Аллабергенов Бунёд Фарходовичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармогʻи номи): “ВО2, Га2О3, ЗнС юпқа қатламлари ва БаТиО3 нанозаррачалари киритилган суюқ кристалларидаги фазавий ўтишларни тадқиқ қилиш”, 01.04.04 – Физик электроника (техника фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2024.2.DSc/FM267.
Илмий маслаҳатчи: Кутлиев Учкун Отобоевич, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Абу Райҳон Беруний номидаги Урганч давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.05/2025.27.12.FM/Т.09.01.
Расмий оппонентлар: Усмонов Дилшадбек Турсунбаевич, физика-математика фанлари доктори, профессор,  Бекпулатов Илхом Рустамович, физика-математика фанлари доктори, доцент,  Шаисламов Улугбек Алишерович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим, 
Етакчи ташкилот: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади:
Тадқиқот стехиометрик металл оксиди юпқа қопламалар, нанозаррача киритилган полимер-дисперс суюқ кристаллар ва юқори ёрқин электролюминесанс қурилмаларни ишлаб чиқиш ва уларнинг фазавий ўтишларини, физик-электроник ва оптик хусусиятларини ўрганишга қаратилган.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
ВО2 қопламалардаги В4О9/В2О5 аралаш фазаларининг пайдо бўлиши кислород атомлари стехиометриясига богʻлиқлиги аниқланди. Фазавий ўтиш ҳарорати (43–65 °C) пасайишига ва ўтиш тезлигини ошишига эришилди;
икки ВО2/ТиО2 ва уч ТиО2/ВО2/ТиО2 қатламли конструксиялардаги ТиО2 чегара юзали қатламлари термал гистерезис ҳалқа кенглигини (ҲЛW) 1,9 °C гача камайтириши ва ИҚ модуляциясини (ΔТИҚ ≈ 37%) кучайтириши аниқланди; 
ВО2 юпқа қатламларида кўринадиган диапазондаги (400–750 нм) нур қайтариш модулациясининг биринчи ҳисоботи, иккиламчи қайтариш ва кристалланиш эффектлари билан богʻлиқ бўлган аномал кўк диапазондаги нур қайтариш ўзгаришлари аниқланди; 
СиО2/Си аморф субстратда юқори қувватли электроника ва чуқур ултрабинафша нурланиш фотодетекторлари учун муҳим бўлган юқори ҳароратларда метастабил β→α Га2О3 ўтиш учун эгизак интерфейс таъсир механизми очиқланди. 
рутил ТиО2 нинг қайта кристалланиши ЗнС да паст ҳароратли (700 °C) сфалеритдан wуртзитега ўтишда, қизилдан кўкга фотолуминесанс (ФЛ) силжиш кузатилди; 
8 нм БаТиО3 нанозарралари ПДСК электро-оптик хусусиятларини оптималлаштириши, кучланишни 63% (18,2 В → 6,8 В) ва жавоб вақтини 45% (15,2 мс → 8,4 мс)га камайтириши исботланди.
