Иззатиллаев Хурматилло Хикматилла ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ГаАс/ГаИнАс/ГаИнП/АлГаАс гетероструктурали фотоелектрик генераторларни моделлаштириш” 01.04.10–“Яримўтказгичлар физикаси” ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2025.4PhD/Т6087
Илмий раҳбар: Қўчқаров Беҳзод Ҳошимжонович, физика-математика фанлари фалсафа доктори., доцент.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети, Наманган давлат техника университети
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM/Т.15.05.
Расмий оппонентлар:
Алижанов Дониёр Дилшодович техника фанлари бўйича фалсафа доктори (PhD), доцент. 
Онарқулов Каримберди Эгамбердиевич –Фарғона давлат университети профессори, физика-математика фанлари доктори. 
Етакчи ташкилот: Урганч давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ГаИнП/ГаАс/ГаИнАс/АлГаАс гетероструктурали фотоелектрик генераторни моделлаштириш орқали оптимал параметрларини аниқлаш ва қатламлар қалинлиги, таркиби ва интерфейс хусусиятларини оптималлаштириш орқали максимал фойдали иш коеффициентига (η) эришиш имкониятларини яратишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: 
ГаИнП/ГаАс/ГаИнАс/АлГаАс структурага эга фотоелектрик қурилма учун энергетик зоналар диаграммаси биринчи марта комплекс назарий моделлаштирилди ҳамда гетероинтерфейсларда ҳосил бўладиган потенсиал тўсиқ баландлиги 0,35 эВ га тенг қийматга эга бўлиши асосланган; 
кўп ўтишли гетероструктураларда генерация, рекомбинация жараёнларини ҳисобга олувчи такомиллаштирилган математик модел ишлаб чиқилиб қатлам қалинлиги ва легирлаш даражасига кўра 80 нм дан 120 нм гача ошириш орқали самарадорлик 2,5 % га ортиши аниқланган; 
ҳарорат ва қуёш нурланиши интенсивлигининг биргаликдаги таъсири остида фотоелектрик конверсия самарадорлигининг ўзгариш қонуниятлари аниқланди ҳамда ёруғликнинг, 550–600 W/м² қийматда ҳарорат 25–35 °C га етданда максимал самарадорлик 32,7 % га етиши аниқланган; 
гетерофотоелектрик структура учун оптимал конструктив ва технологик параметрлар ишлаб чиқилди ҳамда қатлам қалинлиги ва легирлаш даражасини оптималлаштириш орқали самарадорликни 5–6 % га ошириш мумкинлиги асосланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ГаАс/ГаИнАс/ГаИнП/АлГаАс асосидаги гетероструктурали фотоелектрик генераторларни моделлаштириш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
тўрт қатламли ГаАс/ГаИнАс/ГаИнП/АлГаАс гетероструктурали қуёш элементларининг асосий электрофизик ва фотоелектрик параметрларини рақамли моделлаштириш бўйича олинган илмий натижалар “Фотон” АЖда яримўтказгичли кўп қатламли фотоелектрик ўзгартиргичлар, фотодетекторлар ва сенсорларнинг конструктив ҳамда электрофизик параметрларини такомиллаштиришда жорий этилган (“Фотон” АЖнинг 2025-йил 28-апрелдаги 72-сон маълумотномаси). Натижада кўп қатламли гетероструктурали яримўтказгичли қурилмаларда қатламлар таркиби, қалинлиги ва электрофизик параметрларини баҳолаш, шунингдек, фотоелектрик ўзгартиргичларнинг самарадорлигини оширишга йўналтирилган конструктив ечимларни танлаш имконияти яратилган.
ГаАс/ГаИнАс/ГаИнП/АлГаАс гетероструктурали фотоелектрик генераторларда заряд ташувчилар ҳаракати ва қатламлараро электрофизик жараёнларни рақамли моделлаштиришда қўлланган ҳисоблаш ёндашувларидан Халқаро Ислом Университетининг ФРГС19–039–0647-сонли “Нейтронга бой қудуқ деформацияланган лантаноид ядроларининг қўзғалувчан ҳолатлар динамикаси” мавзусидаги амалий тадқиқот лойиҳасида мураккаб тизимларнинг параметрларини сонли таҳлил қилишда фойдаланилган. Натижада кўп параметрли физик тизимларда моделлаштириш натижаларини солиштириш, параметрлар ўзгаришининг тизим хоссаларига таъсирини баҳолаш ва ҳисоблаш натижаларини таҳлил қилиш имконияти кенгайтирилган.