Eshboboev Sardor Nurbobo o‘g‘li
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Bir va ko‘p komponentli yarimo‘tkazgichlar va ularning birikmalarining fotoemission va rentgen-elektron spektroskopiyasi” (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM 1243.
Ilmiy rahbar: Tashatov Allanazar Qarshievich, fizika-matematika fanlari bo‘yicha fan doktori (DSc), professor. 
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Qarshi davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Qarshi davlat universiteti, PhD.03/2025.27.12FM.11.02.
Rasmiy opponentlar: Egamberdiev Baxrom Egamberdievich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Xojiev Sherali Teshaevich, fizika-matematika fanlari nomzodi, professor.
Yetakchi tashkilot: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: Si(111) va GaAs(111) sirtlarida ion-plazma usuli bilan sintez qilingan Cr, CrSi₂, Ni va NiSi₂ yupqa plyonkalarining shakllanish qonuniyatlari hamda ularning tarkibi va fizik xossalarini aniqlash asosida, ushbu materiallarni yuqori funksional nano- va optoelektron qurilmalarda qo‘llash uchun ilmiy-amaliy asos yaratishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
magnetron changlatish qurilmasining doimiy tok (DC) rejimi yordamida Si(111) tagligida hosil qilingan Cr qatlamining termik qizdirish orqali CrSi₂ fazasiga o‘tish mexanizmi va bu fazaning kristalligi IQ-Fure va Raman spektroskopiyasi asosida aniqlanib, MeSi₂ tizimi uchun panjara parametrlari va bog‘lanish energiyasi eksperimental tarzda asoslab berilgan;
ion-plazma usulida Ni/Si tizimini NiSi → NiSi₂ fazaviy o‘tish bosqichlari va kristallarning o‘sish mexanizmlari RFES, XRD va SEM usullari kombinatsiyasida aniqlanib, ilk bor yuqori bir jinsli va silliq NiSi₂ fazaviy plyonka Ni/Si va Ni/GaAs tizimlarida shakllantirilgan;
Ni va Si elementlarining o‘zaro diffuziyasi ion purkash bilan birga olib borilgan RFES tahlili yordamida batafsil o‘rganilib, NiSi₂ fazasi uchun Ni 2p3/2 sathining kimyoviy siljishi (+2,0 eV) bog‘lanish energiyasi spektrlari orqali aniqlandi va bu strukturaviy o‘zgarishlarni tavsiflovchi ko‘rsatkich sifatida asoslab berilgan;
NiSi₂ ning yuqori kristalliligi Raman spektroskopiyasida 197 sm⁻¹ va 216 sm⁻¹ tebranish chastotalarida, shuningdek 508, 335, 1322, 1563 sm⁻¹ rejimlarida tasdiqlandi, bu natijalar DFT hisoblari bilan mos kelishi ko‘rsatildi va oksidlanish izlarining yo‘qligi plyonka tozaligining yuqori darajasi isbotlangan;
NiSi₂ va CrSi₂ plyonkalarining qalinlikka bog‘liqligi tizimli o‘rganilib, eng past sirtiy qarshilik (~1,89 Om/sm²) qalinligi 140–189 nm bo‘lgan plyonkalarga xos ekanligi, d < 135 nm bo‘lganda esa qoplanmaslik nuqsonlari va yuqori qarshilik kuzatilishi ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining amaliyotga joriy qilinishi. Bir va ko‘p komponentli yarimo‘tkazgichlar va ularning birikmalarining fotoemission va rentgen-elektron spektroskopiyasi bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
bir va ko‘p komponentli yarimo‘tkazgichlar va ularning birikmalarining yupqa plyonkalarni magnetron changlatish qurilmasining qattiq fazali ion-plazma usulida hosil qilish texnologiyasi “FOTON” aksiyadorlik jamiyatiga joriy etilgan (“Foton” aksiyadorlik jamiyatining 2025-yil 26-iyundagi №111-sonli ma’lumotnomasi). Natijada texnologik parametrlarning barqarorligi ta’minlash, hosil qilingan plyonkalarning elektrofizik va optik xossalari ishlab chiqarish talablariga mos ekanligi tasdiqlanib, Si va GaAs asosidagi yarimo‘tkazgich qurilmalarda Ni va Cr nanoplyonkalari funksional qatlamlaridan foydalanish imkonini bergan;
Ni va Si elementlarining o‘zaro diffuziyasi ion purkash bilan birga olib borilgan RFES tahlili yordamida batafsil o‘rganilib, NiSi₂ fazasi uchun Ni 2p3/2 sathining kimyoviy siljishi (+2,0 eV) bog‘lanish energiyasi spektrlari orqali aniqlangan va bu strukturaviy o‘zgarishlarni tavsiflovchi ko‘rsatkich sifatida asoslab berilganiga doir ilmiy xulosalaridan  2024–2025-yillarda bajarilgan ALM-202310062527-sonli “Energiya tejovchi texnologiyalarda foydalaniladigan silisid metall va yarimo‘tkazgich birikmalar asosidagi nanoo‘lchamli plyonkalarni olish texnologiyasini yaratish” mavzusidagi amaliy loyihada foydalanilgan. (Qarshi davlat universitetining 2026-yil 16-iyundagi №04/6131-sonli ma’lumotnomasi). Natijada loyihani bir va ko‘p komponentli yarimo‘tkazgichli geterostrukturalar, silisid materiallar va yupqa plyonkalar fizikasi bo‘yicha ilmiy xulosalar bilan boyitish imkonini bergan.