Kaxramonova Guliston Pardaevnaning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

    I. Umumiy ma’lumotlar.
    Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmogʻi nomi): “GaAs, Ta, Tb, Tm elementlarini klaster va ko‘p zaryadli ionlar bilan bombardimon qilinganda ikkilamchi emissiya jarayonlari”, 01.04.04 – Fizik elektronika (fizika-matematika fanlari).
    Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM1242.
    Ilmiy rahbar: Usmanov Dilshadbek Tursunbaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
    Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: U.A. Arifov nomidagi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti.
    IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti, DSc.02/30.12.2019.FM/T.65.01.
    Rasmiy opponentlar: Kutliev Uchkun Otoboevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Sayidumarov Ilxomjon Miralimovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, dotsent.
Yetakchi tashkilot: Islom Karimov nomidagi Toshkent Davlat Texnika Universiteti
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi:Ikkilamchi ionlar mass-spektrometriyasi usuli bilan qattiq jismlar sirtini kichik energiyali, ko‘p atomli klaster va ko‘p zaryadli ionlar bilan bombardimoni vaqtidagi ikkilamchi emissiya jarayonlarida nochiziqli va noadditiv effektlarni tadqiq qilishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
- birinchi bor sirtiy ionlashishga asoslangan post ionlashish usuli bilan iridiy emitteri yuzasida GaAs nishonini 1-10 keV energiya diapazonida Bim+ (m=1-5) klaster ionlari bilan bombardimon qilish natijasida hosil bo‘lgan neytral galliy atomlari musbat ionlarga aylantirildi va neytral galliy atomlari uchun bombardimon klaster ionida har bir atomga energiya ortishi bilan noadditivlik koeffisientlarining kamayish tendensiyasi aniqlandi;
-GaAs nishoni 2-10 keV energiya diapazonidagi ko‘p zaryadli Biq+ ionlari bilan bombardimon qilinganda, matrisa ionlari (Ga+, Ga2+, As+), shuningdek, adsorbsiyalangan ionlar va aralashmalar ionlari (C+, H2O+, Na+, Al+, K+, Ni+, Cu+, Cs+, Bin+) chiqishining ko‘p marta ortishi, birlamchi bombardimon qilayotgan ionlar zaryadini ortishi bilan bog‘liqligi va bu bog‘liklik ko‘proq ionlashish potensiali yuqori bo‘lgan ionlar uchun xarakterli ekanligi aniqlandi. Bu esa urib chiqarilgan ionlar to‘g‘ridan to‘g‘ri to‘qnashuv natijasida changlangan atomlar orasidagi zaryad almashinuvi bilan tushuntiriladi;
-Ta nishon sirtida Bimq⁺ (m=1-4), (q=1-6) klaster va ko‘p zaryadli ionlar bilan bombardimon qilinganda ion-foton emissiya (IFE) chiqishi birlamchi vismut klaster ionlarida atomlar sonining ortishi bilan sirtda energiyaning lokal zichlashishi, qo‘zg‘algan atomlar ulushining ko‘payishi hamda ionlardagi yuqori potensial energiya, sirt bilan elektron almashinuvi natijasida IFE chiqishining noadditiv oshishi aniqlandi;
-birlamchi klaster va ko‘p zaryadli ionlardagi atomlar soni va energiyasini ortishi bilan tantal IFEsi integral chiqishining noadditiv o‘sishi, zich to‘qnashuv kaskadlari sohasidan atomlarning qo‘shimcha chiqishi va qo‘zg‘alishi bilan bog‘liq bo‘lib, bu esa yuza termal cho‘qqilarining hosil bo‘lishiga olib kelishi, shuningdek IFE chiqishi ko‘p zaryadlangan ionlarning zaryadiga q < 4 bo‘lganda zaif bog‘liq ekani va zaryad 3 dan 6 gacha oshganidagina ortishi aniqlandi;
-Tm va Tb nishonlarining Bi va Au klaster ionlari bilan birlamchi ionlardagi atomlar sonini ortish jarayonida sirtda- energiya zichlashishi, elektron qo‘zg‘alishi va lokal qizish jarayonlarini bir vaqtda kuchayishi natijasida IFEsining noadditiv ortishi aniqlandi;
-IFE tadqiqotlari Tm nishonining sirtini Bi klaster ionlari bilan bombardimon qilinishida integral IFEsi koeffisientlarining bombardimon qiluvchi ionlaridagi atomlar soni ortishi bilan noadditiv o‘sishi kuzatildi, bu noadditiv o‘sish sirtdagi termal cho‘qqilari sohalaridan tarqalgan atomlarning qo‘shimcha uyg‘otilishi bilan bog‘liqligi aniqlandi.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
Yarimo‘tkazgich GaAs va Ta, Tm Tb elementlarining klaster va ko‘p zaryadli ionlar bilan bombardimon vaqtidagi ikkilamchi emissiya jarayonlarida sodir bo‘ladigan nochiziqli va noadditiv effektlarni kompleks tadqiqi natijalari asosida:
-yarim o‘tkazgich galliy arsenid nishonini kichik energiyali (1-10 keV) vismut klaster va ko‘p zaryadli ionlar bilan bombardimon vaqtidagi olingan ilmiy natijalar № IL-4821091667-sonli «Oksid yarimo‘tkazgich betartib materiallarda dielektrik-metall o‘tishlari va elektr o‘tkazuvchanligi mexanizmlari» nomli ilmiy loyihani bajarishda foydalanilgan (O‘zbekiston Milliy Universitetining 25.09.2025-yildagi №01/11-20230-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning qo‘llanilishi materialning elektron va strukturaviy xususiyatlarini o‘zgartirish, shuningdek ion bombardimoni orqali hosil bo‘ladigan yuza defektlari va emissiya jarayonlarini oksid amorf yarimo‘tkazgichlarda dielektrik-metall o‘tish mexanizmlarini chuqurroq anglash va fizika-kimyoviy fundamental qonuniyatlarni tushuntirish imkonini bergan;
-Ta nishonning yuzasini klaster va ko‘p zaryadlangan Bimq⁺ (m=1-4), (q=1-6) ionlari bilan bombardimon qilinish sharoitida ion-foton emissiya jarayonlarini tadqiq qilishda olingan ilmiy natijalar № MRB-2021-521-sonli «Alyuminiy va tantal oksidlari asosida yangi mustahkam nanostrukturali materiallarni yaratish» nomli ilmiy amaliy loyihani bajarishda foydalanilgan (Islom Karimov nomidagi Toshkent Davlat Texnika Universitetining 27.09.2025-yildagi №01/9-14-2630-sonli ma’lumotnomasi). Ilmiy natijalarning loyihada qo‘llanilishi alyuminiy qotishmasini tantal oksidi bilan legirlash jarayonida tantal oksidining alyuminiy qotishmasidagi taqsimlanishi o‘rganish, shuningdek ikki qavatli yupqa plyonkali Ta/Al tizimini kislotali elektrolitlarda elektrokimyoviy anodlash natijasida hosil bo‘lgan anod alyuminiy va tantal oksidlarining kompozit matrisa tizimiga aylantirish texnologiyasining ilmiy asoslarini chuqurroq tushunish imkonini bergan.