Саидов Камоладдин Нураддиновичнинг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Икки ўлчамли молибден дителлируд (МоТе2) асосидаги яримўтказгичли наноструктураларнинг физик-кимёвий ва оптоелектрик хусусиятлари” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2024.1.PhD/FM1036
Илмий раҳбар: Рузимурадов Олим Нарбекович, кимё фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Материалшунослик институти
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM/Т.15.05.
Расмий оппонентлар: Зайнабидинов Сирожиддин Зайнабидинович, физика-математика фанлари доктори, профессор, ЎзР ФА академиги. Мустафа Орду, физика-математика фанлари фалсафа доктори (PhD), доцент.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон Миллий Университети.
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Ушбу тадқиқотнинг мақсади, айрим муҳим физик-кимёвий катталиклардан ва металл дихалкогенидли гетероструктурали (МоТе₂/ҳ-БН) материаллардан фойдаланган ҳолда юқори вакуум остида яримўтказгичли нанотранзисторлар олиш ва ионли суюқлик хоссалари ёрдамида, уларнинг электр ва оптоелектрик хусусиятларини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: ушбу тадқиқот кимёвий буғларни чўктириш (CВД) усули ёрдамида яримўтказгичли кремний (Си-п типли) тагликларга молибден дителлируд (МоТе2) асосидаги яримўтказгичли наноструктуралар ва бор нитридли (ҳ‑БН) диелектрик қатламлар ўстирилди ва БМИМ-БФ₄ ионли суюқлик эритмаси билан инкапсулация қилинган ҳолатида эффективлигини ошириш мумкинлиги асослаб берилган;
ўтиш металли дихалкогенидларининг (ЎМД) электр ва оптик хусусиятларини уларнинг Ферми сатхлари орқали самарали модуляция қилиш мумкинлиги аниқланди. Майдоний транзистор (МТ) оптоелектроник қурилмани ишлаб чиқиш учун п-типли МоТе₂ ва олти бурчакли бор нитриди Си/СиО2 таглиги кучли ултрабинафша нурлар остида ва металл затвор ёрдамида кучланишни бериш ва зарядлаш орқали н-типига ўзгартирилиши мумкинлигини аниқланган;
ушбу МоТе2 нанокристаллар асосида йўналишга боғлиқ МТларнинг ривожланишига ҳисса қўшадиган затвор бўсаға кучланиши ҳам ўчирилган, ҳам ёқилган (Ион/Иофф) режимларда фотоўтказгич эффектларини кучайтириш самарадорлик ўлчовлари энг оптимал миқдор экани аниқланган;
тадқиқотнинг янгилиги шундаки, ионли суюқлик шлюзи МоТе2/ҳ-БН гетеро-ўтказувчанлиги ва ҳаракатчанлигини (мобилитй) сезиларли даражада оширади, қўшимча равишда стандарт затвор ўтиш усуллари билан солиштирганда, тадқиқот МоТе2 ни ҳ-БН билан ионли суюқлик орқа затвори орқали бир қутибликка (униполяр) эришилгани аниқланган;
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Ўстирилган 2Д ЎМД материаллар, Молибден дителлируд ва юпқа икки ўлчамли гексогонал панжарали Бор нитрит қатламли гетеро-бўғинларидан ташкил топган яримўтказгич наноструктурали материаллар асосида физик-кимёвий ва оптоелектрик хусусиятларининг параметрларини ташқи та'сирларга барқарорлигини ошириши, бир нечта қатламли МоТе2/ҳ-БН гетеро-бўғинларидан ташкил топган ионли суюқлик майдон эффектли транзисторларда юқори ўтказувчан интерфейсларни ишлаб чиқариш ва ионли суюқлик орқали гетеро-ўтказувчанлиги ва ҳаракатчанлигини (мобилитй) сезиларли даражада ошиши, қўшимча равишда стандарт затвор ўтиш усуллари билан солиштирганда, тадқиқот МоТе2 ни ҳ-БН билан ионли суюқликдан иборат бўлган затвор орқали бир қутибликка (униполяр) эришилган гетероўтишларнинг ток кучи ва кучланишни оптимал қийматларида чиқиш қувватини амалий ва назарий ҳисоблаш орқали аниқланган қийматлар каби бир қатор илмий тадқиқот усуллари Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси С.А.Азимов номидаги Физика-техника институтида 2021-2023 йилларда бажарилган ФЗ-2020102944 “Арзон, экологик тоза ва юқори самарали поликристалл Сб2 (СхСе1-х)3 юпқа қатламли қуёш элементлари” мавзусидаги лойиҳада фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академиясининг 2025 йил 29 июлдаги 2/1255- 1839 рақамли маълумотномаси). Илмий тадқиқотлар натижаларини бажаришда наноўлчамли юпқа қатламли қуёш элементларининг физик параметрларини баҳолаш бўйича олинган маълумотларни таҳлил қилиш имконини берган.
Ушбу тадқиқот натижалари волт-ампер характеристикаси, ҳар хил температуравий шароитларда олинган наноматериалларнинг структуравий ва фотоелектрик хоссаларини текшириш, фототок қурилмаларини таҳлили, ва юқори ўтказувчанликка эга контакт материалларни ўлчаш бўйича тажриба усуллари Хитой Халқ Республикаси Анҳуи университети (Счоол оф Материалс Сcиенcе анд Энгинееринг, 2025-йил 13-апрелдаги маълумотномаси) ҳамда Швейцариянинг ЭМПА илмий маркази (2025-йил 14-апрелдаги маълумотномаси) лабораторияларида фойдаланилган. Илмий натижалар тажриба қурилмаларида электрон қурилмаларни ишлаб чиқиш ва уларнинг оптоелектрон хусусиятларини яхшилаш имконини берган.
