Ergashev Biloliddin Mirsharibjon o‘g‘lining
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon
I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Pt va Ni kirishma atomlarining kremniy kristallidagi holatlari va ularning o‘zaro ta’sirlashuv jarayonlarini tadqiq etish” 01.04.10 – “Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2025.1.PhD/FM1268
Ilmiy rahbar:, Zaynabidinov Sirajidin Zaynabidinovich fizika-matematika fanlari doktori, professor, O‘zR FA akademigi.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan davlat texnika universiteti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04 raqamli ilmiy kengash.
Rasmiy opponentlar: Gulyamov Gafurjon, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Otajonov Salim Madrahimovich, fizika-matematika fanlari doktori, professor;
Yetakchi tashkilot: Qarshi davlat universiteti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: kremniy namunalarida Pt va Ni atomlarining kristall panjaradagi holatlarini, ularning o‘zaro ta’sir mexanizmlarini hamda diffuziya jarayonlarida yuzaga keladigan nuqsonlarning tabiatini o‘rganishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
ilk bor 950÷1150°C da issiqlik ishlovi berilgan n-Si namunalarida kislorod-kremniy birikmalari tufayli nanokristallitlar, p-Si da esa amorf klasterlar hosil bo‘lishi rentgenodifraksiya va raman spekroskopiya usullari yordamida aniqlangan;
950÷1150°C da issiqlik ishlovidan so‘ng p-Si<B> va p-Si<B,Pt> namunalarida panjara doimiysi, subkristallit va kristallit o‘lchamlarining ortishi hisobiga yuzaga keluvchi ichki kuchlanishlar ta’sirida 60÷75 nm li nanotuzilmalar shakllanishi raman spekroskopiya usuli yordamida aniqlangan;
1250°C da issiqlik ishlovi natijasida n-Si<R,Ni> namunalarida SiO₂ (25 nm), B₂O₃ (55 nm) va SiNi₃ (27,4 nm) kristallitlari hamda 2 nm li SiOx amorf qatlamlar shakllanishi rentgenodifraksiya usuli yordamida aniqlangan;
p-Si<B> va p-Si<B,Pt> namunalariga 950÷1150 °C li issiqlik ishlovlari berilishi natijasida B va Pt kirishma atomlari klasterlar va neytral nuqsonlar hosil qilishi tufayli tok tshuvchilar harakatchanligining o‘zgarishi Van-der-Pau usuli yordamida aniqlangan;
300–900°C haroratli issiqlik ishlovlari berilgan kremniyda kislorod va uglerod atomlarining Pt, Ni va P legirlovchi elementlar bilan o‘zaro ta’sirlashuvi tufayli infraqiizil faol markazlar shakllanishi optik spektroskopiya usuli yordamida aniqlangan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi.
kremniy namunalarida Pt va Ni atomlarining kristall panjaradagi holatlarini, ularning o‘zaro ta’sir mexanizmlarini hamda diffuziya jarayonlarida yuzaga keladigan nuqsonlarning tabiatini o‘rganish bo‘yicha olingan natijalar asosida:
950°C, 1050°C va 1150°C haroratlarda Pt atomlari kiritilgan monokristall kremniy namuanalarining panjara doimiylari (aSi,(950°C) = 0,5337 nm, aSi,(1050°C) = 0,5343 nm va aSi,(1150°C) = 0,5349 nm) kamayishini, Pt atomlarining miqdori harorat ortishi bilan kremniy panjarasida bir xil miqdorda taqsimlanishi natijasida kristall panjaradagi nuqsonlar kamayib, subkristallitlarning o‘lchamlari (59,6 nm, 60,4 nm va 61,1 nm) ortishini hamda 950°C, 1050°C va 1150°C haroratlarda issiqlik ishlovlari berilgan monokristall p-Si<B> namunalarining sirtiy sohalarida kremniy va kislorod atomlari o‘zaro to‘yinmagan (SiOx) bogʻlari tufayli 2 nm, 1,6 nm va 1,7 nm o‘lchamli klasterlar shakllanishini, shuningdek, ularning Pt atomlari kiritilgan holda esa qisman tartiblanishini aniqlash usullaridan “FOTON” AJ da ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar tayyorlashda foydalanilgan (“FOTON” aksionerlik jamiyatining 2025-yil 17 avgustdagi 46-son ma’lumotnomasi). Natijada tajriba namunalarida elektron texnika asboblari tayyorlash hamda ularning elektrofizik va optik xossalarini yaxshilash imkoniyati yaratilgan.
200–300 K da p-Si<B> namunalarida harakatchanlik ko‘rsatkichi Pt kiritilishidan oldin m = 0,4 bo‘lib, kiritilgandan so‘ng m = 0,6 gacha ortishi, 300–450 K da p-Si<B> va p-Si<B,Pt> namunalarida m = 0,2 gacha kamayishi, 1050 °C da 5 soatlik issiqlik ishlovidan so‘ng p-Si<B> da m = 2,6 gacha keskin oshishi hamda 1150 °C da Pt kiritilgan p-Si<B> da (200–450 K oralig‘ida) m = 0,6 gacha kamayishi kabi ilmiy natijalardan “FOTON” AJ da ishlab chiqariladigan yarimo‘tkazgichli elektron qurilmalar tayyorlashda foydalanilgan (“FOTON” aksionerlik jamiyatining 2025-yil 17 avgustdagi 46-son ma’lumotnomasi). Natijada tajriba namunalarida elektron texnika asboblari tayyorlash hamda ushbu yo‘nalishda olib borilayotgan tadqiqotlar asosida turli sohalarda yuzaga keladigan hajmiy nuqsonlarni kamaytirish imkoniyati yaratilgan.
