Ёдгорова Дилбара Мустафаевнанинг
докторлик диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри: «Галлий арсениди асосидаги фотосезгир кўпқатламли тузилмаларни тайёрлаш технологиясини ишлаб чиқиш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (техника фанлари).
Талабгорнинг илмий ва илмий-педагогик фаолият олиб боришга лаёқати бўйича тест синовидан ўтгани ҳақида маълумот: физика-математика фанлари номзоди.
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: 30.09.2014/B2014.5.Т265.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Физика техника институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Физика-техника институти, Ион плазма ва лазер технологиялари институти ва Самарқанд давлат университети ҳузуридаги 16.07.2013.FM/T.12.01 рақамли илмий кенгаш қошидаги бир марталик илмий кенгаш.
Илмий маслаҳатчи: Каримов Абдулазиз Вахитович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Расмий оппонентлар:Абдукадыров Мухитдин Абдурашитович, техника фанлари доктори, профессор; Алиев Райимжон, техника фанлари доктори, профессор; Тагаев Марат Баймуратович, техника фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Тошкент давлат техника университети.
Диссертация йўналиши: амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: сирти текстураланган ва киришмалар тақсимоти профили олдиндан берилган эпитаксиал қатламлар асосида галлий арсенидли кўп қатламли фотосезгир тузилмаларни ишлаб чиқиш ҳамда уларнинг функционал характеристикаларини яхшилаш ва янги уланиш режимларини тадқиқ этишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор қотишма-эритмага қўшимча қотишма-эритмани қўшиш тезлиги билан аниқланадиган киришмаларнинг тақсимот профилли А3В5 ярим ўтказгич бирикмалари эпитаксиал қатламини ўстиришнинг ноизотермик усули таклиф қилинган ва ўстириладиган эпитаксиал қатлам қалинлиги бўйича киришмалар тақсимоти физик-технологик моделлаштирилган;
текстурланган сиртли галлий арсенидига 80 дақиқа давомида рух киришмаси 800 °С да диффузия қилиниб, кейинчалик бир дақиқада бир градус совутиш тезлиги билан 813°С дан 809 °С гача ҳарорат оралиғида ягона жараёнда эпитаксиал гетероқатлам ўстириш технологияси ишлаб чиқилган;
NGaAs-таглик билан nGa0.8In0.2As-гетероэпитаксиал қатлам панжаралари параметри фарқи~1,4 фоиз бўлиши ҳисобига юзаси гофрли бўлган икки тўсиқли Ag-nGa0.8In0.2As-NGaAs-Ag -фотодиод олиш ва NGaAsтагликдагиpGa0.94In0.06Asгетероэпитаксиал қатлам устида германий киришмаси миқдори 3,1 моль.% бўлганда, сиртида пирамидалар (асоси 40÷60 мкм, баландлиги 8÷10 мкм) ҳосил қилувчи технологик текстурланган pAl0.1Ga0.9As фронтал гетероқатламли фотовольтаик pAl0.1Ga0.9As-pGa0.94In0.06As-nGaAs-тузилмалар олиш технологиялари ишлаб чиқилган;
илк бор каналидаги киришмалар градиенти мусбат бўлган арсенид-галлийли майдонли транзисторга нисбатан фотосезгирлиги икки марта, маълум аналогларига нисбатан эса кучайтириш коэффициенти 3,5 марта катта эга бўлган, каналидаги киришмаларнинг градиенти манфий (сирт томон камаювчи) бўлган арсенидгаллийли фотосезгир майдонли транзистор тайёрланган;
майдонли транзисторнинг максимал сезгирликка эга фотоқабулқилгич, кичик инерцияга эга фоторезистор ва катта қувват қайта улагичи сифатида ишлашини таъминлайдиган, уланиш режимлари ва усуллари таклиф қилинган;
илк бор галлий арсенидили майдоний транзисторлар узатиш характеристикаларининг тўғри чизиққа келтириш имконияти кўрсатилиб, сирт ҳолатлари таъсири ва ток ташувчилар ҳаракатчанлигининг градиентини ҳисобга олган ҳолда, бошқариладиган p-n-ўтишга эга узун каналли майдонли транзисторлардаги ток ташувчанликнинг физик-математик ҳисоби қилинган;
каналнинг ёпилишига яқин режимда кучайтириш коэффициентини (70) бир тартибга катта бўлишини таъминлайдиган, синхрон модуляцияланадиган каналларга эга иккитранзисторли схема асосида тўрт чиқишли универсал микросхема ишлаб чиқилган;
затвор ва исток қаршилиги ўртасига икки тўсиқли тузилма асосидаги фотоқабулқилгич киритилган, майдоний транзистор асосида кучайтиргич кириш каскадидан иборат электрасбоблар ва технологик жиҳозларнинг уланиш-узилишини таъминлайдиган масофадан битта ёруғлик зонди билан бошқариладиган оптоэлектрон калит ишлаб чиқилган;
кириш сигнали истокка бериладиган икки биполяр транзистор ўрнига калит ва ток манбаи функциясини бажарувчи битта майдонли транзистордан ва ярим ўтказгичли ёруғлик нурлатгичдан иборат яримўтказгичли ёғду тарқатувчи асбобларнинг ишлаш режимини стабиллаштириш имконини берадиган оптик сигналларнинг модулятори ишлаб чиқилган;
стабилитрон, кучланиш чеклагичи ва S-диодлар типидаги токи кескин ортадиган яримўтказгич асбобларнинг вольтампер характеристикасини ўлчашни таъминлайдиган, кичик қадамли прецизион мослаштириладиган токни бериш учун мўлжалланган каналлари синхрон модуляцияланадиган икки транзисторли схема асосида стабиллашган токлар генератори ишлаб чиқилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: Электрон қурилмаларда яримўтказгичли структураларнинг иш режимини оптималлаштириш ва функционал параметрларини яхшиловчи қуйидаги 4 та ихтирога Ўзбекистон Республикаси патенти олинган: «Оптик сигналлар модулятори», (IAP № 04854, 21.02.2014 й.); «Масофадан бошқариладиган оптоэлектрон калит», (IAP №04600, 25.04.2012 й.); «Эритма-қоришмаларни аралаштириб қўшиб бориш йўли билан яримўтказгичли материалларни эпитаксиал ўстириш усули», (IAP № 04053, 09.10.2009 й.); «Майдонли фотосезгир транзистор», (IAP № 03832, 21.11.2008 й.);
яримўтказгичли асбобларнинг ишдан чиқиш сабабларини ва қабул қилинган регламентдан четлашишини аниқлаб берувчи «Кичик токлар генератори» қурилмаси «FOTON» АЖда амалиётга жорий этилиб, унинг натижасида тайёр яримўтказгичли асбобларнинг яроқли чиқиш фоизини 10 фоизга оширилиб йиллик иқтисодий самарадорлик 20 млн. сўмни ташкил этган («Ўзэлтехсаноат» Ассоциациясининг 2014 йил 10 апрелдаги маълумотномаси).
