Allabergenov Bunyod Farxodovichning
fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmogʻi nomi): “VO2, Ga2O3, ZnS yupqa qatlamlari va BaTiO3 nanozarrachalari kiritilgan suyuq kristallaridagi fazaviy o‘tishlarni tadqiq qilish”, 01.04.04 – Fizik elektronika (texnika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2024.2.DSc/FM267.
Ilmiy maslahatchi: Kutliev Uchkun Otoboevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Abu Rayhon Beruniy nomidagi Urganch davlat universiteti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.05/2025.27.12.FM/T.09.01.
Rasmiy opponentlar: Usmonov Dilshadbek Tursunbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor,  Bekpulatov Ilxom Rustamovich, fizika-matematika fanlari doktori, dotsent,  Shaislamov Ulugbek Alisherovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim, 
Yetakchi tashkilot: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi:
Tadqiqot stexiometrik metall oksidi yupqa qoplamalar, nanozarracha kiritilgan polimer-dispers suyuq kristallar va yuqori yorqin elektrolyuminesans qurilmalarni ishlab chiqish va ularning fazaviy o‘tishlarini, fizik-elektronik va optik xususiyatlarini o‘rganishga qaratilgan.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
VO2 qoplamalardagi V4O9/V2O5 aralash fazalarining paydo bo‘lishi kislorod atomlari stexiometriyasiga bogʻliqligi aniqlandi. Fazaviy o‘tish harorati (43–65 °C) pasayishiga va o‘tish tezligini oshishiga erishildi;
ikki VO2/TiO2 va uch TiO2/VO2/TiO2 qatlamli konstruksiyalardagi TiO2 chegara yuzali qatlamlari termal gisterezis halqa kengligini (HLW) 1,9 °C gacha kamaytirishi va IQ modulyasiyasini (ΔTIQ ≈ 37%) kuchaytirishi aniqlandi; 
VO2 yupqa qatlamlarida ko‘rinadigan diapazondagi (400–750 nm) nur qaytarish modulatsiyasining birinchi hisoboti, ikkilamchi qaytarish va kristallanish effektlari bilan bogʻliq bo‘lgan anomal ko‘k diapazondagi nur qaytarish o‘zgarishlari aniqlandi; 
SiO2/Si amorf substratda yuqori quvvatli elektronika va chuqur ultrabinafsha nurlanish fotodetektorlari uchun muhim bo‘lgan yuqori haroratlarda metastabil β→α Ga2O3 o‘tish uchun egizak interfeys ta’sir mexanizmi ochiqlandi. 
rutil TiO2 ning qayta kristallanishi ZnS da past haroratli (700 °C) sfaleritdan wurtzitega o‘tishda, qizildan ko‘kga fotoluminesans (FL) siljish kuzatildi; 
8 nm BaTiO3 nanozarralari PDSK elektro-optik xususiyatlarini optimallashtirishi, kuchlanishni 63% (18,2 V → 6,8 V) va javob vaqtini 45% (15,2 ms → 8,4 ms)ga kamaytirishi isbotlandi.
