Сапаев Иброхим Байрамдурдиевичнинг 
фан доктори (DSc) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон 

I. Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “пСи-нCдС гетероструктураларининг температурага богʻлиқ хусусиятларини комплекс физик-кимёвий таҳлили” 02.00.04-Физик кимё (физика-математика фанлари).
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2026.1.DSc/FM 315
Илмий маслаҳатчи: Раззоков Жамолиддин Инотуллаевич, кимё фанлари доктори, катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “ТИҚХММИ” Миллий тадқиқот университети ҳузуридаги Фундаментал ва амалий тадқиқотлар институти.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: “ТИҚХММИ” Миллий тадқиқот университети ҳузуридаги Фундаментал ва амалий тадқиқотлар институти, DSc.03/06.11.2025.К/FM.10.09.
Расмий оппонентлар: Шаисламов Улугбек Алишерович, физика-математика фанлари доктори; Абдулазизов Баҳром Тошмирза оʻгʻли, физика-математика фанлари доктори, профессор; Нуритдинов Иззатилло, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот:  Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: п-Си/н-CдС гетероўтишли структура асосидаги инжексион фотоқабулқилгичларда электрон жараёнлар ва физик кимёвий хусусиятларини, жумладан, геометрик параметрлар, CдС юпқа қатламининг қалинлиги ва консентрацияси, турли ҳарорат режимлари ҳамда ултратовушнинг ток ташиш механизмларига таъсирини тизимли аниқлаш ва комплекс тадқиқ қилишдан иборат. 
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
кремний асосларида CдС юпқа қатламларини (5–200 нм) квасиёпиқ вакуум тизимида CдС кукунларини чўкилтириш усули билан шакллантириш технологияси ишлаб чиқилган. Бу қатламларнинг юқори бирхиллиги, п-Си/н-CдС гетероструктураларининг электро-физик параметрларининг барқарорлиги ва қатлам қалинлиги ва структураси таъсирини экспериментал тадқиқ қилиш учун мослигини таъминлайди;
ТCАД Сентаурус дастурий комплексида п-Си/н-CдС структурасининг физик модели яратилган ва экспериментал тарзда калибрланган. Ушбу модел тескари зонанинг кенглигини (Р² = 0,9793) ва волт-ампер хоссаларни (Р² = 0,9815) юқори аниқлик билан тасвирлаш имконини беради, бу электро-физик жараёнларни рақамли моделлаштириш учун таклиф қилинган ёндашувнинг ишончлилигини тасдиқлайди;
400 нм қалинликдаги CдС юпқа қатламининг ~24 нм ўлчамли кристаллитлардан, 50–150 нм ўлчамли доналардан, 5–8 μм конқломератлардан ташкил топганлиги ва Cд:С стехиометрик нисбати ≈ 51:49 эканлиги аниқланган. Бу тескари зонанинг кенглиги Эг ≈ 2,33 эВ ва ютилиш коеффициенти α ≈ 5×10⁴–2×10⁵ см⁻¹ ни таъминлаб, морфология ва кристаллит структураси билан оптик хоссалар орасидаги миқдорий боғлиқликни белгилайди;
λ = 1030 нм ва 515 нм да ОА З-сcан ўлчовлари шуни кўрсатдики, И < 2×10¹¹ W/cм² да тўйинган ютилиш доминант бўлади, И > 3–5×10¹¹ W/cм² да эса икки фотонли ютилиш (2ПА) пайдо бўлади (β₂ПА ≈ 4.7–8×10⁻⁸ см·W⁻¹, тўйинган интенсивлик Исат ≈ 1.3–1.7×10¹¹–10¹² W/cм²), бу биринчи марта 400 нм қалинликдаги CдС қатламларида СА, 2ПА ва мумкин бўлган РСА рақобатини аниқ миқдорий тасвирлаш имконини беради;
