Matchonov Husniddin Jamoladdinovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. 
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): 
“O‘tuvchi elementlar bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlariga hajmdagi notekisliklar ta’siri”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2021.1.PhD/FM581.
Ilmiy rahbar: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Milliy Universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/2025.27.12.FM/T.01.06.
Rasmiy opponentlar: Otajonov Salimjon Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Turgunov Nozimjon Abdumannopovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; 
Yetakchi tashkilot: Andijon davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: Nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi: 
O‘tuvchi elementlar bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlariga hajmdagi notekisliklar (nodir er elementlari)  ta’sirini kompleks tadqiq qilishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor chuqur sathlar nostatsionar sig‘imli spektroskopiyasi, Raman spektroskopiyasi, rentgen nurlarining difraksiyasi, skanerlovchi elektron mikroskopiya hamda energiya dispersiyali spektroskopiya usullari yordamida Si<Gd,Mn> va Si<Er,Cr>  namunalar hajmida hosil bo‘luvchi chuqur sathlarining energetik spektrlari va strukturaviy nuqsonlar  identifikatsiya qilingan;
ilk bor aniqlandiki, marganets bilan legirlangan kremniyda gadoliniy atomlari mavjudligi Mn bilan bog‘liq Ec-0,42 eV va Ec-0,54 eV chuqur sathlar konsentratsiyasini oshirgan, mazkur qonuniyat Si<Er, Cr> tizimlarida ham tasdiqlangan;
ilk bor rentgen nurlarining difraksiyasi natijalari asosida Mn kiritilgan Si namunalarida SiO₂ (~65-72 nm), Si-Mn (~43 nm) va MnO (~37-51 nm) geterofazalar shakllanishi hamda ularning silitsid–Si  va Si–SiOx   chegaralarida interfeys-tutqichlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
ilk bor infraqizil spektroskopiyasi va rentgen nurlarining difraksiyasi asosida Si<Mn> va Si<Cr>  namunalar hajmida optik faol kislorod konsentratsiyasining 20-30% ga kamayishi va kislorodli komplekslarning qayta taqsimlanishi aniqlangan;
kompleks tahlillar asosida termik ishlov haroratiga bog‘liq fazalar  T≤600ºC - amorflanish; 600-750ºC - MnSi; 800-950ºC - Mn4Si7 shakllanishi aniqlangan;
ilk bor Gd bilan legirlangan kremniyning Raman spektrlarida 68-1610 sm-1 diapazonda yangi lokal tebranish modalarining shakllanishi va ularning intensivligi Gd konsentratsiyasi ortishi bilan o‘sishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
O‘tuvchi elementlar bilan legirlangan kremniyda nuqsonlar hosil bo‘lish jarayonlariga hajmdagi notekisliklar (nodir er elementlari)  ta’sirini kompleks tadqiq qilishda olingan ilmiy natijalar asosida: 
Tadqiqot doirasida hosil bo‘lgan chuqur energetik sathlar va ular hosil qiladigan nuqsonli komplekslar kabi ilmiy natijalar “FOTON” AJ da da ishlab chiqarishda joriy etilgan (“FOTON” AJ uyushmasining 2025-yil 3-dekabrdagi 450-son ma’lumotnomasi). Yuqori konsentratsiyali Mn₄Si₇ silisid interfeysidagi nuqsonlarning zaryadlangan zarrachalarning yutish yuzasi bilan muvofiq o‘zgarishi hisobiga diod va tranzistor strukturalarining barqarorligi hamda talab etiladigan elektrofizik ishchi parametrlari ta’minlandi va tajriba namunalarida ishlash muddati 15% gacha oshgan. 
Faza hosil bo‘lish jarayonlari, chuqur sathlar spektrlari va zaryad tashuvchilarning tutib olish mexanizmlari kabi ilmiy natijalar Malayziya Xalqaro Islom universitetida bajarilgan FRGS19-039-0647 loyihasini bajarishda joriy etilgan (Malayziya Xalqaro Islom universitetining 2025-yil 7-noyabrdagi 044-koe-25-son ma’lumotnomasi). Dissertatsiya natijalari asosida tavsiya etilgan rejimlarda tayyorlangan Mn bilan legirlangan Si asosidagi datchiklar, MDYa-tuzilmalar hamda termoelektrik va optoelektron qurilmalarni tashqi ta’sirlarga elektrofizik parametrlarning yuqori barqarorligi, xalqaro analoglar darajasidagi takrorlanuvchanlik va xossalarining sezilarli yaxshilanganini namoyon etgan.