Yodgorova Dilbara Mustafaevnaning
doktorlik dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri: «Galliy arsenidi asosidagi fotosezgir ko‘pqatlamli tuzilmalarni tayyorlash texnologiyasini ishlab chiqish», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (texnika fanlari).
Talabgorning ilmiy va ilmiy-pedagogik faoliyat olib borishga layoqati bo‘yicha test sinovidan o‘tgani haqida ma’lumot: fizika-matematika fanlari nomzodi.
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: 30.09.2014/B2014.5.T265.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Fizika texnika instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, Ion plazma va lazer texnologiyalari instituti va Samarqand davlat universiteti huzuridagi 16.07.2013.FM/T.12.01 raqamli ilmiy kengash qoshidagi bir martalik ilmiy kengash.
Ilmiy maslahatchi: Karimov Abdulaziz Vaxitovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Rasmiy opponentlar:Abdukadirov Muxitdin Abdurashitovich, texnika fanlari doktori, professor; Aliev Rayimjon, texnika fanlari doktori, professor; Tagaev Marat Baymuratovich, texnika fanlari doktori, professor.
Etakchi tashkilot: Toshkent davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: sirti teksturalangan va kirishmalar taqsimoti profili oldindan berilgan epitaksial qatlamlar asosida galliy arsenidli ko‘p qatlamli fotosezgir tuzilmalarni ishlab chiqish hamda ularning funksional xarakteristikalarini yaxshilash va yangi ulanish rejimlarini tadqiq etishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor qotishma-eritmaga qo‘shimcha qotishma-eritmani qo‘shish tezligi bilan aniqlanadigan kirishmalarning taqsimot profilli A3V5 yarim o‘tkazgich birikmalari epitaksial qatlamini o‘stirishning noizotermik usuli taklif qilingan va o‘stiriladigan epitaksial qatlam qalinligi bo‘yicha kirishmalar taqsimoti fizik-texnologik modellashtirilgan;
teksturlangan sirtli galliy arsenidiga 80 daqiqa davomida rux kirishmasi 800 °S da diffuziya qilinib, keyinchalik bir daqiqada bir gradus sovutish tezligi bilan 813°S dan 809 °S gacha harorat oralig‘ida yagona jarayonda epitaksial geteroqatlam o‘stirish texnologiyasi ishlab chiqilgan;
NGaAs-taglik bilan nGa0.8In0.2As-geteroepitaksial qatlam panjaralari parametri farqi~1,4 foiz bo‘lishi hisobiga yuzasi gofrli bo‘lgan ikki to‘siqli Ag-nGa0.8In0.2As-NGaAs-Ag -fotodiod olish va NGaAstaglikdagipGa0.94In0.06Asgeteroepitaksial qatlam ustida germaniy kirishmasi miqdori 3,1 mol`.% bo‘lganda, sirtida piramidalar (asosi 40÷60 mkm, balandligi 8÷10 mkm) hosil qiluvchi texnologik teksturlangan pAl0.1Ga0.9As frontal geteroqatlamli fotovol`taik pAl0.1Ga0.9As-pGa0.94In0.06As-nGaAs-tuzilmalar olish texnologiyalari ishlab chiqilgan;
ilk bor kanalidagi kirishmalar gradienti musbat bo‘lgan arsenid-galliyli maydonli tranzistorga nisbatan fotosezgirligi ikki marta, ma’lum analoglariga nisbatan esa kuchaytirish koeffisienti 3,5 marta katta ega bo‘lgan, kanalidagi kirishmalarning gradienti manfiy (sirt tomon kamayuvchi) bo‘lgan arsenidgalliyli fotosezgir maydonli tranzistor tayyorlangan;
maydonli tranzistorning maksimal sezgirlikka ega fotoqabulqilgich, kichik inersiyaga ega fotorezistor va katta quvvat qayta ulagichi sifatida ishlashini ta’minlaydigan, ulanish rejimlari va usullari taklif qilingan;
ilk bor galliy arsenidili maydoniy tranzistorlar uzatish xarakteristikalarining to‘g‘ri chiziqqa keltirish imkoniyati ko‘rsatilib, sirt holatlari ta’siri va tok tashuvchilar harakatchanligining gradientini hisobga olgan holda, boshqariladigan p-n-o‘tishga ega uzun kanalli maydonli tranzistorlardagi tok tashuvchanlikning fizik-matematik hisobi qilingan;
kanalning yopilishiga yaqin rejimda kuchaytirish koeffisientini (70) bir tartibga katta bo‘lishini ta’minlaydigan, sinxron modulyasiyalanadigan kanallarga ega ikkitranzistorli sxema asosida to‘rt chiqishli universal mikrosxema ishlab chiqilgan;
zatvor va istok qarshiligi o‘rtasiga ikki to‘siqli tuzilma asosidagi fotoqabulqilgich kiritilgan, maydoniy tranzistor asosida kuchaytirgich kirish kaskadidan iborat elektrasboblar va texnologik jihozlarning ulanish-uzilishini ta’minlaydigan masofadan bitta yorug‘lik zondi bilan boshqariladigan optoelektron kalit ishlab chiqilgan;
kirish signali istokka beriladigan ikki bipolyar tranzistor o‘rniga kalit va tok manbai funksiyasini bajaruvchi bitta maydonli tranzistordan va yarim o‘tkazgichli yorug‘lik nurlatgichdan iborat yarimo‘tkazgichli yog‘du tarqatuvchi asboblarning ishlash rejimini stabillashtirish imkonini beradigan optik signallarning modulyatori ishlab chiqilgan;
stabilitron, kuchlanish cheklagichi va S-diodlar tipidagi toki keskin ortadigan yarimo‘tkazgich asboblarning vol`tamper xarakteristikasini o‘lchashni ta’minlaydigan, kichik qadamli presizion moslashtiriladigan tokni berish uchun mo‘ljallangan kanallari sinxron modulyasiyalanadigan ikki tranzistorli sxema asosida stabillashgan toklar generatori ishlab chiqilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: Elektron qurilmalarda yarimo‘tkazgichli strukturalarning ish rejimini optimallashtirish va funksional parametrlarini yaxshilovchi quyidagi 4 ta ixtiroga O‘zbekiston Respublikasi patenti olingan: «Optik signallar modulyatori», (IAP № 04854, 21.02.2014 y.); «Masofadan boshqariladigan optoelektron kalit», (IAP №04600, 25.04.2012 y.); «Eritma-qorishmalarni aralashtirib qo‘shib borish yo‘li bilan yarimo‘tkazgichli materiallarni epitaksial o‘stirish usuli», (IAP № 04053, 09.10.2009 y.); «Maydonli fotosezgir tranzistor», (IAP № 03832, 21.11.2008 y.);
yarimo‘tkazgichli asboblarning ishdan chiqish sabablarini va qabul qilingan reglamentdan chetlashishini aniqlab beruvchi «Kichik toklar generatori» qurilmasi «FOTON» AJda amaliyotga joriy etilib, uning natijasida tayyor yarimo‘tkazgichli asboblarning yaroqli chiqish foizini 10 foizga oshirilib yillik iqtisodiy samaradorlik 20 mln. so‘mni tashkil etgan («O‘zeltexsanoat» Assotsiatsiyasining 2014 yil 10 apreldagi ma’lumotnomasi).