300 К да тескари ток сезгирлиги п-Си базасининг консентрациясига нисбатан деярли 10 марта юқори эканлиги аниқланган, бу эса кремний базаси параметрларининг фотодиод иш хоссаларини шакллантиришда асосий ролини кўрсатади;
экспериментал ва рақамли тадқиқотлар шуни кўрсатдики, чўкилтирилган н-CдₘЗн₁₋ₘС қатламлари донали морфологияга эга (~179,5 нм қийшиқ сирт, 20×20 μм²), тескари зонанинг кенглиги ≈ 2,6 эВ дан >3,8 эВ гача бошқарилади; етарли ионизацияланмаган донорлар эффекти деплеция зонасини кенгайтиради ва максимал электр майдонини тахминан 3,5 марта камайтиради; 
Синт = 2,8·10⁴ оқ ёруғликда, Э = 0,1 лух; спектрал фотосезгирлик Сλ ≃ 2,3·10⁴ А/W, λ = 0,625 μм, П = 10 μW/cм², бу фототокнинг ички кучайишини интерфаз қатлам ва н-CдС да тешиклар аккумуляцияси орқали кўрсатади;
н-CдС/п-Си чегарасида ψₛ = 0,04 эВ да манфий зарядланган сирт ҳолатларининг шаклланиши аниқланган, улар ташувчиларни инжексиялашга сезиларли таъсир кўрсатади, фотосезгирликни ўзгартиради ва электр хоссаларни оптималлаштиришда муҳим ҳисобланади.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши: Диссертация ишининг натижалари журналларда эълон қилинган ва юқори таъсир кўрсаткичига эга нашрларда иқтибос олинган: 
    5 иқтибос: Мирсагатов, С. А., Сапаев, И. Б., & Назаров, З. Т. (2014). Ултрасониc аннеалинг оф сурфаcе статес ин тҳе гетерожунcтион оф а п-Си/н-CдС/н⁺-CдС инжеcтион пҳотодиоде. Инорганиc Материалс, 51(1), 1–4. ҳттпс://дои.орг/10.1134/С0020168515010148;
3 иқтибос: Сапаев, И.Б., Мирсагатов, С.А., Сапаев, Б. эт ал. Фабриcатион анд Пропертиес оф нСи–пCдТе Гетерожунcтионс. Инорг Матер 56, 7–9 (2020). ҳттпс://дои.орг/10.1134/С002016852001015Х;
5 иқтибос: Мирсагатов, Ш. А., Сапаев, И. Б., Валиева, Ш. Р., & Бабажанов, Д. Элеcтропҳйсиcал анд пҳотоелеcтриc пропертиес оф инжеcтион пҳотодиоде басед он пСи–нCдС–Ин струcтуре анд инфлуенcе оф ултрасониc иррадиатион он тҳем // Жоурнал оф Наноелеcтрониcс анд Оптоелеcтрониcс, 9(6), 834–843 (2015). ҳттпс://дои.орг/10.1166/жно.2014.1685.
пСи/н-CдС асосидаги гетероўтишли структураларнинг электрофизик хусусиятларига легирланиш даражаси ва температура таъсирини ҳисобга олувчи физик моделлар Сйнопсйс Сентаурус ТCАД дастурий мажмуаси асосида ишлаб чиқилди ҳамда ушбу тадқиқот доирасида “пСи/н-CдС асосидаги гетероўтишли структураларнинг И–В характеристикасини юқори аниқликда ўлчаш учун дастурий таъминот” (Гувоҳнома № ДГУ 55079, 04.10.2025) ва “пСи/н-CдС асосидаги гетероўтишли структураларнинг C–В характеристикасини кенг температуралар диапазонида юқори аниқликда ўлчаш учун дастурий таъминот” (Гувоҳнома № ДГУ 55080, 04.10.2025) ишлаб чиқилиб, улар учун тегишли гувоҳномалар олинди. Тадқиқот натижалари Тошкент ирригация ва қишлоқ хўжалигини механизациялаш муҳандислари институти Миллий тадқиқот университетининг 60720600 — “Материалшунослик ва янги материаллар технологияси (яримўтказгичлар ва лазер технологияси)” бакалавриат таълим йўналишида “Яримўтказгичлар физикаси” ҳамда “Яримўтказгичли қурилмаларни моделлаштириш” фанларини ўқитиш жараёнини такомиллаштиришда жорий этилди (2026-йил 17-мартдаги далолатнома)