Далиев Шахрух Хожакбаровичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Қийин эрувчи элементлар билан легирланган кремний ва кремнийли структураларда нуқсонларнинг ҳосил бўлиш жараёнлари”, 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2019.4.DSc/FM147.
Илмий маслаҳатчи: Мамадалимов Абдугафур Тишабаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор, академик.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти ҳузуридаги DSc.02/30.12.20.19.FM.65.01 илмий кенгаш асосидаги бир марталик илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Арипов Хайрулла Кабилович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Исмайлов Қанатбай Абдреймович, физика-математика фанлари доктори, профессор; Онаркулов Каримберди Эгамбердиевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Наманган давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: қийин эрувчи элементлар киришмалари билан легирланган кремний ва кремнийли структураларда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларини, шунингдек, мазкур жараёнларга баъзи нодир ер элементларининг таъсирини сиғимли спектроскопия, ёруғлик сиғими ва инфрақизил спектроскопия усуллари ёрдамида комплекс ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор сиғимли спектроскопия усуллари (DLTS ва ЁС) ёрдамида кремнийда қийин эрувчи элементлар киришмалари (Mo, W, Ti, Zr ва Hf) ҳосил қилувчи чуқур сатҳларининг энергетик спектрлари идентификация қилинган;
қийин эрувчи элементлар (ҚЭЭ) киришмалари билан кремнийни легирлашнинг физик-кимёвий жиҳатлари ва технологияси ишлаб чиқилган;
ўстириш вақтида кремнийга ҚЭЭ киришмаларини киритишда уларнинг кўпчилиги электр фаол бўлмаслиги ва уларга узоқ муддатли юқори ҳароратли ишловлар берилганда фаоллашиши мумкинлиги аниқланган;
илк бор ҚЭЭ киришмалари билан легирланган кремнийда нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларининг самарадорлиги кремнийни легирлаш усуллари, бошланғич кремний структурасидаги нуқсонлар мукаммаллиги, дастлабки иссиқлик ишлови берилиши ва легирлаш технологик режимларига боғлиқлиги аниқланган;
кремнийда ҚЭЭ киришмалари мавжудлиги радиацион нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнлари самарадорлиги пасайишига олиб келиши, назорат намуналарига нисбатан А-марказларнинг ҳосил бўлиш тезлигини 5-6 маротабага камайтириши ва Е-марказлар ҳосил бўлишига тўсқинлик қилиши аниқланган;
ҚЭЭ киришмалари билан легирланган кремний асосида 3-5 мкм тўлқин узунлиги оралиғида фотосезгирликка, бир текис фотогенерацияга эга бўлган, иссиқликка барқарор ва фотоэлектрик параметрлари такрорланувчи фотоўзгартиргичлар яратиш имконияти аниқланган;
илк бор кремний панжарасида нодир ер элементлари киришмаларининг мавжудлиги ҚЭЭ киришмаларининг эрувчанлигини кескин ошириши ва бир вақтнинг ўзида иссиқлиқ нуқсонлар ҳосил бўлиш самарадорлигини камайиши кузатилган;
ҚЭЭ мавжуд кремнийга нодир ер элементларини киритиш орқали турли бошқариб бўлмайдиган технологик киришмалар учун ички геттер сифатида намоён бўлиши кўрсатилган;
кремнийли МДЯ–структуралар таглигида ҚЭЭ киришмаларининг мавжудлиги МДЯ–структура сирт ҳолатларининг зичлиги ошишига ва Si-SiO2 ажралиш чегарасида мусбат заряд ҳосил бўлишига ва сиртий ҳолатлар тақсимотининг (Nss) тақиқланган зона кенглиги (Еg) бўйича ўзгаришига олиб келиши аниқланган;
ҚЭЭ киришмаларининг заряд боғловчи асбоблар таглигида мавжудлиги сиртий ҳолатлар зичлиги 1 тартибга ва сиртий рекомбинация тезлиги эса оддий заряд боғловчи асбобларга нисбатан 2 маротабага камайиши аниқланган;
