Ўрмонов Ботиржон Комиловичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Кремний фотоелектрик энергия ўзгартиргичларнинг хусусиятларига  геометрик ва механик омилларнинг таъсири” 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси ихтисослиги бўйича фалсафа доктори (PhD) (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйҳатга олинган рақам: В2025.4.PhD/Т6088
Илмий раҳбар: Зайнабидинов Сирожиддин, физика-математика фанлари доктори, Академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Андижон давлат университети 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Наманган давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM/Т.15.05.
Расмий оппонентлар:
Матчанов Нуриддин Азадович, техника фанлари доктори, катта илмий ходим; 
Алижанов Донёрбек Дилшодович, техника фанлари фалсафа доктори (PhD), доцент.
Етакчи ташкилот: Фарғона давлат университети.    
Диссертация йўналиши: илмий амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: моно- ва поликристаллл кремний пластиналари ва қатламларини геометрик оптималлаштириш орқали фотоелектрик ўзгартиргичларнинг самарадорлигини ошириш. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги: илк бор кремний пластиналарининг 10-2 ÷ 103 мкм2 диапазондаги ўлчамининг фотоелектрик қурилмаларнинг асосий хусусиятларига таъсир қонуниятлари компютерда моделлаштириш орқали аниқланган; 
моно - ва поликристалли кремнийдан тайёрланган фотоелектрик қурилмаларнинг асосий хусусиятларига ўлчам ва шакл таъсирининг қиёсий хусусиятлари аниқланган. “Сентаурус ТCАД” ёрдамида моделлаштириш орқали ҳисоблаш натижаларининг экспериментал маълумотлар билан мос келиши кўрсатилган;
илк бор н- (ёки п-) асосли кремний пластинанинг орқа томонида ўзаро параллел жойлаштирилган кўпсонли н+ ва п+ қатламларини кетма-кет жойлашган ҳар иккинчи микроелементини кейинги легирланган қатлам билан сиртдаги кўндаланг метал электрод орқали кетма-кет улаш орқали юқори кучланиш генерациялловчи яримўтказгичли фотоелектрик энергия ўзгартиргич ишлаб чиқилган;
турли шаклларидаги кремний пластиналари негизида фотоелектрик ўзгартиргичларни моделлаш орқали уларнинг асосий фотоелектрик параметрларнинг шаклга боғлиқлиги қонуниятлари, моно- ва поликристал кремний асосли структураларнинг қиёсий хусусиятлари аниқланган, ҳамда олинган натижалар фотоелектрик ўзгартиргичларнинг ён сиртидаги заряд ташувчиларнинг рекомбинация туфайли йўқотишларининг таъсири билан боғлиқ ҳолда тушунтирилган;
текстураланган сирт таъсирини моделлаштириш орқали кремнийли қуёш элементининг сирт морфологиясини ўзгартириш, ҳусусан, қисқа туташув ток зичлиги текстура бурчагига ва база қалинлигига кучли боғлангананлиги, шунингдек  70,4° бурчак остида пирамидалар яратиш орқали материал сарфини тўрт баробаргача камайтириш имконияти аниқланган;
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Моно- ва поликристалл кремний пластиналари ва қатламларини геометрик оптималлаштириш орқали фотоелектрик энергия ўзгартиргичларнинг самарадорлигини оширишга йўналтирилган назарий ва амалий тадқиқотлар асосида:
тезкор тикланувчан оптик тизимга эга қуёш ёритиш қурилмаси таклиф қилинган ва экспериментал ишлаб чиқилган Ўзбекистон  Республикаси Интелектуал мулк агентлигининг фойдали моделга патенти («Ёритиш қурилмаси». № ФАП 02036, 29.07.2022) олинган. Янги конструкцияли қурилма тезкор тикланаувчан оптик тизимга эга қуёш ёритиш қурилмасини яратиш концепциясини тасдиқлаган; 
моделлаштириш орқали аниқланган кремний пластиналарининг 10-2 ÷ 103 мкм2 диапазондаги ўлчамининг фотоелектрик қурилмаларнинг асосий хусусиятларига таъсир қонуниятлари, моно - ва поликристалли кремнийдан тайёрланган фотоелектрик қурилмаларнинг асосий хусусиятларига ўлчам ва шакл таъсирининг қиёсий хусусиятлари, текстураланган фронтал сирти ва орқа сиртида оптик қопламага эга фотоелектрик қурилма аналоглардан контакт йўлакларининг кенглиги ва улар орасидаги масофалар ўзаро тенглиги билан фарқланади, шунингдек иккинчи н+ (ёки п+) қатламдан бошлаб ҳар бир н+ (ёки п+) қатлам кейинги п+ (ёки н+) қатлами билан қисқа туташтирилган, бунинг эвазига барча параллел жойлшган н+-п (ёки п+-н) ўтишларнинг кетма-кет уланиши эвазига юқори кучланишнинг генерацияланиши таъминланганлиги ҳамда локал босимнинг кремнийли фотоелектрик қурилмаларининг фронтал юзасига таъсирини аниқлаш учун “Cомсол Мултипҳйсиcс” асосида ишлаб чиқилган янги дастурий маҳсулотлар “Узелтехсаноат” уюшмасида жорий этиш учун қабул қилинган (“Узелтехсаноат” уюшмасининг 2024 йил 18 январдаги № 04-3/81 хати ва № 13 маълумотномаси). Натижада мазкур илмий янгиликлардан кремний асосли турли кристаллик даражасига, шакл ва ўлчамларга эга фотоелектрик энергия ўзгартиргичларни ишлаб чиқаришда ва уларнинг самарадорлигини оширишда фойдаланишнинг мақсадга мувофиқлиги тасдиқланган.