Cherkesova Natalya Vasilevnaning
Fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Beqarorlashtiruvchi omillarga  chidamli bo‘lgan MDY asboblari strukturalarini yaratish va takomillashtirishning konstruktiv-texnologik jihatlari”, 01.04.12 – Nanomateriallar fizikasi va texnologiyasi (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.3.DSc/T955
Ilmiy maslahatchi:  Mustafaev Arslon Gasanovach, texnika fanlari doktori, professor. Ashurov Xatam Baxronovich, texnika fanlari doktori, professor
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Dissertatsiya X.M. Berbekov nomidagi Kabardino-Balkar davlat universiteti elektronika va raqamli axborot texnologiyalari kafedrasida hamda O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi U.A.Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari institutida bajarilgan.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.05/25.27.12.FM/T.09.01
Rasmiy opponentlar: Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi U.A. Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti); Timoshenkov Sergey Petrovich, texnika fanlari doktori, professor, Nano va mikrosistemali texnika instituti direktori (Moskva), Xassaev Boris Dzambolatovich, texnika fanlari doktori, professor (Shimoliy Kavkaz tog‘-metallurgiya instituti) (Moskva)
Yetakchi tashkilot: Dog‘iston davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: Raqamli komplementar MDY strukturalarini shakllanishning texnologik jarayonlarini takomillashtirish va yangi yondoshuvlarni ishlab chiqish, ularni beqarorlashtiruvchi omillarga nisbatan barqaror qilish.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
birinchi marta nurlanish va yuqori energiyali elektronlar ta’siriga chidamli komplementar MDY-tranzistorlarni yaratish texnologiyasi ishlab chiqildi, bunda ochuvchi qatlam oksidi azotlanib, keyinchalik oksidlanadi. Usul RF patenti bilan himoyalangan;
ochuvchi qatlam oksidini termik azotlanish harorati va davomiyligi MDY-qurilmalar xarakteristikalarining nurlanish va yuqori energiyali elektronlar ta’siriga chidamliligiga kuchli ta’sir ko‘rsatishi aniqlangan;
yuqori energiyali elektronlar injeksiyasiga chidamli komplementar MDY-tranzistorlar uchun kiruvchi va chiquvchi yuqori legirlangan hamda kam legirlangan sohalarini ketma-ket shakllantirish texnologiyasi ishlab chiqilgan. Usul RF patenti bilan himoyalangan;
past kontakt qarshiliklariga ega bo‘lgan yuqori erish haroratli metallarga (Ti, Co, Mo, W, Ni) asoslangan kontakt-barer metallashtirishni yaratish texnologiyalari ishlab chiqilgan. Usullar RF patentlari bilan himoyalangan;
birinchi marta atomar aralashtirish usuli yordamida molibden disilisidi (MoSi₂) asosida past qarshilikli kontaktlarni hosil qilishning past haroratli texnologiyasi ishlab chiqilgan. Usul RF patenti bilan himoyalangan;
ochuvchi qatlam osti dielektrik qalinligining kamayishi MDP-qurilmalarning yuqori energiyali elektronlar kirishiga chidamliligini oshirishi aniqlangan;
birinchi marta elektron nurlanish ta’sirida radiatsion nuqsonlarni kamaytirish maqsadida MDP-tuzilmaga yuqori erish haroratli metallning oraliq yupqa qatlamini kiritish texnologiyasi ishlab chiqilgan. Usul RF patenti bilan himoyalangan;
birinchi marta past oqish toklariga va kam nuqsonlilikka ega bo‘lgan ochuvchi qatlam osti dielektriklarni hosil qilishning texnologik usullari ishlab chiqilgan. Usullar RF patentlari bilan himoyalangan;
birinchi marta qizdirish jarayonida qarshilikning yuqori barqarorligiga ega bo‘lgan xrom–mis–xrom tizimidagi o‘zaro ulanish metallizatsiyasini yaratish texnologiyasi ishlab chiqilgan. Usul RF patenti bilan himoyalangan;
birinchi marta radiatsiya ta’siriga sezgirligi kamaytirilgan ochuvchi qatlam osti dielektrikni hosil qilish texnologiyasi ishlab chiqilgan, bunda kremniy oksidi qatlamining ustiga kremniy nitridi qatlami yotqiziladi. Usul RF patenti bilan himoyalangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi:
Yangi kontakt-bar’er metallizatsiya texnologiyalari asosida Rossiya Federatsiyasida 16 ta patent olingan: masalan, «Yarimo‘tkazgich qurilmasini ishlab chiqarish usuli» (2594615 S2, 20.08.2016), «Kontakt-bar’er metallizatsiya usuli» (2698540 S1, 28.08.2019), «Silisid yaratish usuli» va boshqa patentlar. Ushbu texnik echimlar va yuqori erish haroratli metallardan birgalikda foydalanish MDY-tuzilmalarining yaxshilangan parametrlarini ta’minlaydi.
Ochuvchi qatlam osti dielektrik tizimlarini yaratish bo‘yicha yangi texnologik jarayonlar asosida Rossiya Federatsiyasida 7 ta patent olingan: masalan, «Radiatsion-barqaror yarimo‘tkazgich qurilmasini ishlab chiqarish usuli» (2785122 S1, 05.12.2022), «Kam legirlash  bilan yarimo‘tkazgich qurilmasini ishlab chiqarish usuli» (2831677 S1, 11.12.2024) va boshqalar. Ushbu texnik echimlar barqarorsizlantiruvchi omillar ta’sirida nuqsonlar va taglik toklarini kamaytirishni ta’minlaydi.
MDY-tuzilmalarni yaratish bo‘yicha yangi usullar asosida Rossiya Federatsiyasida 10 ta patent olingan: masalan, «Kremniy nitridi olish usuli» (2629659 S1, 30.08.2017), «Dielektrik izolyasiya yaratish usuli» (2660212 S1, 05.07.2018), «Yarimo‘tkazgich qurilmasini ishlab chiqarish usuli» (2688881 S1, 22.05.2019) va boshqalar. Ushbu echimlar yordamida MDY-tuzilmalarda oqish toklarini va nuqson zichligini kamaytirish mumkin bo‘ladi.
Yangi texnik echimlar va yangi materiallar qo‘llanilishi asosida Rossiya Federatsiyasida 4 ta patent olingan: masalan, «Kontakt-bar’er metallizatsiya usuli» (2550586 S1, 10.05.2015), «Yarimo‘tkazgich tuzilmalarni kuydirish usuli» (2567117 S1, 09.07.2015), «Ko‘p qatlamli o‘tkazgichli yarimo‘tkazgich qurilmasini ishlab chiqarish usuli» (2757176 S1, 11.10.2021) va «Metall bog‘lovchi ishlab chiqarish usuli» (2767154 S1, 16.03.2022). Bu echimlar past haroratli texnologiyalar yordamida past qarshilikli kontaktlar va yuqori barqarorlikka ega interkonneksiyalar yaratishga imkon beradi.