Пиримматов Муҳаммад Пириммат ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Мустақил манбали буғ транспорт усули ёрдамида олинган СбхСей юпқа қатламларининг физик хоссалари”, 01.04.10 – “Яримўтказгичлар физикаси” (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2022.1.PhD/FM695.
Илмий раҳбар: Қучқаров Кудратулла Мамарасулович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси С.А. Азимов номидаги Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: ЎзР ФА С.А. Азимов номидаги Физика-техника институти, DSc.05/2025.28.11.FM/Т.01.01.
Расмий оппонентлар: Юлдашев Шавкат Узгенович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Шаропов Уткиржон Баҳодирович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий Университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Мустақил манбали буғ транспорт усули ёрдамида юқори сифатли СбхСей юпқа қатламларини ўстириш техналогиясини ишлаб чиқиш, ўстирилган СбхСей юпқа қатламларининг физик хоссаларини ўрганиш ҳамда уларни анъанавий кимёвий молекуляр дасталари усулида тайёрланган СбхСей намуналари физика хоссалари билан қиёсий таҳлил қилишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Илк бор буғланиш манбаларини мустақил бошқариш принципига асосланган мустақил манбали буғ транспорт (ММБТ) қурилмаси ишлаб чиқилди ва содали-оҳак шиша, шиша/Мо тагликларда Сб/Се = 0,508–0,825 оралиғидаги турли таркибли СбхСей юпқа қатламларини мақсадли бошқариш асосида ўстириш имконияти яратилди, шунингдек, буғ фазасидаги таркибни аниқ назорат қилиш орқали қатлам хоссаларини бошқариш мумкинлиги кўрсатилган.
ММБТ усулида ўстирилган стехиометрик таркибли Сб2Се3 қатламларида ҳкℓ (ℓ≠0) йўналиш бўйича афзал кристаллографик ориентация ва минимал оксид фазалар ҳосил бўлиши аниқланиб, ушбу ҳолат КМДО усулида олинган қатламларга нисбатан юқори структуравий тартиблилик ҳамда яхшироқ кристалл сифат шаклланишини таъминлаши экспериментал равишда асослаб берилган.
ММБТ усулида Сб/Се нисбатини бошқариш орқали қўшимча легирлашсиз СбхСей юпқа қатламларида ўтказувчанлик турининг п-типдан н-типга ўзгариши хусусий нуқтавий нуқсонларга (СеСб,ВСб, СбСе,ВСе) боғлиқлиги илмий жиҳатдан асосланган.
ММБТ усулида олинган стехиометрик Сб2Се3 қатламларида паст Урбач энергияси (ЭУ = 0,071 эВ) ва саёз аксептор сатҳларининг устунлиги аниқланиб, ушбу қатламларнинг Сб2Се3/CдС гетероструктурали қуёш элементлари учун юқори сифатли ҳамда истиқболли ютувчи қатлам сифатида қўлланиш имконияти экспериментал жиҳатдан тасдиқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
ММБТ усули ёрдамида ўстирилган СбхСей юпқа қатламларини олиш технологияси асосида Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Материалшунослик институтида амалга оширилган АЛ-47-21071179-сонли “Қуёш батареялари учун самарали композисион шаффофлаштирувчи қопламалар яратиш” мавзусидаги амалий лойиҳасини бажаришда СбхСей поликристалл юпқа қатламлари сиртига н-турдаги ЗнО шаффоф ўтказувчи юпқа қатлами ўстириш асосида илк марта юқори сифатли Сб2Се3/ЗнО – гетероструктуралар олинган. (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси 2026-йил 9-июндаги 2/1255-1587-сонли маълумотномаси). Натижада, қуёш элементлари учун юқори сифатли Сб2Се3/ЗнО – гетероструктураларнинг электрофизик ва фотоелектрик хоссалари тадқиқ этилган.
Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети Физика факултетида бажарилган ИЛ-4821091628-сонли “Фотоволтаикада қўлланилиш учун шаффоф ўтказувчан металл оксидлардаги наноструктурали графенли плёнкаларни шакллантириш ва улардаги заряд ташувчиларнинг кўчиш жараёнлари механизмлари” мавзудаги фундаментал лойиҳасида ушбу диссертация ишидаги технологик параметрлар кварц ва кремний тагликларига алюминий (Ал) ва галлий (Га) киришмалар билан легирланган рух оксиди (ЗнО) юпқа қатламлари ўстиришда, Га ва Ал легирланган ЗнО юпқа қатламларининг қаршилиги Ал атомлари билан легирланган намуналар Га атомлари билан легирланган намуналарга нисбатан электр қаршилиги қандай ўзгаришини ўрганишда ва турли консентрациясли Ал билан легирланган ЗнО юпқа қатламларининг қаршилиги энг кам бўладиган оптимал консентрацияни аниқлаш жараёнларида жорий этилган. (Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университетининг 2026-йил 5-майдаги 01/11-13309-сонли маълумотномаси). Натижада, ЗнО юпқа қатламлари учун Ал легирлаш жараёнида оптимал легирлаш консентрацияси аниқланган ва фотоволтаикада қўлланилиш учун оптимал шаффоф ўтказувчи металл оксид асосли қатлам олиш имконини берган.
