Ҳаққулов Маъруф Келдиёрович
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Рух ва олтингугурт элементлари иштирокидаги бинар нанокластерли кремнийнинг электрофизик ва фотоелектрик хоссалари” мавзусидаги 01.04.10 - Яримўтказгичлар физикаси  (физика - математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2020.2.PhD/FM450
Илмий раҳбар: Зикриллаев Нурилло Фатхуллаевич, физика - математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Абу Райҳон Беруний номидаги Урганч давлат университети ҳузуридаги илмий даражалар берувчи PhD.03/2025.27.12.FM.06.03 рақамли илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Тургунов Нозимжон Абдуманнопович, ф.-м.ф.д., профессор, подполковник – Ички ишлар вазирлиги Академияси, Атаубаева Акгумис Берисбаевна, ф.-м.ф.д., доцент – Бердақ номидаги Қорақалпоқ давлат университети
Йетакчи ташкилот: Заҳириддин Муҳаммад Бобур номидаги Андижон давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Диссертация ишининг мақсади: кремнийда рух ва олтингугурт киришма атомларининг  бинар нанокластерларини шаклланишининг термодинамик шартларини аниқлаш ҳамда уларнинг электрофизик, фотоелектрик ва оптик хоссаларини ўрганишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
илк бор олмос тузилишли монокристалл кремний панжарасида рух (Зн) ва олтингугурт (С) атомларининг тетраедрик тузлишига асосланган СиЗнС турдаги бинар нанокластерларининг шаклланишини тавсифловчи модел ишлаб чиқилган;
монокристалл кремнийга олтингугурт (С) киришма атомларини киритиш жараёнида диффузантнинг газ-буғ ҳолатидаги босимини бошқариб сирти эрозия бўлмаган кремний олишнинг диффузион технологияси яратилган;
рух (Зн) ва олтингугурт (С) киришма атомлари билан легирланган кремний намуналари Т = 600÷1000 ℃ ҳароратлар оралиғида қўшимча ишлов берилганда, Т = 850÷875 ℃ ҳарорат оралиғи ЗнС бинар нанокластерларнинг кремнийда шаклланиши учун энг мақбул (оптимал) термодинамик шароит эканлиги ҳамда Т > 875 ℃ дан юқори ҳароратларда ЗнС бинар нанокластерларнинг парчаланиши яъни ҳосил бўлган бирикмаларни парчаланиб алоҳида-алоҳида атомларга ажралиши аниқланган;
илк бор рух сулфид (ЗнС) бинар нанокластерлар мавжуд кремний намунасининг тақиқланган соҳа энергиясининг қиймати бошланғич кремнийни тақиқланган соҳа энергиясига нисбатан 17 % га катталашиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. ЗнС бинар нанокластерлари мавжуд кремнийнинг фундаментал параметрларини сонли ҳисоблаш ҳамда Зн ва С билан легирланган монокристалл кремнийнинг электрофизик ва фотоелектрик параметрларини тажрибада ўрганиш асосида:
Рух ва олтингугурт киришма атомларини кремнийга газ ҳолатидан диффузия қилишда ишлаб чиқилган янги технологик усул “ФОТОН” Акциядорлик Жамиятида сезгирлиги юқори бўлган кремний асосидаги фотодиодларни яратишда фойдаланилган (“Ўзелтехсаноат” акциядорлик компаниясининг 2021 йил 26 ноябрдаги 04-3/2504 сон маълумотномаси). Илмий натижаларни амалиётда қўллаш асосида ишлаб чиқилган фотодиодларни ютилиш коеффициентини 15 % гача оширишга эришилган.
Кремний монокристаллида рух ва олтингугурт киришма атомлари иштирокида ЗнС бинар нанокластерларнинг шаклланишини ўрганиш натижалари Тошкент давлат техника университетининг Давлат фундаментал-тадқиқот дастурлари доирасида 2017–2020-йилларда олиб борилган ОТ-Ф2-50-сонли “Кремний панжарасида АИИБВИ ва АИИИБВ яримўтказгич бирикмаларнинг элементар ячейкаларини шаклланишининг илмий асосларини ишлаб чиқиш – фотоенергетика ва фотоника учун истиқболли материаллар олишдаги янги ёндашув” мавзусидаги фундаментал тадқиқот лойиҳасида амалиётга жорий этилган (Ўзбекистон Республикаси Олий таълим, фан ва инновациялар вазирлигининг 2023-йил 15-июндаги 2/14-29/289-18-сон маълумотномаси). Натижада АИИБВИ ва АИИИБВ турдаги бинар нанокластерли кремний материаллари олинган ҳамда тақиқланган соҳа кенглигини Эг = 1,112 эВ дан Эг = 1,45 эВ гача кенгайтириш орқали фотоелементлар самарадорлигини оширишга эришилган.