Tuychibaev Baxodir Kurbonalievichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “CdSe, CdSe:Cd:Cl, CdSe:Cu:Cl asosidagi bo‘ylama fotoo‘tkazuvchanlikli plenkalarning olish texnologiyasi, mikrostrukturasi va elektrofizik xossalari”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi” (fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2026.1.PhD/FM1438
Ilmiy rahbar: Yuldashev Nosirjon Xaydarovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: “Farg‘ona davlat texnika universiteti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona davlat texnika universiteti, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Rasmiy opponentlar: Zikrillaev Nurullo Fayzullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salim Madraximovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Samarqand davlat universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi CdSe, CdSe:Cd:Cl, CdSe:Cu:Cl tarkibli, bo‘ylama fotoo‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan plyonkalarni olish texnologiyasini takomillashtirish, ularning mikrostrukturasi va yangi elektrofizik xususiyatlarini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
birinchi marta katodli purkash yo‘li bilan oddiy shisha taglikka bo‘ylama fotoo‘tkazuvchanlik rejimida ishlovchi fotosezgir plyonka strukturalari uchun SnO₂ va CdO asosida shaffofligi 70–80% va elektr qarshiligi 50–60 Om bo‘lgan shaffof o‘tkazuvchi kontaktlarni olish bo‘yicha yangi usullar ishlab chiqilgan;
birinchi marta Tt = 250–300 °C haroratda va P≈10-1–10-2 Pa vakuum sharoitida shisha taglikka oldindan o‘stirilgan SnO₂ qatlami ustiga CdSe qatlamini bug‘latib o‘tkazish va unga qo‘shimcha termik ishlov berish orqali sezgirligini oshirishni o‘z ichiga olgan fotosezgir CdSe:Cd,Cu,Cl plyonkalarni olish texnologiyalari ishlab chiqilgan;
CdSe plyonkalarning: havoda CdCl₂ ishtirokida T=470°C, t=6 minut mobaynida, CuCl₂ ishtirokida T=300°C, t=4 minut mobaynida va vakuumda T=480 °C, t=10 minut mobaynida termik ishlov berilganda fotosezgirligi (K≈105) eng barqaror bo‘lishi aniqlangan; 
yangi tayyorlangan CdSe plyonkalarga vakuumda, havoda CdCl₂ yoki CuCl₂ ishtirokida qo‘shimcha TIB jarayonida ularning mikrostrukturasini o‘zgarish dinamikasi aniqlangan: taglik harorati 200°C dan 350°C gacha oshirilganda, kogerent sochilish sohasi o‘lchami (Dkss) 85 dan 97 nm gacha oshgan, kristall panjaradagi mikrochetlashishlar esa 2,5·10⁻³ dan 6,64·10⁻⁴ gacha kamaygan;
CdSe:Cd:Cu:Cl plyonkalarining fotosezgirlik mexanizmi asosan termik ishlov berish jarayonidagi Cd, Se vakansiyalari va ular komplekslarining optimal konsentratsiyasi bilan belgilanishi, biroq yorug‘lik intensivligi L < 10 lk bo‘lgan hollarda potensial to‘siqli fotoo‘tkazuvchanlikni shakllantiradigan substruktura omillari muhim rol o‘ynashi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Polikristall CdSe, CdSe:Cd:Cl, CdSe:Cu:Cl yupqa plyonkalarini olish texnologiyasi va ularning fotoelektrik xossalarini tadqiq etish bo‘yicha olingan natijalarga asoslanib:
katodli purkash yo‘li bilan oddiy shisha taglikka bo‘ylama fotoo‘tkazuvchanlik rejimida ishlovchi fotosezgir plyonka strukturalari uchun SnO₂ va CdO asosida shaffofligi 70–80% va elektr qarshiligi 50–60 Om bo‘lgan shaffof o‘tkazuvchi kontaktlarni olish bo‘yicha ishlab chiqilgan yangi usullardan  «Arzon, ekologik toza va yuqori samarali polikristall yupqa qatlamli Sb₂(SₓSe₁₋ₓ)₃ quyosh elementlari» mavzusidagi FZ-2020102944 raqamli ilmiy-amaliy loyiha doirasida ilmiy-texnik vazifalarni bajarishda foydalanilgan (O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasining 20.11.2025 y. dagi №2/1255-2924-son ma’lumotnomasi). Natijada SnO₂/CdSe strukturalarni qo‘llagan holda, shaffof shisha taglikga samaradorligi η=6,47% ga etkazilgan Sb₂(SₓSe₁₋ₓ)₃ asosidagi yupqa plyonkali quyosh elementlari olingan;
polikristallarda dislokatsiyalar zichligini, donlar o‘lchamini, o‘tkazuvchanlik turi va qiymatini, shuningdek fotosezgirlikni boshqarishga imkon beruvchi materialning strukturaviy va elektrofizik xossalarini yaxshilaydigan CdCl₂ va CuCl₂ ishtirokida termik ishlov berish kabi turli muhitlarda o‘tkaziladigan o‘stirishdan keyingi jarayonlarning optimal shartlari aniqlangan bo‘lib, bu natijalardan «Birinchi turdagi bilvosita zonali yarimo‘tkazgich nanostrukturalarda eksitonlar va zaryad tashuvchilar dinamikasi» mavzusidagi №19-52-12001-son loyihasini bajarishda foydalanilgan (Rossiya Fanlar akademiyasi Sibir bo‘limi A.V. Rjanov nomidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi institutining 10.11.2025 y. dagi №153071242-26-733-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalardan foydalanish nanostrukturalangan yarimo‘tkazgichlarni olish, ularning elektrofizik va optik xossalarini o‘rganishda yangicha yondashuvlarning rivojlanishiga fundamental asos bo‘lib xizmat qilgan.