Атамуратов Атабек Эгамбердиевичнинг
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон
I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): «Диэлектрик-яримўтказгич чегараси хоссаларига ташқи омиллар таъсири ва микрометрли ва нанометрли МДЯ транзисторлар характеристикаларини моделлаштириш», 01.04.10–Яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2017.3.DSc/FM97.
Илмий маслаҳатчи: Юсупов Ахмад, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Урганч давлат университети.
ИК фаолият кўрсатаётган муассасалар номи, ИК рақами: Физика-техника институти, DSc.30.05.2018.FM/T.34.01.
Расмий оппонентлар: Антонио Гарсиа Лоурейро, фан доктори, профессор (Испания); Каримов Иброхим Набиевич, физика-математика фанлари доктори; Гулямов Абдурасул Гафурович, физика-математика фанлари доктори.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ давлат университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: юқори энергияли тормозли нурланишнинг таъсири остида диэлектрик-яримўтказгич чегараси ва микрометр ва нанометр ўлчамли МДЯ асбоблари характеристикалари ўзгаришини аниқлаш ҳамда нанотузилмалар шаклланиш механизмларини ўрнатишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
МДЯ транзисторига Со-60 манба гамма-квантлари таъсиридаги каби юқори энергияли тормозловчи нурлар таъсирида ҳам бўсаға кучланишнинг оксид қатламида қамралган заряд билан боғлиқ ташкил этувчиси монотон ортиб, энергия кўчирилишининг 103 Дж/см2 дан юқорироқ қийматларида тўйинишга эришиши илк бор кўрсатилган;
кремнийли МДЯ транзисторга бир вақтнинг ўзида юқори энергияли тормозловчи нурланиш ва оксид қатламига йўналтирилган электр майдон қўйилганда кремний оксиди-кремний чегараси бўйлаб заряднинг нотекис тўпланиши аниқланган;
МДЯ транзисторни Со-60 гамма-квантлари билан нурлантириш вақтида затворга стокка нисбатан +10 В кучланиш берилганда сток-таглик ўтишининг тешилиш кучланиши-30 В дан -5 В гача ўзгариши ва исток-таглик ўтишининг тешилиш кучланиши деярли ўзгармаслиги аниқланган;
илк бор МДЯ транзисторни Со-60 гамма-квантлари билан нурлантириш вақтида ўзида истокка, стокга нисбатан ±10 В кучланиш қўйилганда диэлектрик қатламида зарядларнинг нотекис тақсимланиши сабабли исток-таглик ўтиш вольтфарад характеристикасининг қўйилган кучланишнинг ишорасига ва нурланиш дозасига боғлиқ равишда ўзгариши аниқланган;
Si-SiO2 тузилманинг SiO2 сиртига йўналтирилган атом кучли микроскопи асосидаги Кельвин пробаси зондига тузилманинг n-Si таглигига нисбатан 15 дақиқа вақт давомида, контактсиз моддада, +10 В кучланиш бериш орқали оксид қатламига чизиқли ўлчами 1000 нм тартибдаги зарядлар киритиш (ёзиш) мумкинлиги кўрсатилган;
оксид қатламида тақсимланган зарядларга эга бўлган цилиндрик шаклдаги диэлектрик-яримўтказгич тузилмасининг яримўтказгич соҳасидаги потенциал тақсимоти ва унинг оксид қатламидаги зарядлар тақсимотига боғланиш ифодалари аниқланган;
илк бор металл-нитрид-оксид-яримўтказгич (МНОЯ) транзисторининг нитрид қатламига локал зарядлар киритилганда ён ўтиш вольтфарад характеристикасининг ўзгариши моделлаштирилган ҳамда киритилган локал зарядлар ён исток-таглик ўтиш сиғимининг сакраб ортишига олиб келиши ва сакраш кучланишининг локал зарядларнинг истокка нисбатан вазиятига боғлиқ эканлиги кўрсатилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Ионизацияловчи нурланишнинг термик ва термик-майдон ишлов беришнинг МДЯ транзистор кириш ва ўтиш характеристикаларига, ён ўтишларининг вольтампер ва вольтфарад характеристикаларига таъсирини аниқлаш ҳамда диэлектрик қатламдаги заряднинг нотекис тақсимланишининг ён ўтишларнинг вольтфарад характеристикаларига таъсирини моделлаштириш асосида:
МНОЯ транзисторининг нитрид қатламига локал заряд киритилганда ён ўтиш вольтфарад характеристикасининг ўзгаришини моделлаштириш бўйича олинган натижалар Испания Сантиаго де Компостелла университетининг Смарт технологиялар бўйича Сингуляр тадқиқотлар марказида (CITIUS) бажарилган «Илгарилаган яримўтказгич асбобларни моделлаштириш ва ҳисоблаш воситаларини яратиш: хусусий параметрларни флуктуациясини ўрганиш учун қўллаш» лойиҳасида илгарилаган майдоний транзисторларни моделлаштиришда қўлланилган (Смарт технологиялар бўйича Сингуляр тадқиқотлар марказининг 2019 йил 29 апрелдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш наноўлчамдаги майдоний транзисторларни, хусусан вертикал майдоний транзисторларнинг характеристикаларига ички параметрлар флуктуацияси таъсирини моделлаштириш имконини берган;
Со-60 манбаси ионизацияловчи гамма-квантлари ва электр майдони таъсирида МДЯ транзисторнинг диэлектрик қатламига киритилган зарядлар тақсимоти исток-таглик p-n ўтишнинг тескари вольтампер ва вольтфарад характеристикаларини, сизиш токини ва тешилиш кучланишини ўзгартириши бўйича натижалари «Легирланган кремний сирти ва ҳажмидаги квант ўлчамли эффектлар ҳамда уларнинг p-n-структуралардаги заряд ташувчилар фотогенерация ва рекомбинация жараёнларига таъсири» фундаментал лойиҳасида кремний асосидаги p-n ўтишларда заряд ташувчилар фотогенерация жараёнларини ўрганишда қўлланилган (Ўзбекистон Республикаси Олий ва ўрта махсус таълим вазирлигининг 2018 йил 20 декабрдаги 89-03-4389-сон маълумотномаси). Илмий натижаларни қўллаш p-n ўтишдаги ток ташувчилар фотогенерация жараёнларига кристалл сирт эффектларининг таъсирини тушунтириш имконини берган;
Кельвин пробаси услубида зарядланган оксид қатлами сирти ва яримўтказгичнинг қутбланган сиртларини тажрибавий ўрганиш натижалари, хорижий журналларда (Journal of Physics and Chemistry of Solids, 89, 7-14, 2016, IF: 2.207; Journal of Crystal Growth, 510, 56-64, 2019, IF 1.742; Materials Science in Semiconductor Processing, 55, 32-45, 2016, IF: 2.593 ва бошқалар) нанометер масштабидаги яримўтказгич намуналар сиртида юзага келадиган локал электр потенциалларни ўлчашда, турли яримўтказгич сиртларида ҳар хил материаллардан наноипларни ўстириш поғоналарини ўрганишда фойдаланилган. Илмий натижалардан фойдаланиш турли шаклдаги яримўтказгич нанотузилмаларни олиш усулларини ривожлантириш имконини берган.
