Жумаев Жасурбек Менгли ўғлининг 
Фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар.
    Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “Магнетрон чанглатиш ва ион имплантация усуллари билан олинган Си, Ге ва ГаП асосидаги кўп компонентли наноструктураларнинг электрон ва оптик хусусиятлари”, 01.04.04 – Физик электроника (физика-математика фанлари).
    Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2025.1.PhD/FM918 
    Илмий раҳбар: Умирзаков Балтоходжа Ерматович, физика-математика фанлари доктори, профессор.
    Диссертация бажарилган муассаса номи: Ислом Каримов номидаги Тошкент давлат техника университети.
    ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ион-плазма ва лазер технологиялари институти, DSc.05/2025.27.12.FM/Т.09.01
    Расмий оппонентлар: Максимов Сергей Евлантиевич, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим;Сайдумаров Илхомжон Миралимович, физика-математика фанлари номзоди, доцент.
    Етакчи ташкилот: Абу Райҳон Беруний номидаги Урганч давлат университети
    Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II. Тадқиқотнинг мақсади.
Чанглатиш ва кичик энергияли ион имплантация усуллари ёрдамида Си, Ге ва ГаП юза ва юза ости қатламларида кўп компонентли наноструктураларнинг ҳосил бўлиш механизмларини ва шакилланиш қоидаларини ва уларнинг таркиби, морфологияси, электрон ва оптик хоссаларини ўрганиш.
    III. Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
    Субмоноқатламли Cс плёнкалари адсорбсиясининг ГаП(111) ва Ге(111) таркиби, тузилиши ва физик хусусиятлари ўзгаришининг асосий қонуниятлари ўрганилди. Ө = 1 мқ да ϰ нинг 2 эВ ва ундан ортиқ камайиши, Эг қиймати ва валент электронларнинг зичлик ҳолати максимумлари эса амалий жиҳатдан ўзгармаслиги аниқланди.
    Си(111) юзасида Фе, Cо ва Мн ни чанглатиб ўтқазиш ва кейинги қиздириш жараёнида юпқа металл силидсид плёнкаларининг ҳосил бўлиш динамикаси ўрганилди. Натижада ФеСи, CоСи₂ ва Мн₃Си₇ туридаги нано-гетероструктуралари шаклланишининг асосий механизмлари аниқланди.
    НиСи₂/СиО₂/Си(111), НиГе₂/ГеО/Ге(111) ва Cу/БаСи₂/Си(111) МДЯ (металл-диелектрик-яримўтказгич) структурали кўп қатламли наноматериалларни олиш методикаси таклиф қилинди. Ушбу структуралар учун электронларнинг ҳолат зичлиги ўрганилди, энергетик соҳа параметрлари, эмиссион ва оптик хусусиятлари аниқланди. МДЯ ва МЯ (металл-ярим ўтказгич) тизимлари юзасида наноўлчамли омик контактларни олишнинг оптимал усуллари аниқланди.
Си(111) ва Ге(111) юза қатламлари тартибсизланиш даражасининг Ар⁺ ионларининг энергияси ва дозасига боғлиқлиги ўрганилди.
Биринчи марта Си ва ГаП га Cс⁺ ионларини имплантация таъсири бўйича қиёсий тадқиқотлар ўтказилди. Намунанинг таркибини, электрон ва кристалл тузилишини ўрганиш натижасида, биринчи ҳолда Cс+Си типидаги, иккинчи ҳолда эса Cс+Га типидаги юпқа плёнкалар ҳосил бўлиши аниқланди
Ге/НиГе₂/Ге(111) гетеросистемали наноплёнкаси олинди ва унинг зона-энергетик диаграммаси қурилди.
    IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Диссертация иши доирасида олинганн қуйидаги натижалар “ФОТОН” АЖ да фойдаланилган (асос: “ФОТОН” АЖ ишлаб чиқариш бўйича директорининг 17.07.2025 йилдаги №235 сонли илмий тадқиқот ишларининг натижалари бўйича жорий этиш далолатномаси):
•    Си(111) юзасида Фе, Cо ва Мн ни чанглатиб ўтқазиш ва кейинги қиздириш жараёнида юпқа металл силидсид плёнкаларининг ҳосил бўлиш динамикаси амалий жиҳатдан ўрганиб чиқилди, натижада ФеСи, CоСи₂ ва Мн₃Си₇ туридаги нано-гетероструктуралари шаклланишининг асосий механизмлари аниқланди.
•    НиСи₂/СиО₂/Си(111), НиГе₂/ГеО/Ге(111) ва Cу/БаСи₂/Си(111) МДЯ (металл-диелектрик-яримўтказгич) структурали кўп қатламли наноматериалларни олиш методикаси таклиф қилинди. Ушбу структуралар учун электронларнинг ҳолат зичлиги ўрганилди, энергетик соҳа параметрлари, эмиссион ва оптик хусусиятлари аниқланди. МДЯ ва МЯ (металл-ярим ўтказгич) тизимлари юзасида наноўлчамли омик контактлари олинди.
•    биринчи марта Си ва ГаП га Cс⁺ ионларини имплантация таъсири бўйича қиёсий тадқиқотлар ўтказилди. Намунанинг таркибини, электрон ва кристалл тузилишини ўрганиш натижасида, биринчи ҳолда Cс+Си типидаги, иккинчи ҳолда эса Cс+Га типидаги юпқа плёнкалар ҳосил бўлиши аниқланди.
Диссертация ишининг баъзи натижаларидан Тошкент давлат техника университетида, 2022-2024 йилларда давлат бюджети томонидан молиялаштирилаётган АЛ-202102215 рақамли “Ферромагнит нанокластерли Си билан айланма саратон ҳужайраларни тутиб қолувчи микро суюқлик каналли интеграллашган тизим” номли Оʻзбекистон-Турикия қоʻшма амалий лойиҳа доирасида европий, гадолиний, никел киришма атомлари билан легирланган кремний наногетеротузилмаларининг магнето қаршиликлари аниқланди ҳамда магнит майдон Б ва ҳарорат Т га боғлиқлиги хусусиятларини ўрганишда фойдаланилди ва натижада Си<ЭуО> намуна Т=125-300 К оралиқда магнит қаршилиги 45% гача оширишга эришилган.