Турманова Раймаш Махмутовнанинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи):
“3д-металлар атомлари киришма тўпламларининг кремний электрофизик хусусиятларига таъсири”, 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.1.PhD/FM584.
Илмий раҳбар: Тургунов Нозимжон Абдуманнопович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Мирзо Улуғбек номидаги Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти, DSc.03/2025.27.12.FM/Т.01.06.
Расмий оппонентлар: Аюпов Кутуб Саутович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Бобоев Акрамжон Йўлдашбоевич, физика-математика фанлари доктори, доцент.
Етакчи ташкилот: Наманган давлат университети.
Диссертация йўналиши: Назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади:
кремнийнинг электрофизик хусусиятларига никел ва мис атомлари киришмалари тўпламларининг таъсирини, шунингдек, ташқи омиллар (ҳарорат, γ-нурланиш) таъсирида киришмаларнинг тўпламлари шаклланиш ва парчаланиш жараёнларини ўрганишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
кремнийни Ни ва Cу киришмалари билан бир вақтда юқори ҳароратли (т=1200 ºС) диффузиявий легирлашда намуналар ҳажмида турли геометрик шаклларга эга киришма атом тўпламлари шаклланиши ва уларнинг ўлчамлари 10 нм дан 3 мкм гача етиши аниқланган;
кремнийни т=1200 ºС ҳароратда никел ва мис киришмалари билан бир вақтда диффузиявий легирлаш жараёнида намуналар ҳажмида оптик фаол кислород консентратсияси ~30% га, оптик фаол углерод консентратсияси эса ~20% га камайиши аниқланган;
γ-нурланиш таъсирида н-Си<Ни,Cу> намуналари ҳажмида СиCу3, CуО, Си2Ни ва СиНи каби киришмалар бирикмасининг парчаланиши ва кислород, никел ва мис киришма атомлари иштирокидаги Cу4О3, Ни3Си, Cу15Си4 каби янги бирикмалар шаклланиши аниқланган;
илк бор т=1000 ºС ҳароратда 15 дақиқа давомида, т=1200 ºC ҳароратда эса 10 дақиқа давомида термик ишлов бериш таъсирида Ни ва Cу билан бир вақтда легирланган Си намуналари ҳажмида киришма нанотўпламларининг парчаланиши аниқланган;
γ-нурланишнинг 108 рад дозаси таъсирида н-Си<Ни>, н-Си<Cу> ва н-Си<Ни,Cу> намуналарининг солиштирма қаршилик қиймати мос равишда 82, 18 ва 1,5 марта ортиши аниқланган, бу эса Ни ва Cу билан бир вақтда легирланган кремний намуналарининг нурланишга чидамли эканлигини кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 3д-металл атомлари киришма тўпламларига эга кремний монокристалининг электрофизик хусусиятларини ташқи таʼсирлар воситасида бошқариш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
т=1200 ºC ҳароратда <Ни,Cу> ва <Ни,Фе> киришмалари билан кремнийни бир вақтда диффузиявий легирлашда, намуналар ҳажмида турли геометрик шаклга ва 10нм дан 3 мкм гача бўлган ўлчамга эга киришма тўпламларининг шаклланиши аниқланган, шунингдек, уларнинг кимёвий таркибида матритса ва асосий киришма элементи никел ва мис атомларидан ташқари технологик киришмалар ҳисобланган кислород ва углерод атомларининг 0,01-0,001% фоиз улушида мавжудлиги; -153 ÷ 47 ºC ҳарорат оралигʻида н-Си<Cу> намуналаридаги заряд ташувчилар консентратсияси деярли 8 баравар ортиши ва заряд ташувчиларнинг ҳаракатчанлиги бир даражадан кўпроқ камайган. Олинган илмий натижалардан Белорусия ФАнинг материалшунослик бўйича илмий-амалий марказида 1.3.1 “Кремнийли асбоблар структураларида радиатсиявий-индуктсияланган марказларининг нуқсон-киришма муҳандислиги” мавзусидаги лойиҳасининг “Конденсирланган ҳолат физикаси ва янги функтсионал материалларни яратиш ҳамда уларни олиш технологиялари” кичик дастурини амалга ошириш жараёнида фойдаланилган (Белорусия ФАнинг материалшунослик бўйича илмий-амалий марказининг 2024-йил 12-ноябрдаги маʼлумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Ни ва Cу билан легирланган кремний асосида олинган диодлар ва МДЯ-структураларнинг функсионал имкониятларини оширишга имкон берган.
кремнийдаги никел ва темир киришма атомлари тўпламлари структуравий тузилишларининг диффузия ҳарорати ва диффузиядан кейинги намуналарни совутиш тезлигига боғлиқлиги аниқланган: т=1200 ºC диффузия ҳароратида тез совутилган (≥200 ºC /сек) намуналарда ўлчами бир неча юз нанометргача бўлган турли хил геометрик шаклларга эга киришма нанобирикмаларининг ҳосил бўлиши кузатилди. т=1000 ºC ҳароратда 20 дақиқа давомида термик ишлов бериш таъсирида ўлчами 400 нм гача бўлган киришма тўпламлари парчаланиши аниқланди. Олинган илмий натижалар “ФОТОН” акциядорлик жамиятида кремний асосидаги яримўтказгичли электрон қурилмалар ишлаб чиқаришда фойдаланилган («Ўзелтехсаноат» актсионерлик жамиятининг 2024-йил 11-июлдаги №04-3/1124-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш никел ва мис билан легирланган кремний экспериментал намуналарининг электрофизик параметрларини термик ишлов бериш таʼсирида бошқариш имконини берган.
