Sayt test rejimida ishlamoqda

Тукфатуллин Оскар Фаритовичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Иссиқ иқлим шароитида n- ва p-тип ўтказувчанли кристалли кремний асосидаги самарали қуёш элементлари ва фотоиссиқлик айлантиргичлар ишланмаси», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2019.2.PhD/T1045.
Илмий раҳбар: Турсунов Мухамад Нишанович, техника фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика-техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти, PhD.30.08.2018.FM/T.01.12.
Расмий оппонентлар: Адукадиров Мухитдин Абдурашитович, техника фанлари доктори, профессор; Тачилин Станислав Анатольевич, техника фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: иссиқ иқлимли шароитларда электр энергиясини генерацияланиши учун мўлжалланган кремнийли қуёш элементлари, фотоэлектрик модуллар ва суюқлик туридаги комбинирланган фотоиссиқлик ўзгарткичларини ишлаб чиқишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
2 ва10 Ом∙см солиштирма қаршилик ва саёз жойлашган р–n-ўтишларга (≤1мкм) эга бўлган юпқа базали (≤200 мкм) қаттиқ жисмли диффузантлардан термодиффузия услубида олинган кремнийли монокристалл қуёш элементларидан фотоэлектрик модуллар ишлаб чиқилган;
илк бор монокристалл кремнийли қуёш элементларидан ясалган, аммо турли ўтказувчанлик (ρ(n) = 2 Ом∙см) ва ρ(р) = 10 Ом∙см) ва солиштирма қаршиликдаги, стандарт синов шароитларидаги ҳароратдан 2–3 марта юқори ҳароратларгача қуёш нурланиши билан бир хилда қиздирилишида (ТФЭМ > [2÷3]×ТSTC) 2–3 салт юриш кучланиши (ΔUХХ/ΔT) ва қисқа туташув токи (ΔIКЗ/ΔТ) ҳарорат коэффициентлари ўртача 1,5 мартага фарқ қилиши исботланган;
(ТФЭМ ≥ ТSTC) стандарт синов шароитларидаги ҳароратдан 2–3 марта юқори бўлган (ТФЭМ) модуллар ҳароратларидаги 36 кремнийли моно- ва мультикристалл қуёш элементларидан иборат стандарт фотоэлектрик модулларнинг оптимал қувват нуқтасидаги кучланишнинг камайиши муносабати билан буферли қўрғошин-кислотали аккумулятор батареялари заряди (IФЭМ ~ (TФЭМ)−1) модульнинг ҳароратига тескари мутаносиб ток орқали содир бўлиши аниқланган;
илк бор 40 кремнийли қуёш элементларидан иборат фотоэлектрик модуллар ва улар асосида қиздириш натижасида юзага келувчи кучланиш етишмовчилигини компенсациялаш имконини берувчи тизимлар ишлаб чиқилган;
илк бор салт юриш кучланишини ютувчи юза ҳароратига боғлиқликлар фарқини аниқлаш имконини берувчи эркин циркуляцияланувчи суюқлик туридаги текис конструкцияли фотоиссиқлик ўзгарткичи ва фотоиссиқлик ўзгарткичдаги қуёш элементларининг ҳароратини аниқлаш усули ишлаб чиқилган;
илк бор иссиқлик ташувчининг контакти фотоэлектрик модулининг орқа юзасидан полиэтилен қават орқали содир бўлувчи эркин циркуляцияланувчи суюқ турдаги текис конструкцияли фотоиссиқлик ўзгарткичлари ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Иссиқ иқлим шароитида кремний асосидаги самарали қуёш элементлари ва фотоиссиқлик айлантиргичлар ишланмасини яратиш  асосида:
термодиффузия услубида олинган кремнийли монокристалл қуёш элементлари асосида  ишлаб чиқилган фотоэлектрик қурилма модулига Ўзбекистон Республикаси Давлат патент идорасининг саноат намунасига патенти олинган («Фотоэлектрик қурилма модули», №SАР 00859, 2010 й.). Ишлаб чиқилган фотоэлектрик қурилма модули фойдали иш коэффициентини ошириш имконини берган;
эркин циркуляцияланувчи суюқлик туридаги текис конструкцияли фотоиссиқлик ўзгарткичи ва фотоиссиқлик ўзгарткичдаги қуёш элементларининг ҳароратини аниқлаш усули асосида яратилган Қуёш коллектор-фото-иссиқлик-ўзгартирувчи комбинацияланган фотоэлектрик қурилмаси III Республика Инновацион ғоялар, технологиялар ва лойиҳалар ярмаркасида «Ёш олимлар ва талабаларнинг энг яхши инновацион лойиҳаси номинацияси» ғолиби бўлган (2010 й.). Ишлаб чиқилган фотоэлектрик қурилма энергияни тежаш имконини берган. 

Yangiliklarga obuna bo‘lish