Atamuratov Atabek Egamberdievichning

fan doktori (DSc) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.

Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): «Dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasi xossalariga tashqi omillar ta’siri va mikrometrli va nanometrli MDYa tranzistorlar xarakteristikalarini modellashtirish», 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).

Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2017.3.DSc/FM97.

Ilmiy maslahatchi: Yusupov Axmad, fizika-matematika fanlari doktori, professor.

Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Urganch davlat universiteti.

IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasalar nomi, IK raqami: Fizika-texnika instituti, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.

Rasmiy opponentlar: Antonio Garsia Loureyro, fan doktori, professor (Ispaniya); Karimov Ibroxim Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori; Gulyamov Abdurasul Gafurovich, fizika-matematika fanlari doktori.

Yetakchi tashkilot: Qoraqalpoq davlat universiteti.

Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.

II. Tadqiqotning maqsadi: yuqori energiyali tormozli nurlanishning ta’siri ostida dielektrik-yarimo‘tkazgich chegarasi va mikrometr va nanometr o‘lchamli MDYa asboblari xarakteristikalari o‘zgarishini aniqlash hamda nanotuzilmalar shakllanish mexanizmlarini o‘rnatishdan iborat.

III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi:

MDYa tranzistoriga So-60 manba gamma-kvantlari ta’siridagi kabi yuqori energiyali tormozlovchi nurlar ta’sirida ham  bo‘sag‘a kuchlanishning oksid qatlamida qamralgan zaryad bilan bog‘liq tashkil etuvchisi monoton ortib, energiya ko‘chirilishining 10³ Dj/sm² dan  yuqoriroq qiymatlarida to‘yinishga erishishi ilk bor ko‘rsatilgan;

kremniyli MDYa tranzistorga bir vaqtning o‘zida yuqori energiyali tormozlovchi nurlanish va oksid qatlamiga yo‘naltirilgan elektr maydon qo‘yilganda kremniy oksidi-kremniy chegarasi bo‘ylab zaryadning notekis to‘planishi aniqlangan;

MDYa tranzistorni So-60 gamma-kvantlari bilan nurlantirish vaqtida zatvorga stokka nisbatan +10 V kuchlanish berilganda stok-taglik o‘tishining teshilish kuchlanishi-30 V dan -5 V gacha o‘zgarishi va istok-taglik o‘tishining teshilish kuchlanishi deyarli o‘zgarmasligi aniqlangan;

ilk bor MDYa tranzistorni So-60 gamma-kvantlari bilan nurlantirish  vaqtida o‘zida istokka, stokga nisbatan ±10 V kuchlanish qo‘yilganda dielektrik qatlamida zaryadlarning notekis taqsimlanishi sababli istok-taglik o‘tish vol`tfarad xarakteristikasining qo‘yilgan kuchlanishning ishorasiga va nurlanish dozasiga bog‘liq ravishda o‘zgarishi aniqlangan;

Si-SiO₂ tuzilmaning SiO₂ sirtiga yo‘naltirilgan atom kuchli mikroskopi asosidagi Kel`vin probasi zondiga tuzilmaning n-Si tagligiga nisbatan 15 daqiqa vaqt davomida,  kontaktsiz moddada,  +10 V kuchlanish  berish orqali  oksid qatlamiga chiziqli o‘lchami 1000 nm tartibdagi zaryadlar kiritish (yozish)  mumkinligi ko‘rsatilgan;

oksid qatlamida taqsimlangan zaryadlarga ega bo‘lgan silindrik shakldagi dielektrik-yarimo‘tkazgich tuzilmasining yarimo‘tkazgich sohasidagi potensial taqsimoti va uning oksid qatlamidagi zaryadlar taqsimotiga bog‘lanish ifodalari aniqlangan;

ilk bor metall-nitrid-oksid-yarimo‘tkazgich (MNOYa) tranzistorining nitrid qatlamiga lokal zaryadlar kiritilganda yon o‘tish vol`tfarad xarakteristikasining o‘zgarishi modellashtirilgan hamda kiritilgan lokal zaryadlar yon istok-taglik o‘tish sig‘imining sakrab ortishiga olib kelishi  va sakrash kuchlanishining lokal zaryadlarning istokka nisbatan vaziyatiga bog‘liq ekanligi ko‘rsatilgan.

IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.

Ionizatsiyalovchi nurlanishning termik va termik-maydon ishlov berishning MDYa tranzistor kirish va o‘tish xarakteristikalariga, yon o‘tishlarining vol`tamper va vol`tfarad xarakteristikalariga ta’sirini aniqlash hamda dielektrik qatlamdagi zaryadning notekis taqsimlanishining yon o‘tishlarning vol`tfarad xarakteristikalariga ta’sirini modellashtirish asosida:

MNOYa tranzistorining nitrid qatlamiga lokal zaryad kiritilganda yon o‘tish vol`tfarad xarakteristikasining o‘zgarishini modellashtirish bo‘yicha olingan natijalar Ispaniya Santiago de Kompostella universitetining Smart texnologiyalar bo‘yicha Singulyar tadqiqotlar markazida (CITIUS) bajarilgan «Ilgarilagan yarimo‘tkazgich asboblarni modellashtirish va hisoblash vositalarini yaratish: xususiy parametrlarni fluktuatsiyasini o‘rganish uchun qo‘llash» loyihasida ilgarilagan maydoniy tranzistorlarni modellashtirishda qo‘llanilgan (Smart texnologiyalar bo‘yicha Singulyar tadqiqotlar markazining 2019 yil 29 apreldagi ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish nanoo‘lchamdagi maydoniy tranzistorlarni, xususan vertikal maydoniy tranzistorlarning xarakteristikalariga ichki parametrlar fluktuatsiyasi ta’sirini modellashtirish imkonini bergan;

So-60 manbasi ionizatsiyalovchi gamma-kvantlari va elektr maydoni ta’sirida MDYa tranzistorning dielektrik qatlamiga kiritilgan zaryadlar taqsimoti istok-taglik p-n o‘tishning teskari vol`tamper va vol`tfarad xarakteristikalarini, sizish tokini va teshilish kuchlanishini o‘zgartirishi bo‘yicha natijalari «Legirlangan kremniy sirti va hajmidagi kvant o‘lchamli effektlar hamda ularning p-n-strukturalardagi zaryad tashuvchilar fotogeneratsiya va rekombinatsiya jarayonlariga ta’siri» fundamental loyihasida kremniy asosidagi p-n o‘tishlarda zaryad tashuvchilar fotogeneratsiya jarayonlarini o‘rganishda qo‘llanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligining 2018 yil 20 dekabrdagi  89-03-4389-son ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarni qo‘llash p-n o‘tishdagi tok tashuvchilar fotogeneratsiya jarayonlariga kristall sirt effektlarining ta’sirini tushuntirish imkonini bergan;

Kel`vin probasi uslubida zaryadlangan oksid qatlami sirti va  yarimo‘tkazgichning qutblangan sirtlarini tajribaviy o‘rganish natijalari, xorijiy jurnallarda (Journal of Physics and Chemistry of Solids, 89, 7-14, 2016, IF: 2.207; Journal of Crystal Growth, 510, 56-64, 2019, IF 1.742; Materials Science in Semiconductor Processing, 55, 32-45, 2016, IF: 2.593  va boshqalar) nanometer masshtabidagi yarimo‘tkazgich namunalar sirtida yuzaga keladigan lokal elektr potensiallarni o‘lchashda, turli yarimo‘tkazgich sirtlarida har xil materiallardan nanoiplarni o‘stirish pog‘onalarini o‘rganishda foydalanilgan. Ilmiy natijalardan foydalanish turli shakldagi yarimo‘tkazgich nanotuzilmalarni olish usullarini rivojlantirish imkonini bergan.