юқори частоталарда (380 кҲз) БТО қўшилган ПДСКларда ўта тезкор фазавий ўтишга эришилди (вақти: 0,094 с); 
призматик Аг ретрорефлектор кантактли эгилувчан электролуминесанс (ЭЛ) қурилмалари ишлаб чиқилди, ёругʻлик 442% га (1017 cд/м2 гача) оширилди; 
эгилувчан фотодетекторларни ишга тушириш имконини берувчи, созланиши мумкин бўлган тақиқланган зоналари (3.29–3.36 эВ) ва юқори УБ фоторепсиясига эга ИТО/ПЕТ устида ишлаб чиқарилган Мн-лигерланган ЗнС юпқа қатламалар олинди; 
анъанавий ИТО таглик нано ўлчамли Аг юпқа қатламалари билан алмаштирилди (10 Ω/м2, 88% шаффофлик), ЭЛ ёрқинлиги 12% га оширилди.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Металл оксид яримўтказгичли юпқа қатламларни стихометрияси ва уларнинг морфологик, микроструктура, электро-оптик, термохромик хусусиятларини аниқлаш Корея Фан, АКТ ва Режалаштириш Вазирлиги томонидан молиялаштириладиган Даегу Гёнгбук Фан ва Технология Институти (ДГИСТ) нинг асосий тадқиқотлар дастури (17-НТ-01) асосида молиялаштирилган “Ретрорефлектор электродлари бўлган жуда ёрқин эгилувчан электролуминесанс қурилмалар” номли илмий лойиҳада ҳамда Корея Фан, АКТ ва Режалаштириш Вазирлиги томонидан молиялаштириладиган Даегу Гёнгбук Фан ва Технология Институти (ДГИСТ) нинг асосий тадқиқотлар дастури (18-НТ-01) асосида молиялаштирилган “Га2О3 юпқа қатламларда β-Га2О3 дан α-Га2О3 га эгизак индукцияли фазага ўтиш” номли илмий лойиҳаларида фойдаланилган. (Cомфирматион леттер 02.10.2025). Илмий натижалардан фойдаланиш манашу эгилувчан қурилма оптимал наноқатлам кантакт дизайни асосида электролуминесанс ёрқинлигини ошириш, юқори температураларда фазавий ўтиш содир қиладиган юпқа қатламларнинг нуклеация орқали фазавий ўтиш ҳароратини 200-300 °C паст температураларда ўтишини аниқлаш имконини берди. 
Янги ВО2 қатламини ўстириш усули: оддий аморф фазали шиша субстратни 280 °C ҳароратга қиздириб, аралаш аргон (Ар) ва кислород (О2) газли муҳитда магнетрон чанглатиш усули орқали кристалланган ВО2 юпқа қатлам олишга ва унда ΔТИР = 28,42% билан 47 °C (350 °C термик ишлашдан кейин) га қадар паст Тc га, уч қатламли (ТиО2/ВО2/ТиО2) структураларда ҲЛW ни 3 °C гача туширган ва ИҚ модуляцияси (ΔТИР ≈ 37%) яхшиланганлиги, Га2О3 юпқа қатламининг юқори 1020 °C да β → α фазага ўтиш хоссаси 700 °C гача тушириб, турғун қизил фотолуминесcенcе хоссага эришилганлиги “Урганчкорммаш” АЖ да фойдаланилди. (“Урганчкорммаш” АЖ маълумотномаси 05.12.2025 й. №28). Илмий натижалардан фойдаланиш пўлат қуйишда ва уни термик ишлов беришда, полиморфик микроструктуравий ўзгаришларда яъни кристаллар панжарадаги нуқтавий ва чизиқли нуқсонлар(вакансия, суқулиб кириш ва дислакациа)ни 17 %га қадар камайишига, термик ишлов жараёнидан кейингги атомлар орасидаги ўзаро тортишиш ва итарилиш кучлари таъсирида юзага келувчи стресс, кучланишларни 0,54 %га камайтиришга ҳамда пўлатнинг нисбий узайиш мустаҳкамлигини 8,5 %га ошириш имконини берди.
ВО2 қопламалардаги В4О9/В2О5 аралаш фазаларининг пайдо бўлиши кислород атомлари стехиометриясини бошқариш, призматик Аг ретрорефлектор кантактли эгилувчан электролуминесанс қурилмалари ёругʻлигини ошишига доир тадқиқот натижаларидан хорижий тадқиқотчилар (АCС Апплиед Материалс & Интерфаcес 2022, 14(2), 2683-2690, ИФ=8.2; Жоурнал оф Луминесcенcе 2020, 220, 117015, ИФ=15.2; Натуре Cоммуниcатионс 12, 1, 2021, ИФ=15.7) ВО2 асосидаги ажойиб динамик иссиқлик бошқаруви самарадорлигига эга инфрақизил нурланиш регулятори ва рух-сулфид кукуни билан тайёрланган ДC ток билан ишлайдиган электролюминесанс қурилманинг ёрқинлигини оширишда фойдаланилган. Мазкур натижалардан фойдаланиш пиксел бирликлари, интерактив қайта ёзиладиган дисплейлар ва оптик чиқиш сенсорларини амалга ошириш учун уч фазали электр энергияси билан ишлайдиган электролюминесанс қурилмаларини барқарорлигини ошириш имконини берган.