Erdonov Muzaffar Nazarovichning
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i): “Monokristal kremniyning xossalarini kobalt va radiatsiyaviy nuqsonlar kiritish orqali takomillashtirish”, 01.04.07 – Kondensirlangan holat fizikasi (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: № B2024.2. PhD/FM1110
Ilmiy rahbar: Shermaxmat Maxkamov, fizika-matematika fanlari nomzodi, katta ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi Yadro fizikasi  instituti 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Yadro fizikasi instituti, DSc.02/30.12.2019.FM/T.33.01.
Rasmiy opponentlar: Rajapov Sali Ashirovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim. Muxtarov Adil Pozilovich, fizika-matematika fanlari nomzodi, katta ilmiy xodim.
Yetakchi tashkilot: Mirzo Ulug‘bek nomidagi O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti.
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqot ishining maqsadi kremniyning xususiyatlarini va kobalt kirishmali hamda radiatsiyaviy elektr faol nuqson markazlari bilan kompensatsiyalangan kremniy p+-n-n+ diodli tuzilmalarning xususiyatlarini boshqarishdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi:
termal diffuziya usuli bilan legirlash paytida kremniydagi kobalt konsentratsiyasining taqsimot profili aniqlangan, va birinchi marta reaktor neytronlarini faollashtirish tahlili usuli bilan kobalt aralashmalari va uning 59Co  hamda 56Co radionuklidining kremniydagi eruvchanlik konsentratsiyasidagi farq aniqlangan; Si dagi Co ning eruvchanligining haroratga bog‘liqligini tavsiflovchi empirik ifodalar olingan;
birinchi marta ionlanish energiyasi Ec-0,41 eV va Ec-0,55 eV bo‘lgan diodlarning tayanch hududida, kobaltning akseptor tipidagi chuqur sathli kompensatsion elektr faol rekombinatsiya markazlarini shakllantirish orqali n-Si diffuziya diodlarining ishlash tezligini oshirish imkoniyati ko‘rsatilgan;
birinchi marta kremniy p+-n-n+ diodli konstruksiyalarning teskari qarshiligini tiklash vaqtini kobalt kirishmani kiritish va hosil boʻlgan diffuziya p+ qatlamining chuqurligiga qarab elektron, proton hamda gamma-nurlar bilan nurlantirish vaqtida kompensatsion nurlanish nuqson markazlarini shakllantirish orqali tartibga solish imkoniyati taklif etilgan;
termostabil (450 ℃ gacha) rekombinatsion nurlanish nuqsonlari markazlarini yaratish uchun termo-radiatsiya texnologiyasi ishlab chiqilgan bo‘lib, u keng diapazonda p+-n-n+ tuzilmalarining diffuziya tezligini tartibga solish imkoniyatini bergan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi: kirishma va radiatsiyaviy nuqson markazlarining kobalt bilan legirlangan kremniyga o‘tishi va parchalanishi va yuqori energiyali yadro zarralari ta’sirining shakllanishi jarayonlarini o‘rganish natijalariga ko‘ra:
 p+- qatlamining chuqurligiga, kompensatsion nurlanish nuqsonlari markazlarining tarkibi va turiga qarab radiatsiya texnologiyasi bo‘yicha diffuziya p+-n-n+ diodlarining teskari qarshiligini tiklash vaqtini nazorat qilish natijalari “UZELTEXSANOAT” AK qoshidagi “FOTON” AJ tomonidan qo‘llanilgan. (“UZELTEXSANOAT” Akning  2024-yil  22-iyuldagi  №04-3/1215-sonli xati hamda  FOTON AJning 2024-yil 11-iyuldagi 132-sonli guvohnomasi). Natijalardan foydalanish tezlashtirilgan elektronlar bilan nurlatish yo‘li bilan n-Si dan yasalgan diodlarning parametrlari va xarakteristikalarini optimallashtirish imkonini bergan;
kremniy plastinalarini kobalt kirishmalari bilan termal diffuziyali legirlashning ishlab chiqilgan usuli FOTON” AJ tomonidan qo‘llanilgan (“UZELTEXSANOAT” Akning  2024-yil  22-iyuldagi  №04-3/1215-sonli xati hamda  FOTON AJning 2024-yil 11-iyuldagi 132-sonli guvohnomasi). Natijalardan foydalanish n-Si da kobaltning rekombinatsion qabul qiluvchi markazlarini yaratish yo‘li bilan diffuziya diodlarining unumdorligini oshirish imkonini bergan;
2-4 MeV energiyali elektronlar bilan nurlanganda kremniy p+-n-n+ tuzilmalarida 450 ℃ haroratgacha termostabil bo‘lgan rekombinatsion nurlanish nuqsonlari markazlarini joriy qilish uchun ishlab chiqilgan termoradiatsiya usuli FOTON” AJ tomonidan qo‘llanilgan (“UZELTEXSANOAT” Akning  2024-yil  22-iyuldagi  №04-3/1215-sonli xati hamda  FOTON AJning 2024-yil 11-iyuldagi 132-sonli guvohnomasi). Natijalardan foydalanish kremniyli diodlari unumdorligini ikki baravargacha oshirish imkonini bergan.  
“U-003” elektron tezlatkichida kremniy diodli konstruksiyalarning xarakteristikalari va parametrlarini o‘zgartirish uchun radiatsiya texnologiyasidan foydalanish bo‘yicha olingan ma’lumotlar asosida Yadro fizikasi instituti va “FOTON” AJ orasida ikki tomonlama hamkorlik shartnomalari tuzildi.