Bokiev Baxodir Raximalievichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): 
“Izovalent elementlar kirishmalari bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlari”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2022.1.PhD/FM692.
Ilmiy rahbar: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy Universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy tadqiqot instituti. faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/2025.27.12.FM/T.01.06.
Rasmiy opponentlar: Dauletmuradov Boribay Koptleuvovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Rasulov Vohob Rustamovich, fizika-matematika fanlari doktori, dots; 
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona davlat tehnika universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: Nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: 
izovalent elementlari kirishmalari bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlarini tadqiq qilish, ularning elektrofizik xususiyatlarini optimallashtirish hamda yarimo‘tkazgichli strukturalarning tashqi ta’sirlarga chidamliligini oshirish usullarini takomillashtirishdan iborat. 
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor 1000÷1100oC haroratda termik ishlov berilgan kremniy namunalari ning monokristallik darajasini kamayishi va kristall panjarada yuqori potensialli sohalar shakllanishi aniqlangan. 
ilk  bor Sn va Ge bilan legirlangan Si namunalar tarkibida qalay va germaniy atomlari mavjud 9,1 va 8 nm o‘lchamli nanonuqsonlari shakllanishi aniqlangan;
ilk bor n-Si<Sn> asosida tayyorlangan Shottki to‘sig‘li strukturalarda harorat 300 K dan 77 K gacha pasayganda donor faol markazlar konsentratsiyasi 1.8×10¹⁵ sm⁻³ dan 5.3×10¹⁴ sm⁻³ gacha taxminan 3,4 marta kamayishi, hajmiy zaryad qatlamining kengligi 0.8–2.1 µm dan 1.6–3.8 µm gacha 1,86 marta ortishi va ichki potensial 0.75 V dan 1.05 V gacha o‘sishi, sig‘imning ≈46 % ga kamayishi aniqlangan;
n-Si<Ge> namunalarida aksincha 77 K da donor faolligi oshishi kuzatilib, 300K dan 77 K gacha pasayganda donor konsentratsiyasi 1.3×10¹⁴ sm⁻³ dan 5.3×10¹⁴ sm⁻³ gacha taxminan 4,1 marta oshishi, hajmiy zaryad qatlamining kengligi 2.17-7.50 µm dan 3.14–8.51 µm gacha 1,21 marta kengayishi aniqlangan;    
ilk bor DLTS spektroskopiya yordamida n-Si<Sn> namunalarida Ec−0.34 eV, 
n-Si<Ge> namunalarida esa Ec−0.36 eV energiyali chuqur sathlar aniqlangan
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Monokristallik kremniyda nuqson hosil bo‘lish xususiyatlarini o‘rganish, ya’ni izovalent elementlarining kirishmalari bilan legirlangan kremniyda chuqur nuqson markazlarining hosil bo‘lish jarayonlarini tadqiq etish, turli nazoratsiz texnologik kirishmalarning izovalent elementlarining kirishmalari bilan kremniyda chuqur markazlarning hosil bo‘lish jarayonlariga ta’siri bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
Dissertatsiya ishida olingan izovalent elementlarining kirishmalari hosil qilgan chuqur energetik sathlar va ular hosil qiladigan nuqsonli komplekslar kabi ilmiy natijalar FOTON AJ da ishlab chiqarishda joriy etilgan (“FOTON” AJ uyushmasining 2025-yil 12-dekabrdagi 449-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish yuqori quvvatli diod asosidagi nazorat namunalarining harorat va radiatsiyaga bardoshliligini hamda ishlash muddatini 10 % gacha oshirish imkonini bergan. 
Dissertatsiya bajarishda olingan ilmiy natijalardan materiallar fizikasi va texnologiyasi sohasidagi ilmiy hamkorlik doirasida Belarus Respublikasi Fanlar milliy akademiyasining Materialshunoslik bo‘yicha ilmiy-amaliy markazi davlat ilmiy-ishlab chiqarish birlashmasi hamda O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti o‘rtasidagi 2021-yil 1-sentyabrda imzolangan Memorandum ijrosi doirasida qo‘llanilgan. Natijada Belarus Respublikasi davlat ilmiy tadqiqotlar dasturining 2021–2025-yillarga mo‘ljallangan 1.3.1-topshirig‘ini (davlat ro‘yxat raqami 20210549) bajarish imkonini bergan. Ge va Sn izovalent kirishmalari bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lishining o‘ziga xos xususiyatlari, chuqur energetik sathlar hamda sirt notekisliklarining shakllanishiga oid natijalar Materialshunoslik bo‘yicha ilmiy-amaliy markaziga (Belarus Respublikasi) joriy etilgan. Natijada kremniy asbob tuzilmalarining elektr-fizik xossalariga ta’sirini aniqlash hamda Shottki tuzilmalarini loyihalash sifatini oshirish imkonini bergan.