаракатчанлигининг турлича ўзгариши заряд ташувчиларнинг нафақат кристалл панжара, балки нанотузилмалар ва комплекс нуқсон марказларида ҳам сочилишини аниқланган;
н-Си–п-(Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у гетеротузилмаларининг волт-ампер характеристикаларида ток ўтишининг турли режимлари, тўғри силжитиш соҳасида экспоненсиал ток ортиши ва юқори кучланишларда инжексион камбағалланиш эффекти билан боғлиқ субчизиқли соҳанинг мавжудлиги аниқланган;
н-Си–п-(Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у гетеротузилмаларнинг фотосезгирлик спектри асосида узлюксиз ўрин алмашинувчи қаттиқ қоришманинг энергетик диаграммасида киришма ҳолатлари мавжудлиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ГаАс1–δБиδ квант ўрали (ЗнСе)1–х(Ге2)х қаттиқ қоришмларнинг тузилмавий, электрофизик ва фотоелетрик хоссаларига гамма нурланишлар таъсирини тадқиқ қилиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
суюқ фазали эпитакция усули ёрдамида кремний тагликларига (Ге2)1–х–й(ЗнСе)х(ГаАс1–δБиδ)й қаттиқ қоришмаларини ўстириш, уларнинг сиртида 43 нм ўлчамли ГаАс1–δБиδ квант ўралари ҳамда 34 нм ўлчамли ЗнСе наноструктуралари шаклланиши, н-Си–п-(Ге2)1–х–й(ЗнСе)х(ГаАс1–δБиδ)й гетеротузилмаларида 0,2–1,2 В кучланиш оралиғида токнинг экспоненсиал ортиши, 1,3–3,0 В оралиғида субчизиқли соҳа кузатилиши каби илмий натижалардан “ФОТОН” АЖ да яримўтказгичли электрон қурилмалар учун тажриба намуналарини тайёрлаш, уларнинг структуравий мукаммаллигини баҳолаш ва гетерочегара сифатини назорат қилишда фойдаланилган(“ФОТОН” аксиадорлик жамиятининг 2026 йил 15 июндаги 171-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш фотосезгир элементлар, фотодетекторлар, селектив нурланиш қабул қилгичлари, оптоелектрон қурилмалар ва радиация мониторлари учун сезгир яримўтказгич қатламларнинг тажриба намуналарини яратиш имконини берган;
(Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у эпитаксиал қатламлар ҳарорат ортиши билан коваклар ва электронлар ҳаракатчанлигининг турлича ўзгариши заряд ташувчиларнинг нафақат кристалл панжара, балки нанотузилмалар ва комплекс нуқсон марказларида ҳам сочилиши ҳамда н-Си–п-(Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у гетеротузилмаларнинг фотосезгирлик спектри асосида узлюксиз ўрин алмашинувчи қаттиқ қоришманинг энергетик диаграммасида киришма ҳолатлари мавжудлиги каби илмий натижалардан физика-математика фанлари доктори, профессор Ш.Х. Йўлчиевнинг “Яримўтказгичларда атомлар диффузияси” номли ўқув қўлланмада фойдаланилган (Андижон давлат педагогика институтининг 2026 йил 7 июлдаги 04-334-сон маълумотномаси). Ушбу илмий натижалардан фойдаланиш (Ге2)1-х-у(ЗнСе)х(ГаАс1-δБиδ)у эпитаксиал қатламларида турли соҳаларда юзага келаётган ҳажмий нуқсонларни камайтириш имконини берган;