Худойназаров Зафар Бурхутовичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Электродиффузия усули билан марганец ва никел киришма атомлари киритилган кремнийнинг электрофизик хоссалари”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси” (физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2025.3.PhD/FM770 
Илмий раҳбар:Илиев Халмурат Миджитович , физика-математика фанлари доктори, профессор.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона давлат техника унверситети, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Расмий оппонентлар:Каримберди Эгамбердиевич Онарқулов , физика-математика фанлари доктори, профессор. Учқун Отобоевич Қутлиев, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Наманган  давлат техника университети. 
Диссертация йўналиши: назарий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: Кремний материалига киришма атомларини легирлашнинг янги электродиффузия усулини яратиш, никел ва марганец киришма атомларини кремнийга легирлаш ва олинган  кремний намуналарининг электрофизик хоссаларини тадқиқ этишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
монокристалл кремнийга марганец ва никел киришма атомларини анъанавий диффузия усулидан фарқли равишда, ташқи электр майдони таъсирида, яъни электродиффузия усули орқали киритишга мўлжалланган электродиффузия қурилмаси яратилган ҳамда электродиффузия технологияси ишлаб чиқилган. 
монокристалл кремнийга марганец ва никел киришма атомларини электродиффузия усулида киритиш учун 700–950 °C оралиғи мақбул диффузия ҳарорати экани аниқланган ҳамда ушбу усул анъанавий диффузияга нисбатан диффузия ҳароратини 200–300 °C га пасайтириши кўрсатилган.
электродиффузия усулида марганец киришма атомларини кремнийда Т = 850 °C, 900 °C ва 950 °C ҳароратларда диффузия қилинганда диффузия коеффициентининг қиймати ошганлиги аниқланган.
никел киришма атомларини кремнийда Т = 700–800 °C ҳарорат оралиғида диффузия қилинганда диффузия коеффициенти ошиши аниқланган.
электродиффузия усули ёрдамида кремнийдаги қолдиқ киришма атомлари ва кристалл панжарадаги нуқсонларни геттерлаш мумкинлиги, шунингдек, ушбу технологияни ярим ўтказгичларга киришма атомларини киритишда ҳарорат ва вақтни камайтирувчи самарали усул сифатида қўллаш мумкинлиги кўрсатиб берилган.
кремнийга марганец киришма атомлари электродиффузия усулида киритилган бўлиб, электр ўтказувчанлиги п-тур ва хона ҳароратида солиштирма қаршилиги ρ = 1,2·10² ÷ 4·10⁴ Ом·cм бўлган Си<Б,Мн> намуналари олинган ҳамда олинган Си<Б,Мн> намуналарнинг ҳν = 0,4 ÷ 0,8 эВ оралиғидаги фотон энергиясига юқори сезгирлиги аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Мазкур диссертация ишининг илмий тадқиқот натижларидан фойдаланиш қуйидагиларга имкон берган:
Ишлаб чиқилган янги технология асосида олинган натижалар “Ўзелтехсаноат” уюшмасининг рухсатига кўра «ФОТОН» акциядорлик жамиятида ишлаб чиқариш жараёнига жорий этилган (2025 йил 19 сентябрдаги 364-сонли маълумотнома). Натижада Мн ва Ни киришма атомлари электродиффузия усулида легирланган Си намуналаридан тайёрланган фотоелектрик асбобларнинг фотосезгирлиги Мн ва Ни киришма атомлари анъанавий диффузия усулида легирланган Си намуналаридан тайёрланган фотоелектрик асбобларникига нисбатан 1,2 маротабага ошиш имконини берган;
Киришма атомларини яримўтказгич материалларга легирлашнинг янги электродиффузия усулидан ФЗ-2020092433 рақамли “Юқори ҳарорат ва кучли микротўлқинли майдондаги наноструктурали яримўтказгичларда магнитоқаршилик, магнит сингдирувчанлик ва магнитооптик ютилиш коеффициентларини аниқлаш” номли фундаментал илмий тадқиқот лойиҳасида нанокластерли намуналар олиш учун жорий этилган (Наманган давлат техника университетини 2025 йил 15 ноябрдаги 01/10-04/2854-сонли маълумотнома). Натижада нанокластерли кремний намуналари магнит қаршилик қиймати 100% гача эканлигини кўрсатиб, ушбу юқори магнит қаршиликка эга кремний намуналари спинтроник қурилмалар, магнит сенсорлар ва энергия тежамкор хотира тизимларини яратиш имконини берган.