Исақов Диёрбек Зиёдулло ўғлининг
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришмали юпқа қатламларининг микроструктуравий, оптик ва электрофизик хоссалари” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2025.3.PhD/FM694
Илмий раҳбар: Разиков Тахирджон Муталович, физика-математика фанлари доктори, проф.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси С.А. Азимов номидаги Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.05/2025.28.11.FM/T.01.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Ёдгорова Дилбар Мустафаевна, техника фанлари доктори, проф; Зикриллаев Нурилло Фатхуллаевич, физика-математика фанлари доктори, проф.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон миллий университети.     
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади атмосфера босимида шиша тагликларда юқори сифатли Сб2(Сх,Се1-х)3 қаттиқ қоришма юпқа қатламларини олиш ва физик хоссаларини комплекс тадқиқ қилиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор атмосфера босимида Сб2Се3 ва Сб2С3 бинар бирикмаларидан ҳамда Сб, С, Се элементлардан кенг таркибли оралиқда (0  х  1) юқори сифатли Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришма юпқа қатламларни олишнинг вакуумсиз технологияси яратилган; 
биринчи марта сканерловчи электрон микроскопия таҳлиллари асосида, атмосфера босимида ўстирилган Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришмали юпқа қатламларнинг   таркибидаги х нинг 0.03 дан 0.35 гача ортиши натижасида доначаларнинг узунлиги 10 μм дан 4 μм гача қисқариши, диаметри эса 0.5 μм дан 4 μм гача ортиши аниқланган;
рентген нурланиш дифракцияси ва раман спектроскопияси натижаларининг таҳлили ёрдамида, олинган Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларнинг таркибида олтингугуртнинг миқдори ортиши билан ренгенограммада асосий кристалланиш ёʻналишлари (211) ва (221) нинг 2θ бурчаклари Сб2Се3 дан Сб2С3 га томон силжиши ҳамда раман спектрларида Сб-Се тебраниш фазаларига мос 110 cм-1 ва 151 cм-1 чўққиларнинг интенсивлиги камайиб, Сб–С боғларининг тебраниш фазаларига мос 280 cм-1 ва 310 cм-1 чўққиларнинг интенсивлиги ортиб бориши аниқланган;
Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларининг тақиқланган соҳа кенглиги 1.12 эВ дан 1.5 эВ гача ошиши билан спектрал ютилиш чегарасининг узун тўлқин узунликларидан қисқа тўлқин узунликлари томонга силжиши кузатилган;
турли таркибда ўстирилган Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларнинг барчаси п-тип ўтказувчанликка эга бўлиб, х нинг 0.03 дан 0.35 гача ортиши билан уларнинг электр ўтказувчанлиги 2.3×10-5 дан 3.4×10-6 (Ω·cм)-1 гача камайиши аниқланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришма юпқа қатламларининг микроструктуравий, оптик ва электрофизик хоссаларини тадқиқ этиш асосида олинган илмий натижалар бир қатор халқаро илмий ишларда самарали қўлланилган. Жумладан, Сб2Се3 юпқа қатламларининг оптик хусусиятлари бўйича олинган натижалар “CуCрО2 юпқа қатламларининг оптик хоссаларига поливинилпирролидон консентрациясининг таъсири” мавзусидаги тадқиқотда фойдаланилган (Тҳин Солид Филмс, Вол. 797 (2024), 140334). Ушбу иш натижаларига кўра, CуCрО2 юпқа қатламларининг юқори ёруғлик ўтказувчанлик потенсиали уларни келгусида фотоволтаик тизимлар, транзисторлар ҳамда сенсорли экран ва дисплей технологияларида қўллаш имкониятини яратган. Шунингдек, юпқа қатламли қуёш элементлари учун кимёвий молекулалар дасталаридан олиш усули ёрдамида олинган Сб2Се3 юпқа қатламларнинг хоссаларини ўрганиш натижалари “Фотосенсор қурилмаларда қўллаш учун Би35Сб5Се60 наноструктурали юпқа қатламларнинг структуравий ва оптик ютилиш хоссалари” мавзусидаги ишни таҳлил қилишда қўлланилган (Оптиcал Материалс, Вол. 157 (2024) 116098). Натижалар Би35Сб5Се60 материалининг тўғридан-тўғри тақиқланган соҳага эга эканлиги, юқори фотосезгирлиги ҳамда нуқсонларга боғлиқ нурланиш хусусиятлари уни фотосенсор қурилмаларда қўллаш учун истиқболли эканлигини кўрсатган.
Бундан ташқари, диссертация ишида Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларини олиш учун ишлаб чиқилган кимёвий молекулалар дасталаридан олиш технологиясига оид илмий-маълумотлар “Эллиптик метаматериалларни ўз ичига олган бир ўлчамли фотоник кристалл асосида созланадиган, кенг бурчакли ва юқори самарали поларизация селективлиги” мавзусидаги тадқиқотда қўлланилган (Пҳйсиcс Леттерс А, Вол. 494 (2024) 129299). Мазкур иш натижалари созланадиган ва юқори самарадорликка эга поларизаторларни лойиҳалаш учун амалий ҳамда истиқболли технологик ечим таклиф этган. Шунингдек, Сб2Се3 юпқа қатламларининг оптик хусусиятларини тадқиқ этиш асосида олинган натижалар Мексиканинг Чиапас Фан ва Санъатлар Университетида ҳимоя қилинган яримўтказгичлар фани ва технологияси йўналишидаги “Фотоелектрокимёвий ва фотоелектр қурилмаларда қўллаш учун Cу ва Сб халкогенидларининг юпқа қатламларини электродепозиция қилиш жараёнини ўрганиш” номли диссертацияда Сб2Се3 юпқа қатламларнинг оптик хоссаларини таҳлил қилишда фойдаланилган (Семиcондуcтор Сcиенcе анд Течнологй. 2024. Т. 40. №. 5. С. 055001).
Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришма юпқа қатламаларни олиш қурилмаси учун “Юпқа қатламли қуёш элементлари олиш учун реактор” номли саноат намунасига патент (№ САП 2577) олинган. Мазкур патент асосида ҳозирги кунда қуёш элементлари, термоелектрик қурилмалар, юқори аниқликдаги сенсорлар, фотодетекторларни тайёрлашда қўлланиладиган арзон ва юқори сифатли халкогенидли яримўтказгичлар негизида бир ва кўп компонентли юпқа қатламларини синтез қилиш имкони яратилган. Шунингдек, ушбу қурилма Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институтининг “Микроелектроника ва электротехника материалшунослиги” лабораториясига ўрнатилиб, амалиётга жорий этилган.