Черкесова Наталя Василевнанинг
Фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Беқарорлаштирувчи омилларга  чидамли бўлган МДЙ асбоблари структураларини яратиш ва такомиллаштиришнинг конструктив-технологик жиҳатлари”, 01.04.12 – Наноматериаллар физикаси ва технологияси (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2025.3.DSc/Т955
Илмий маслаҳатчи:  Мустафаев Арслон Гасановач, техника фанлари доктори, профессор. Ашуров Хатам Бахронович, техника фанлари доктори, профессор
Диссертация бажарилган муассаса номи: Диссертация Х.М. Бербеков номидаги Кабардино-Балкар давлат университети электроника ва рақамли ахборот технологиялари кафедрасида ҳамда Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси У.А.Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институтида бажарилган.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.05/25.27.12.FM/Т.09.01
Расмий оппонентлар: Максимов Сергей Эвлантиевич, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академияси У.А. Арифов номидаги Ион-плазма ва лазер технологиялари институти); Тимошенков Сергей Петрович, техника фанлари доктори, профессор, Нано ва микросистемали техника институти директори (Москва), Хасцаев Борис Дзамболатович, техника фанлари доктори, профессор (Шимолий Кавказ тоғ-металлургия институти) (Москва)
Етакчи ташкилот: Доғистон давлат техника университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади: Рақамли комплементар МДЙ структураларини шаклланишнинг технологик жараёнларини такомиллаштириш ва янги ёндошувларни ишлаб чиқиш, уларни беқарорлаштирувчи омилларга нисбатан барқарор қилиш.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
биринчи марта нурланиш ва юқори энергияли электронлар таъсирига чидамли комплементар МДЙ-транзисторларни яратиш технологияси ишлаб чиқилди, бунда очувчи қатлам оксиди азотланиб, кейинчалик оксидланади. Усул РФ патенти билан ҳимояланган;
очувчи қатлам оксидини термик азотланиш ҳарорати ва давомийлиги МДЙ-қурилмалар характеристикаларининг нурланиш ва юқори энергияли электронлар таъсирига чидамлилигига кучли таъсир кўрсатиши аниқланган;
юқори энергияли электронлар инжексиясига чидамли комплементар МДЙ-транзисторлар учун кирувчи ва чиқувчи юқори легирланган ҳамда кам легирланган соҳаларини кетма-кет шакллантириш технологияси ишлаб чиқилган. Усул РФ патенти билан ҳимояланган;
паст контакт қаршиликларига эга бўлган юқори эриш ҳароратли металларга (Ти, Cо, Мо, W, Ни) асосланган контакт-барер металлаштиришни яратиш технологиялари ишлаб чиқилган. Усуллар РФ патентлари билан ҳимояланган;
биринчи марта атомар аралаштириш усули ёрдамида молибден дисилициди (МоСи₂) асосида паст қаршиликли контактларни ҳосил қилишнинг паст ҳароратли технологияси ишлаб чиқилган. Усул РФ патенти билан ҳимояланган;
очувчи қатлам ости диелектрик қалинлигининг камайиши МДП-қурилмаларнинг юқори энергияли электронлар киришига чидамлилигини ошириши аниқланган;
биринчи марта электрон нурланиш таъсирида радиацион нуқсонларни камайтириш мақсадида МДП-тузилмага юқори эриш ҳароратли металлнинг оралиқ юпқа қатламини киритиш технологияси ишлаб чиқилган. Усул РФ патенти билан ҳимояланган;
биринчи марта паст оқиш токларига ва кам нуқсонлиликка эга бўлган очувчи қатлам ости диелектрикларни ҳосил қилишнинг технологик усуллари ишлаб чиқилган. Усуллар РФ патентлари билан ҳимояланган;
биринчи марта қиздириш жараёнида қаршиликнинг юқори барқарорлигига эга бўлган хром–мис–хром тизимидаги ўзаро уланиш металлизациясини яратиш технологияси ишлаб чиқилган. Усул РФ патенти билан ҳимояланган;
биринчи марта радиация таъсирига сезгирлиги камайтирилган очувчи қатлам ости диелектрикни ҳосил қилиш технологияси ишлаб чиқилган, бунда кремний оксиди қатламининг устига кремний нитриди қатлами ётқизилади. Усул РФ патенти билан ҳимояланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши:
Янги контакт-баръер металлизация технологиялари асосида Россия Федерациясида 16 та патент олинган: масалан, «Яримўтказгич қурилмасини ишлаб чиқариш усули» (2594615 С2, 20.08.2016), «Контакт-баръер металлизация усули» (2698540 С1, 28.08.2019), «Силисид яратиш усули» ва бошқа патентлар. Ушбу техник ечимлар ва юқори эриш ҳароратли металлардан биргаликда фойдаланиш МДЙ-тузилмаларининг яхшиланган параметрларини таъминлайди.
Очувчи қатлам ости диелектрик тизимларини яратиш бўйича янги технологик жараёнлар асосида Россия Федерациясида 7 та патент олинган: масалан, «Радиацион-барқарор яримўтказгич қурилмасини ишлаб чиқариш усули» (2785122 С1, 05.12.2022), «Кам легирлаш  билан яримўтказгич қурилмасини ишлаб чиқариш усули» (2831677 С1, 11.12.2024) ва бошқалар. Ушбу техник ечимлар барқарорсизлантирувчи омиллар таъсирида нуқсонлар ва таглик токларини камайтиришни таъминлайди.
МДЙ-тузилмаларни яратиш бўйича янги усуллар асосида Россия Федерациясида 10 та патент олинган: масалан, «Кремний нитриди олиш усули» (2629659 С1, 30.08.2017), «Диелектрик изоляция яратиш усули» (2660212 С1, 05.07.2018), «Яримўтказгич қурилмасини ишлаб чиқариш усули» (2688881 С1, 22.05.2019) ва бошқалар. Ушбу ечимлар ёрдамида МДЙ-тузилмаларда оқиш токларини ва нуқсон зичлигини камайтириш мумкин бўлади.
Янги техник ечимлар ва янги материаллар қўлланилиши асосида Россия Федерациясида 4 та патент олинган: масалан, «Контакт-баръер металлизация усули» (2550586 С1, 10.05.2015), «Яримўтказгич тузилмаларни куйдириш усули» (2567117 С1, 09.07.2015), «Кўп қатламли ўтказгичли яримўтказгич қурилмасини ишлаб чиқариш усули» (2757176 С1, 11.10.2021) ва «Металл боғловчи ишлаб чиқариш усули» (2767154 С1, 16.03.2022). Бу ечимлар паст ҳароратли технологиялар ёрдамида паст қаршиликли контактлар ва юқори барқарорликка эга интерконнексиялар яратишга имкон беради.