yuqori chastotalarda (380 kHz) BTO qo‘shilgan PDSKlarda o‘ta tezkor fazaviy o‘tishga erishildi (vaqti: 0,094 s); 
prizmatik Ag retroreflektor kantaktli egiluvchan elektroluminesans (EL) qurilmalari ishlab chiqildi, yorugʻlik 442% ga (1017 cd/m2 gacha) oshirildi; 
egiluvchan fotodetektorlarni ishga tushirish imkonini beruvchi, sozlanishi mumkin bo‘lgan taqiqlangan zonalari (3.29–3.36 eV) va yuqori UB fotorepsiyasiga ega ITO/PET ustida ishlab chiqarilgan Mn-ligerlangan ZnS yupqa qatlamalar olindi; 
an’anaviy ITO taglik nano o‘lchamli Ag yupqa qatlamalari bilan almashtirildi (10 Ω/m2, 88% shaffoflik), EL yorqinligi 12% ga oshirildi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Metall oksid yarimo‘tkazgichli yupqa qatlamlarni stixometriyasi va ularning morfologik, mikrostruktura, elektro-optik, termoxromik xususiyatlarini aniqlash Koreya Fan, AKT va Rejalashtirish Vazirligi tomonidan moliyalashtiriladigan Daegu Gyongbuk Fan va Texnologiya Instituti (DGIST) ning asosiy tadqiqotlar dasturi (17-NT-01) asosida moliyalashtirilgan “Retroreflektor elektrodlari bo‘lgan juda yorqin egiluvchan elektroluminesans qurilmalar” nomli ilmiy loyihada hamda Koreya Fan, AKT va Rejalashtirish Vazirligi tomonidan moliyalashtiriladigan Daegu Gyongbuk Fan va Texnologiya Instituti (DGIST) ning asosiy tadqiqotlar dasturi (18-NT-01) asosida moliyalashtirilgan “Ga2O3 yupqa qatlamlarda β-Ga2O3 dan α-Ga2O3 ga egizak induksiyali fazaga o‘tish” nomli ilmiy loyihalarida foydalanilgan. (Comfirmation letter 02.10.2025). Ilmiy natijalardan foydalanish manashu egiluvchan qurilma optimal nanoqatlam kantakt dizayni asosida elektroluminesans yorqinligini oshirish, yuqori temperaturalarda fazaviy o‘tish sodir qiladigan yupqa qatlamlarning nukleatsiya orqali fazaviy o‘tish haroratini 200-300 °C past temperaturalarda o‘tishini aniqlash imkonini berdi. 
Yangi VO2 qatlamini o‘stirish usuli: oddiy amorf fazali shisha substratni 280 °C haroratga qizdirib, aralash argon (Ar) va kislorod (O2) gazli muhitda magnetron changlatish usuli orqali kristallangan VO2 yupqa qatlam olishga va unda ΔTIR = 28,42% bilan 47 °C (350 °C termik ishlashdan keyin) ga qadar past Tc ga, uch qatlamli (TiO2/VO2/TiO2) strukturalarda HLW ni 3 °C gacha tushirgan va IQ modulyasiyasi (ΔTIR ≈ 37%) yaxshilanganligi, Ga2O3 yupqa qatlamining yuqori 1020 °C da β → α fazaga o‘tish xossasi 700 °C gacha tushirib, turg‘un qizil fotoluminescence xossaga erishilganligi “Urganchkormmash” AJ da foydalanildi. (“Urganchkormmash” AJ ma’lumotnomasi 05.12.2025 y. №28). Ilmiy natijalardan foydalanish po‘lat quyishda va uni termik ishlov berishda, polimorfik mikrostrukturaviy o‘zgarishlarda ya’ni kristallar panjaradagi nuqtaviy va chiziqli nuqsonlar(vakansiya, suqulib kirish va dislakatsia)ni 17 %ga qadar kamayishiga, termik ishlov jarayonidan keyinggi atomlar orasidagi o‘zaro tortishish va itarilish kuchlari ta’sirida yuzaga keluvchi stress, kuchlanishlarni 0,54 %ga kamaytirishga hamda po‘latning nisbiy uzayish mustahkamligini 8,5 %ga oshirish imkonini berdi.
VO2 qoplamalardagi V4O9/V2O5 aralash fazalarining paydo bo‘lishi kislorod atomlari stexiometriyasini boshqarish, prizmatik Ag retroreflektor kantaktli egiluvchan elektroluminesans qurilmalari yorugʻligini oshishiga doir tadqiqot natijalaridan xorijiy tadqiqotchilar (ACS Applied Materials & Interfaces 2022, 14(2), 2683-2690, IF=8.2; Journal of Luminescence 2020, 220, 117015, IF=15.2; Nature Communications 12, 1, 2021, IF=15.7) VO2 asosidagi ajoyib dinamik issiqlik boshqaruvi samaradorligiga ega infraqizil nurlanish regulyatori va rux-sulfid kukuni bilan tayyorlangan DC tok bilan ishlaydigan elektrolyuminesans qurilmaning yorqinligini oshirishda foydalanilgan. Mazkur natijalardan foydalanish piksel birliklari, interaktiv qayta yoziladigan displeylar va optik chiqish sensorlarini amalga oshirish uchun uch fazali elektr energiyasi bilan ishlaydigan elektrolyuminesans qurilmalarini barqarorligini oshirish imkonini bergan.