Norqulov Shahriyor Bekmirzaevichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmogʻi nomi):
“Disproziy bilan legirlangan kremniydagi hajmiy nuqsonlar strukturasi va sirtiy qatlam morfologiyasi”, 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM298.
Ilmiy rahbar: Utamuradova Sharifa Bekmuradovna, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Milliy universiteti huzuridagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, DSc.03/2025.27.12.FM/T.01.06.
Rasmiy opponentlar: Dadamirzaev Muhammadjon G‘ulomqodirovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona davlat universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: Nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi:
Disproziy bilan legirlangan kremniydagi hajmiy nuqsonlar strukturasi va sirtiy qatlam morfologiyasini hamda Si<Dy>ning elektrofizik xossalariga ta’sirini tadqiq qilishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
ilk bor Si<Dy>namunalarda disproziy kirishmasi akseptor xossaga ega bo‘lishi, diffuziyadan so‘ng n-Si namunalarining solishtirma qarshiligi keskin ortib p-tipga o‘zgarishi aniqlangan;
ilk bor IQ spektroskopiya yordamida Si<Dy> namunalarida disproziy atomlari optik faol kislorod konsentratsiyasini NOopt 40 % gacha kamaytirishi aniqlangan;
disproziy bilan legirlangan kremniyda atom kuch mikroskopiya va skanerlovchi elektron mikroskopiya yordamida sirtga yaqin sohalarda DySi2 silisidlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
ilk bor Si<Dy> namunalarda Raman va Rentgen spektroskopiya tahlillari natijasida kremniy hajmida disproziy atomlari bilan bog‘liq Dy-O, Dy-Si, Si-O-Dy yangi fazalar hosil bo‘lishi aniqlangan;
nostatsionar sig‘imli spektroskopiyasi yordamida disproziy atomlari bilan legirlangan kremniyda Ec-0,21 eV, Ec -0,30 eV va Ec -0,41 eV energiyali 3 chuqur sathlar hosil bo‘lishi va Si hajmida Dy atomlarining mavjudligi termik nuqsonlarning konsentratsiyasi 3÷4 marta kamayishiga olib kelishi aniqlangan;
disproziy bilan legirlangan kremniyda γ-nurlanish ta’sirida radiatsion nuksonlar: Ec-0,17 eV chuqur sathli A-markaz va Ec-0,43 eV chuqur sathli E-markazlar hosil bo‘lishi aniqlangan;
kremniy hajmida Dy atomlarining mavjudligi γ-nurlantirilgan namunalarda radiatsion nuksonlarning samaradorligini 2÷4 marotabaga kamaytirishi aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Disproziy bilan legirlangan kremniydagi hajmiy nuqsonlar strukturasi va sirtiy qatlam morfologiyasini kompleks tadqiq qilish asosida:
Dy ni yuqori haroratli diffuziya yo‘li bilan kiritish orqali kremniy kristalli sirtida kompensatsiyalangan p⁺(p)-tipga o‘tuvchi funksional qatlam hosil qilish usuli, Dy diffuziyasi kremniyda Dy-O hamda Si-O-Dy bog‘larining shakllanishi optik faol kislorod miqdorini 40 % kamaytirishi kabi ilmiy natijalar “FOTON” AJ da joriy etildi (“FOTON” AJning 2025-yil 3-dekabrdagi 451-sonli ma’lumotnomasi). Natijada diod strukturalarida termik nuqsonlar konsentratsi 3÷4 martagacha, radiatsion nuqsonlar konsentratsiyasini (A-markaz 2÷4 marta va E-markaz 8÷10 marta) kamaytirish, tajriba namunalarining xizmat muddatini 15 % gacha oshirishga imkonini bergan.
Tadqiqot doirasida ishlab chiqilgan yondashuv va usullar Shota Rustaveli nomidagi Milliy Ilmiy Fondining STEM-22-226 raqamli “Phase-probability model for planning transport routes in disaster areas” mavzusidagi ilmiy loyihani bajarishda joriy etildi (Ivane Javakhishvili nomidagi Tbilisi davlat universitetining 2025-yil 20-noyabrdagi ma’lumotnomasi). Natijada ushbu usullar tajriba namunalari parametrlarining qayta tiklanish darajasini oshirish imkonini bergan.
