Jumaev Jasurbek Mengli o‘g‘lining 
Falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
    Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Magnetron changlatish va ion implantatsiya usullari bilan olingan Si, Ge va GaP asosidagi ko‘p komponentli nanostrukturalarning elektron va optik xususiyatlari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
    Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM918 
    Ilmiy rahbar: Umirzakov Baltoxodja Ermatovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
    Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Islom Karimov nomidagi Toshkent davlat texnika universiteti.
    IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.05/2025.27.12.FM/T.09.01
    Rasmiy opponentlar: Maksimov Sergey Evlantievich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim;Saydumarov Ilxomjon Miralimovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
    Yetakchi tashkilot: Abu Rayhon Beruniy nomidagi Urganch davlat universiteti
    Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi.
Changlatish va kichik energiyali ion implantatsiya usullari yordamida Si, Ge va GaP yuza va yuza osti qatlamlarida ko‘p komponentli nanostrukturalarning hosil bo‘lish mexanizmlarini va shakillanish qoidalarini va ularning tarkibi, morfologiyasi, elektron va optik xossalarini o‘rganish.
    III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
    Submonoqatlamli Cs plyonkalari adsorbsiyasining GaP(111) va Ge(111) tarkibi, tuzilishi va fizik xususiyatlari o‘zgarishining asosiy qonuniyatlari o‘rganildi. Ө = 1 mq da ϰ ning 2 eV va undan ortiq kamayishi, Eg qiymati va valent elektronlarning zichlik holati maksimumlari esa amaliy jihatdan o‘zgarmasligi aniqlandi.
    Si(111) yuzasida Fe, Co va Mn ni changlatib o‘tqazish va keyingi qizdirish jarayonida yupqa metall silidsid plyonkalarining hosil bo‘lish dinamikasi o‘rganildi. Natijada FeSi, CoSi₂ va Mn₃Si₇ turidagi nano-geterostrukturalari shakllanishining asosiy mexanizmlari aniqlandi.
    NiSi₂/SiO₂/Si(111), NiGe₂/GeO/Ge(111) va Cu/BaSi₂/Si(111) MDYa (metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich) strukturali ko‘p qatlamli nanomateriallarni olish metodikasi taklif qilindi. Ushbu strukturalar uchun elektronlarning holat zichligi o‘rganildi, energetik soha parametrlari, emission va optik xususiyatlari aniqlandi. MDYa va MYa (metall-yarim o‘tkazgich) tizimlari yuzasida nanoo‘lchamli omik kontaktlarni olishning optimal usullari aniqlandi.
Si(111) va Ge(111) yuza qatlamlari tartibsizlanish darajasining Ar⁺ ionlarining energiyasi va dozasiga bog‘liqligi o‘rganildi.
Birinchi marta Si va GaP ga Cs⁺ ionlarini implantatsiya ta’siri bo‘yicha qiyosiy tadqiqotlar o‘tkazildi. Namunaning tarkibini, elektron va kristall tuzilishini o‘rganish natijasida, birinchi holda Cs+Si tipidagi, ikkinchi holda esa Cs+Ga tipidagi yupqa plyonkalar hosil bo‘lishi aniqlandi
Ge/NiGe₂/Ge(111) geterosistemali nanoplyonkasi olindi va uning zona-energetik diagrammasi qurildi.
    IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Dissertatsiya ishi doirasida olingann quyidagi natijalar “FOTON” AJ da foydalanilgan (asos: “FOTON” AJ ishlab chiqarish bo‘yicha direktorining 17.07.2025 yildagi №235 sonli ilmiy tadqiqot ishlarining natijalari bo‘yicha joriy etish dalolatnomasi):
•    Si(111) yuzasida Fe, Co va Mn ni changlatib o‘tqazish va keyingi qizdirish jarayonida yupqa metall silidsid plyonkalarining hosil bo‘lish dinamikasi amaliy jihatdan o‘rganib chiqildi, natijada FeSi, CoSi₂ va Mn₃Si₇ turidagi nano-geterostrukturalari shakllanishining asosiy mexanizmlari aniqlandi.
•    NiSi₂/SiO₂/Si(111), NiGe₂/GeO/Ge(111) va Cu/BaSi₂/Si(111) MDYa (metall-dielektrik-yarimo‘tkazgich) strukturali ko‘p qatlamli nanomateriallarni olish metodikasi taklif qilindi. Ushbu strukturalar uchun elektronlarning holat zichligi o‘rganildi, energetik soha parametrlari, emission va optik xususiyatlari aniqlandi. MDYa va MYa (metall-yarim o‘tkazgich) tizimlari yuzasida nanoo‘lchamli omik kontaktlari olindi.
•    birinchi marta Si va GaP ga Cs⁺ ionlarini implantatsiya ta’siri bo‘yicha qiyosiy tadqiqotlar o‘tkazildi. Namunaning tarkibini, elektron va kristall tuzilishini o‘rganish natijasida, birinchi holda Cs+Si tipidagi, ikkinchi holda esa Cs+Ga tipidagi yupqa plyonkalar hosil bo‘lishi aniqlandi.
Dissertatsiya ishining ba’zi natijalaridan Toshkent davlat texnika universitetida, 2022-2024 yillarda davlat byudjeti tomonidan moliyalashtirilayotgan AL-202102215 raqamli “Ferromagnit nanoklasterli Si bilan aylanma saraton hujayralarni tutib qoluvchi mikro suyuqlik kanalli integrallashgan tizim” nomli Oʻzbekiston-Turikiya qoʻshma amaliy loyiha doirasida evropiy, gadoliniy, nikel kirishma atomlari bilan legirlangan kremniy nanogeterotuzilmalarining magneto qarshiliklari aniqlandi hamda magnit maydon B va harorat T ga bog‘liqligi xususiyatlarini o‘rganishda foydalanildi va natijada Si<EuO> namuna T=125-300 K oraliqda magnit qarshiligi 45% gacha oshirishga erishilgan.

Yangiliklarga obuna bo‘lish