Абдуллаев Жўшқин Шакировичнинг
бўйича фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): 
“База соҳаси камбағаллашган яримўтказгичли структураларни моделлаштириш хусусиятлари” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2023.1.PhD/FM849
Илмий раҳбар: Абдулхаев Ойбек Абдуллазизович, физика-математика фанлари фалсафа доктори (PhD), катта илмий ходим.
Диссертация бажарилган муассаса номи: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси С.А. Азимов номидаги Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш.
Расмий оппонентлар: Юсупов Аҳмад, физика-математика фанлари доктори, профессор; Қучқоров Қудратилло Мамарасулович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим.
Етакчи ташкилот: Қорақалпоқ Давлат Университети.     
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади Си ҳамда ГаАс асосида база соҳаси камбағаллашган радиал п-н ва п-и-н ўтишли структураларнинг электрофизик хусусиятларини аниқлашдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
илк бор цилиндрик саноқ системасида п–н ва п–и–н ўтишли структуралар учун пуассон тенгламаси киришма атомларининг тўлиқ ионланмаган ҳолатларни инобатга олган ҳолда аналитик ечилиб, 300 К температурада Си учун электр майдоннинг максимал қиймати 5.1×10⁴ В/cм, ГаАс учун эса 6.3×10⁴ В/cм эканлиги аниқланган;
кенг температура шароитларида киришма атомларининг ионланмаган ҳолатларини инобатга олувчи аналитик ифодалар ишлаб чиқилиб, яримўтказгич материалларида киришма атомларининг ионлашиш даражаси аниқлангани, хусусан Си учун Б атомларининг ионлашиш даражаси 300 К температурада  96,8%, П атомлари учун 98,4%, ГаАс учун эса Зн атомлари 97,6% ҳамда Си атомлари 96,2% эканлиги кўрсатилган;
илк бор база соҳаси камбағаллашган п–н ўтишли структуралар учун махсус физик модел ишлаб чиқилиб,  ушбу модел асосида тешилиш электр майдони аниқланиб, 100–400 К температура оралиғида ГаАс учун детерминация коеффициенти Р² = 0,9862, Си учун эса Р² = 0,9978 га тенглиги кўрсатилган;
ТCАД Сентаурус дастури ёрдамида радиал п–н ва п–и–н структураларнинг волт-фарад (C–В) ва волт-ампер (И–В) характеристикалари моделлаштирилиб,  и-қатлам қалинлиги 0.1–0.5 µм диапазонда ўзгартирилганда рекомбинация тезлиги ГаАс материалида Си материалига нисбатан 2–3 баравар юқори эканлиги исботланган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
П–н ва п–и–н структураларининг электрофизик хусусиятларига легирланиш даражаси ва температура таъсирини оптималлаштириш бўйича олинган натижалар Назарбоев Университетининг Астана Миллий Лабораториясида қўлланилган (Назарбоев Университетининг Астана Миллий Лабораториясининг 2025-йил 2-апрелдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш иссиқ деворли кимёвий буғ фазасидан чўктириш усулида синтез қилинган ГаН яримўтказгич материалли бўёқ билан сезгирлаштирилган қуёш элементларининг самарадорлигини ошириш имконини берган.
ТCАД Сентаурус дастурида яримўтказгичли радиал п–н ва п–и–н ўтишли структураларнинг электрофизик хусусиятларини моделлаштириш натижалари Тошкент ирригация ва қишлоқ хўжалигини механизациялаш муҳандислари институти Миллий тадқиқот университетида қўлланилган (Тошкент ирригация ва қишлоқ хўжалигини механизациялаш муҳандислари институти Миллий тадқиқот университетининг 2025-йил 17-майдаги маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш Материалшунослик ва янги материаллар технологияси йўналишидаги мутахассислик фанларини ўқитиш жараёнларини сифатини ошириш имконини берган.