Soliev Iqboljon Maxammadjonovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I.Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “GaAs1-δBiδ kvant o‘rali (ZnSe)1-x(Ge2)x qattiq qorishmalarining tuzulmaviy, elektrofizik va fotoelektrik xossalariga γ-nurlanishning ta’siri”, 01.04.07–“Kondensirlangan holat fizikasi”(fizika-matematika fanlari). 
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.4.PhD/FM1374
Ilmiy rahbar: Boboev Akromjon Yo‘ldashboevich, fizika-matematika fanlari doktori.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: “Andijon davlat universiteti”.
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Farg‘ona davlat texnika universiteti, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Rasmiy opponentlar: Kurbanov Ulug‘bek Tajibaevich, fizika-matematika fanlari doktori; Sobirov Salimjon Satievich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat  universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: GaAs1–δBiδ kvant o‘rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmalarini o‘stirish hamda ularning tuzilmaviy, elektrofizik va fotoelektrik xossalariga gamma nurlanishlarning ta’sirini tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
tajriba natijalari va nazariy hisoblashlar asosida (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmlarda GaAs1–δBiδ kvant o‘ralilarini shakllanishi va kimyoviy tarkibi (0≤x≤0.725 va 0≤y≤0.638) asta-sekin o‘zgarib boradigan, o‘rin almashinuvchi (ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y qattiq qorishmlarini namoyon qilishi aniqlangan;
rentgenotuzulmaviy tadqiqot natijalar asosida o‘stirilgan plyonkalar kristall panjara doimiysi (aq.q. = 0,5664 nm), sfalerit tuzulishga va (100) kristallografik orientatsiyaga mansub monokristall ekanligi hamda ularning sirtiy sohalari o‘rtasida tor eenrgetik sohali Ge nanokristalli va GaAs1–δBiδ kvant o‘ralarini o‘z-o‘zidan shakllanishi aniqlangan.  
ilk bor (ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y epitaksial qatlami 105 radli gamma nurlari bilan nurlantirilganda plyonkaning kristall panjarasida barqarorlashuv yuzaga kelishi va mukammallik darajasi ortishi, 106 radli gamma nurlari esa nuqsonlarni otishi tufayli kristall panjaraning mukammallik darajasi kamayishi rentgenotuzulmaviy tahlil natijalari asosida aniqlangan. 
ilk bor Ge nanokristallari va GaAs1–δBiδ kvant o‘ralari energetik jihatdan barqaror va atomlari mustaxkam kovalent bog‘lanishga egaligi tufayli ularning tuzilmaviy kattaliklariga gamma nurlanishlar ta’sir etmagnligi rentgenotuzulmaviy tahlil natijalari asosida aniqlangan;
gamma nurlanish epitaksial plyonkalarda qo‘shimcha zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini oshirib, solishtirma qarshilik va harakatchanlikni kamaytirishi, 10⁵ rad dozali nurlanish n-GaAs-r-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y geterotuzilmasidan tok o‘tishi osonlashishiga, 10⁶ rad dozali nurlanish esa tok o‘tishi qiyinlashishiga olib kelishi hamda tokning kuchlanishga bog‘liqligida dreyf mexanizmining ustunlik qilishi aniqlangan
ilk bor n-GaAs–p-(ZnSe)1-x(Ge2)x geterotuzilmalarining fotosezgirlik spektrlari (GaAs1-δBiδ)u kvant o‘ra ta’sirida qisqa to‘lqinlar tomon siljishi va gamma nurlanishlar ta’sirida esa ta’qiqlangan sohani kengayishi hamda qo‘shimcha mahalliylashgan energetik sathlarni hosil bo‘lishi aniqlangan. 
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. 
GaAs1–δBiδ kvant o‘rali (ZnSe)1–x(Ge2)x qattiq qorishmlarning tuzulmaviy, elektrofizik va fotoeletrik xossalariga gamma nurlanishlar ta’sirini tadqiq qilish bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida:
gamma nurlanish epitaksial plyonkalarda qo‘shimcha zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini oshirib solishtirma qarshilik va harakatchanlikni kamaytirishi, 10⁵ radda n-GaAs-r-(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y geterotuzilmasida tok o‘tishi engillashsa, 10⁶ radda qiyinlashadi, tokning kuchlanishga bog‘liqligida dreyf mexanizmi ustunlik qilishi, fotosezgirlik spektrlarida GaAs1–δBiδ kvant o‘ra ta’sirida qisqa to‘lqinlar tomon siljish va gamma nurlanish ta’sirida ta’qiqlangan soha kengayishi hamda mahalliylashgan energetik sathlar hosil bo‘lishi kabi ilmiy natijalardan “FOTON” AJda yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalarni tayyorlashda qo‘llaniligan. (“FOTON” aksiadorlik jamiyatining 2025 yil 17 noyabrdagi 435-son ma’lumotnomasi). Olingan ilmiy natijalar elektron texnika asboblarining tajriba namunalarini tayyorlash hamda ularning elektrofizik xossalarini (4.3 % ga) yaxshilash imkonini bergan; 
(ZnSe)1–x–y(Ge2)x(GaAs1–δBiδ)y epitaksial qatlamida 10⁵ rad doza gamma nurlanish ta’sirida kristall tuzilmaning barqarorlashuvi va mukammallik darajasining oshishi, 10⁶ rad doza ta’sirida esa nuqsonlar sonining ko‘payishi natijasida ushbu ko‘rsatkichlarning pasayishi, shuningdek, Ge nanokristallari va GaAs1–δBiδ kvant o‘ralarining energetik barqarorligi hamda kovalent bog‘lanishlarining mustahkamligi tufayli ularning o‘lchamlari gamma nurlanish ta’sirida deyarli o‘zgarmasligi aniqlangan bo‘lib, mazkur ilmiy natijalardan Namangan davlat texnika universitetida 2017–2020 yillarda amalga oshirilgan OT-F2-71-sonli “O‘ta yuqori chastotali elektromagnit maydondagi deformatsiyalangan p–n o‘tish volt-amper xarakteristikasiga yorug‘likning ta’sirini tadqiq etish” mavzusidagi fundamental loyihada foydalanilgan. (Namangan davlat texnika universitetining 2025 yil 14-noyabrdagi №01/10-09/2847 sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalardan foydalanish deformatsiyalangan p–n geteroo‘tishlarning yorug‘lik hamda nurlanishga sezgirligini oshirish imkonini bergan.