диссертация тадқиқотида ривожлантирилган ва асосланган илмий натижалар “Қийин эрувчи элементлар билан легирланган кремний ва кремнийли кўп қатламли структураларда ҳосил бўладиган жараёнларнинг физик асослари” номли янги илмий йўналишни яратиш имконини берган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Қийин эрувчи элементлар ва нодир ер элементлари билан легирланган монокристалл кремний ва кремний структураларида нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнларини ўрганиш натижасида олинган илмий натижалар асосида:
кремний кристаллини ҚЭЭ киришмалари билан легирлаш технологияси ва ҚЭЭ киришмалари ҳамда нодир ер элементларини киритиш орқали бошқарилмайдиган технологик киришмаларни ички геттерлаш усули “FOТON” акционерлик жамиятида электрон техника маҳсулотлари учун тажриба намуналарини ишлаб чиқишда фойдаланилган (“Ўзэлтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2019 йил 24 декабрдаги 04-1/60-сон маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш электрон техника маҳсулотлари тажриба намуналарининг электрофизик параметрларини яхшилаш ва ишончлилигини ошириш имконини берган;
анъанавий бор ва фосфор киришмалари диффузияси жараёнида нодир ер элементларини киритиш ва кремнийда бошқариб бўлмайдиган киришмалар учун нодир ер элементлари геттер хусусиятларини намоён қилиши р+-n-n+- структураларли яримўтказгич диодлар ишлаб чиқариш ОАЖ “Новосибирск яримўтказгичли асбоблар заводи КББ”га жорий этилган (“Новосибирск яримўтказгичли асбоблар заводи КББ” акционерлик жамиятининг 2019 йил 6 декабрдаги 04/401-543-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланиши диодларнинг ишдан чиқиш токларини бир тартибга камайтириш ва қувватни циклик синовларда ҳам ушлаб туриш имконини берган;
кремнийда ҚЭЭ киришмаларининг эрувчанлиги сезиларли даражада ошишининг аниқланиши ва кремний панжарасида нодир ер элементлари аралашмалари иштирокида иссиқлик нуқсонлар ҳосил бўлиш самарадорлигининг бир вақтда пасайиши Ф2-ФА-Ф118 рақамли “Ионлаштирувчи нурланиш детектори сифатида ишлатиладиган оксид ва фторли қаттиқ жисмли материалларида радиациявий рағбатлантирувчи ҳодисалар қонуниятлари” фундаментал лойиҳада BaFI кристалларида радиацион нуқсонлар ҳосил бўлиш жараёнида W киришмалар таъсири натижаларини таҳлил қилишда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2019 йил 5 декабрдаги 2/1255-3184-сон маълумотномаси). Илмий натижаларнинг қўлланилиши радиацион нуқсонлар ҳосил бўлишида W киришмасининг тўсқинлик қилишини аниқлаш имконини берган;
ҚЭЭ билан легирланган кремний асосидаги структураларнинг 3-5 мкм спектр соҳасида фотосезувчанлик хусусиятига эгалиги, юқори термик барқарорлиги, фотогенерация жараёнининг ва фотоэлектрик параметрларнинг барқарорлиги асосида мазкур методикадан фойдаланиб, юқори самарадорликка эга фотоўзгартгичлар яратиш бўйича илмий-техника натижалар А-4-12 рақамли “Наноплазмониканинг эффекти ва улар ёрдамида кремнийли р-n-структураларда фотоэлектрик энергия олиш самарадорлигини ошириш” фундаментал лойиҳасида кремнийли фотоэлектрик р-n-структураларини ишлаб чиқишда фойдаланилган (Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2019 йил 30 ноябрдаги 87-03-4624-сон маълумотномаси). Илмий натижанинг қўлланиши ҚЭЭ билан легирланган кремний асосидаги р-n-структураларда фотоэлектрик энергия олиш самарадорлигини ошириш имконини берган.