Солиев Иқболжон Махаммаджоновичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I.Умумий маълумотлар.
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ГаАс1-δБиδ квант ўрали (ЗнСе)1-х(Ге2)х қаттиқ қоришмаларининг тузулмавий, электрофизик ва фотоелектрик хоссаларига γ-нурланишнинг таъсири”, 01.04.07–“Конденсирланган ҳолат физикаси”(физика-математика фанлари). 
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: B2025.4.PhD/FM1374
Илмий раҳбар: Бобоев Акромжон Йўлдашбоевич, физика-математика фанлари доктори.
Диссертация бажарилган муассаса номи: “Андижон давлат университети”.
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Фарғона давлат техника университети, PhD.03/2025.27.12.FM.19.04.
Расмий оппонентлар: Курбанов Улуғбек Тажибаевич, физика-математика фанлари доктори; Собиров Салимжон Сатиевич, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
Етакчи ташкилот: Урганч давлат  университети.
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади: ГаАс1–δБиδ квант ўрали (ЗнСе)1–х(Ге2)х қаттиқ қоришмаларини ўстириш ҳамда уларнинг тузилмавий, электрофизик ва фотоелектрик хоссаларига гамма нурланишларнинг таъсирини тадқиқ қилишдан иборат.
III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
тажриба натижалари ва назарий ҳисоблашлар асосида (ЗнСе)1–х(Ге2)х қаттиқ қоришмларда ГаАс1–δБиδ квант ўралиларини шаклланиши ва кимёвий таркиби (0≤х≤0.725 ва 0≤й≤0.638) аста-секин ўзгариб борадиган, ўрин алмашинувчи (ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й қаттиқ қоришмларини намоён қилиши аниқланган;
рентгенотузулмавий тадқиқот натижалар асосида ўстирилган плёнкалар кристалл панжара доимийси (ақ.қ. = 0,5664 нм), сфалерит тузулишга ва (100) кристаллографик ориентацияга мансуб монокристалл эканлиги ҳамда уларнинг сиртий соҳалари ўртасида тор эенргетик соҳали Ге нанокристалли ва ГаАс1–δБиδ квант ўраларини ўз-ўзидан шаклланиши аниқланган.  
илк бор (ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й эпитаксиал қатлами 105 радли гамма нурлари билан нурлантирилганда плёнканинг кристалл панжарасида барқарорлашув юзага келиши ва мукаммаллик даражаси ортиши, 106 радли гамма нурлари эса нуқсонларни отиши туфайли кристалл панжаранинг мукаммаллик даражаси камайиши рентгенотузулмавий таҳлил натижалари асосида аниқланган. 
илк бор Ге нанокристаллари ва ГаАс1–δБиδ квант ўралари энергетик жиҳатдан барқарор ва атомлари мустахкам ковалент боғланишга эгалиги туфайли уларнинг тузилмавий катталикларига гамма нурланишлар таъсир этмагнлиги рентгенотузулмавий таҳлил натижалари асосида аниқланган;
гамма нурланиш эпитаксиал плёнкаларда қўшимча заряд ташувчилар консентрациясини ошириб, солиштирма қаршилик ва ҳаракатчанликни камайтириши, 10⁵ рад дозали нурланиш н-ГаАс-р-(ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й гетеротузилмасидан ток ўтиши осонлашишига, 10⁶ рад дозали нурланиш эса ток ўтиши қийинлашишига олиб келиши ҳамда токнинг кучланишга боғлиқлигида дрейф механизмининг устунлик қилиши аниқланган
илк бор н-ГаАс–п-(ЗнСе)1-х(Ге2)х гетеротузилмаларининг фотосезгирлик спектрлари (ГаАс1-δБиδ)у квант ўра таъсирида қисқа тўлқинлар томон силжиши ва гамма нурланишлар таъсирида эса таъқиқланган соҳани кенгайиши ҳамда қўшимча маҳаллийлашган энергетик сатҳларни ҳосил бўлиши аниқланган. 
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. 
ГаАс1–δБиδ квант ўрали (ЗнСе)1–х(Ге2)х қаттиқ қоришмларнинг тузулмавий, электрофизик ва фотоелетрик хоссаларига гамма нурланишлар таъсирини тадқиқ қилиш бўйича олинган илмий натижалар асосида:
гамма нурланиш эпитаксиал плёнкаларда қўшимча заряд ташувчилар консентрациясини ошириб солиштирма қаршилик ва ҳаракатчанликни камайтириши, 10⁵ радда н-ГаАс-р-(ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й гетеротузилмасида ток ўтиши енгиллашса, 10⁶ радда қийинлашади, токнинг кучланишга боғлиқлигида дрейф механизми устунлик қилиши, фотосезгирлик спектрларида ГаАс1–δБиδ квант ўра таъсирида қисқа тўлқинлар томон силжиш ва гамма нурланиш таъсирида таъқиқланган соҳа кенгайиши ҳамда маҳаллийлашган энергетик сатҳлар ҳосил бўлиши каби илмий натижалардан “ФОТОН” АЖда яримўтказгичли электрон қурилмаларни тайёрлашда қўлланилиган. (“ФОТОН” аксиадорлик жамиятининг 2025 йил 17 ноябрдаги 435-сон маълумотномаси). Олинган илмий натижалар электрон техника асбобларининг тажриба намуналарини тайёрлаш ҳамда уларнинг электрофизик хоссаларини (4.3 % га) яхшилаш имконини берган; 
(ЗнСе)1–х–й(Ге2)х(ГаАс1–δБиδ)й эпитаксиал қатламида 10⁵ рад доза гамма нурланиш таъсирида кристалл тузилманинг барқарорлашуви ва мукаммаллик даражасининг ошиши, 10⁶ рад доза таъсирида эса нуқсонлар сонининг кўпайиши натижасида ушбу кўрсаткичларнинг пасайиши, шунингдек, Ге нанокристаллари ва ГаАс1–δБиδ квант ўраларининг энергетик барқарорлиги ҳамда ковалент боғланишларининг мустаҳкамлиги туфайли уларнинг ўлчамлари гамма нурланиш таъсирида деярли ўзгармаслиги аниқланган бўлиб, мазкур илмий натижалардан Наманган давлат техника университетида 2017–2020 йилларда амалга оширилган ОТ-Ф2-71-сонли “Ўта юқори частотали электромагнит майдондаги деформацияланган п–н ўтиш волт-ампер характеристикасига ёруғликнинг таъсирини тадқиқ этиш” мавзусидаги фундаментал лойиҳада фойдаланилган. (Наманган давлат техника университетининг 2025 йил 14-ноябрдаги №01/10-09/2847 сонли маълумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш деформацияланган п–н гетероўтишларнинг ёруғлик ҳамда нурланишга сезгирлигини ошириш имконини берган.