Турсунметова Зухра Абдурашитовна
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган кремний ва арсенид галлий юзасининг таркиби ва электрон тузилиши” (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2025.4.PhD/FM1417.
Илмий раҳбар: Бекпулатов Илҳом Рустамович, физика-математика фанлари бўйича фан доктори (DSc), доцент. 
Диссертация бажарилган муассаса номи: Тошкент давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Қарши давлат университети, PhD.03/2025.27.12FM.11.02.
Расмий оппонентлар: Эгамбердиев Бахром Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор;  Исаханов Зийнаобидин Абилпейзович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ш.Рашидов номидаги Самарқанд давлат университетининг Физика Муҳандислик инсититути. 
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: сирт тозалик даражасининг уни тозалаш усулига боғлиқлигини ўрганиш, шунингдек тоза кремний (Си) ва галлий арсенид (ГаАс) материалларининг таркиби ҳамда структурасидаги ўзгаришларни юқори вакуум шароитида ушлаб туриш орқали таҳлил қилишдан иборат. Бундан ташқари, тадқиқот доирасида турли энергия ва дозаларда Си (111) кристаллига имплантация қилинган фосфор (П) ва бор (Б) атомларининг тақсимланиш профилига термик қиздириш, инфрақизил ва лазер нурланишининг таъсирини ўрганиш ҳам назарда тутилган.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Турли вакуум шароитларида Си(111) ва ГаАс юзаларининг таркиби ҳамда кристалл тузилишининг ўзгариш қонуниятлари аниқланди. Юқори вакуум шароитида сақлаш жараёнида намуна юзасининг тозаланганлик даражаси қўлланилган тозалаш усули ҳамда сақлаш шароитларига боғлиқ эканлиги кўрсатилди;
Биринчи марта кремний юзасини қўшимча тозалашнинг янги тўрт босқичли усули ишлаб чиқилди. Ушбу усул Рб+ ва Cс+ ионларини имплантация қилиш орқали геттерлаш қатламини ҳосил қилишга асосланган бўлиб, имплантация қилинаётган ионлар энергиясини ўзгартириш орқали намуна сиртидаги назорат қилинмайдиган аралашмалардан тозаланадиган қатлам чуқурлигини бошқариш мумкинлиги аниқланди;
Ионларнинг нурланиш энергияси ва дозасини босқичма-босқич камайтириш орқали электроактив атомларнинг юқори консентрациясига эга бўлган, п–и ва и–н ўтишлари кескин ажралган п–и–н структураларни шакллантириш усули таклиф этилди ва унинг самарадорлиги тажрибавий жиҳатдан асослаб берилди;
Ба⁺ ионларини имплантация қилиш ва кейинги термик ишлов беришнинг ГаАс кристалл тузилиши параметрлари ҳамда валент электронлар ҳолати зичлигига сезиларли таъсир кўрсатиши аниқланди;
ГаАс юзасини Ар⁺ ионлари билан бомбардимон қилиш жараёнида ионлар тушиш бурчагининг катта қийматларида (φ ≈ 75°) парчаланиб кетган Га ва Ас атомларининг бир қисми қайта ўзаро кимёвий боғланиш ҳосил қилиши ва кристалл тузилманинг қисман тикланиши аниқланди.
IV. Тадқиқот натижаларининг амалиётга жорий қилиниши. Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган кремний ва арсенид галлий юзасининг таркиби ва электрон тузилишини ўрганишда олинган илмий натижалар асосида:
Кремний юзасини тозалашнинг тўрт босқичли усули Си(111) юзасида жуда кам миқдордаги аралашмалардан ҳам янада тоза юзани олиш имконини берадиган усул яратилган. “Монокристалл кремний пластинаси юзасини тозалаш усули” (фойдали моделга патент ФАП № 01919, 29.04.2022) қўлланилиши, Си (111), Си (100) ва бошқа грандаги кремний тагликларини юқори даражада тозалаш имконини берди. Илмий натижалардан фойдаланиш кремний юзасига ионлар имплантацияси ва кейинги термик қиздиришдан сўнг юқори кристалликга эга бўлган гетероструктуралар ҳосил қилиш имконини берди ва шуни аниқладики, мазкур структуралардан юқори аниқликда ишлайдиган замонавий технологияларнинг актив элементи сифатида қўлланилиши мумкин.
Олинган натижалар асосида кремний юзасини тозалашнинг тўрт босқичли усулидан фойдаланган ҳолда ярим ўтказгич пластинкаларнинг юза ва юза ости қатламларини қўшимча тозалаш учун ишлатилган. Термик ишлов бериш ҳамда Ба+ ионларини имплантация қилишдан сўнг қиздириш усуллари билан тозаланган Си (111) сиртининг структураси 1×1 шаклида эканлиги аниқланди. Энг тоза сирт эса, Си (111) ни Ба+ ионлари билан имплантация қилиш ва ундан кейин юқори ҳароратда (~1400 К) қайта қиздириш орқали тозалашда ҳосил бўлиши кўрсатиб берилди. Тозаланган Си(111) намунаси  10-6 Па вакуумда 70  100 сония давомида ушлаб турилганда, унинг юзаси кислород атомлари билан ифлосланади ва уларнинг консентрацияси тахминан ~0,5 ат. % га, 10-5 Па вакуумда эса, кислороднинг сирт консентрацияси 0,8 ат. % гача етади. Бунда углерод атомларининг консентрацияси юзада 0,2 ат. % дан ошмаслиги аниқланди. Таклиф этилган кремний юзасини тозалашнинг тўрт босқичли усули Си(111) сиртида жуда кам миқдордаги аралашмалар бўлган янада тоза юзани олиш имконини берди ва “ФОТОН” АЖда кремний юзасини тозалашнинг тўрт босқичли усулидан фойдаланган ҳолда ярим ўтказгич пластинкаларнинг юза ва юза ости қатламларини қўшимча тозалашда қўлланилган (“Ўзелтехсаноат” АЖ дан 2025 йил 21 октябрдаги 418-сонли маʼлумотнома). Илмий натижаларни амалиётда қўллаш юқори даражадаги тоза ярим ўтказгич пластинкаларини ҳосил қилиш имконини берган.