Gaymnazarov Qurbon Gulmuradovichning 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar. Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Suyuq fazali epitaksiya usulida o‘stirilgan (GaAs)1-z(ZnSe)z qattiq qorishmasining elektrofizik va fotoelektrik xossalari” 01.04.10–Yarimo‘tkazgichlar fizikasi (fizika-matematika fanlari).  
Dissertatsiya mavzusi ro‘yxatga olingan raqam: B2018.2.PhD/FM259 
Ilmiy rahbar: Usmonov Shukrullo Negmatovich, fizika-matematika fanlari doktori, katta ilmiy xodim.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti. 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: O‘zbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Fizika-texnika instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.02/27.02.2020.FM/T.110.01 raqamli Ilmiy kengash
Rasmiy opponentlar: Mamadalimov Abdug‘afur Teshaboevich, akademik, fizika-matematika fanlari doktori; Radjapov Sali Ashirovich, texnika fanlari doktori, kat.ilm.xodim.
Yetakchi tashkilot: Farg‘ona davlat universiteti. 
Dissertatsiya yo‘nalishi: nazariy va amaliy ahamiyatga molik.
II.Tadqiqotning maqsadi GaAs tagliklarida (GaAs)1-z(ZnSe)z o‘rin almashuvchi qattiq qorishma qatlamlarini qalayli va qo‘rg‘oshinli eritmalardan olishning suyuq fazali epitaksiyasi texnologiyasini ishlab chiqish va ularning strukturaviy, elektrofizik va fotoelektrik xususiyatlarini  o‘rganishdan iborat.
III.Tadqiqotning ilmiy yangiligi quyidagilardan iborat:
panjara doimiysi 5.6543 Å, yo‘nalishi (100) bo‘lgan monokristall strukturaga ega (GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.8) qattiq qorishmalarini GaAs(100) tagliklariga Sn eritmasidan 700-650 °S va Pb dan 860-760 °C temperaturalar oralig‘ida 1 °S/min tezlikda sovutish orqali o‘stirish texnologik rejimi ishlab chiqilgan;
ilk bor Sn eritmasidan o‘stirilgan (GaAs)1-z(ZnSe)z qattiq qorishmalari kovakli, Pb dan o‘stirilganlari esa elektronli turdagi o‘tkazuvchanlikka ega ekanligi va ular mos ravishda xona temperaturasida ~0.2 va ~0.3∙10-3 ∙cm solishtirma qarshilikga ega bo‘lishi ko‘rsatilgan;
tarkibida ZnSe miqdori ko‘p bo‘lgan (GaAs)1-z(ZnSe)z (z  0.8) qattiq qorishmasining qorong‘ulikdagi o‘tkazuvchanligi faollashuv xarakteriga egaligi va faollashuv energiyasi ~0.31 eV ga teng ekanligi turli haroratlardagi nGaAs–p(GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.80) geterostrukturasining elektrofizik xossalarini o‘rganish orqali aniqlangan;
300-413 K temperaturalar oralig‘ida p(GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.8) qattiq qorishmasida zaryad tashuvchilarning sochilishi asosan kristall panjara atomlarining issiqlik tebranishlari hisobiga sodir bo‘lishi aniqlangan;
nGaAs–p(GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.80) geterostrukturasining fotosezgirlik oralig‘i 300 K da fotonlar energiyasining 1.18 dan 1.88 eV gacha, 77 K da esa 1.2 dan 2.8 eV gacha bo‘lgan oralig‘ini qamrab olish xususiyati aniqlangan;
Sn eritmasidan o‘stirilgan (GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.80) qattiq qorishmasi epitaksial qatlami sirtida asosining diametri 80 nm dan 300 nm gacha va balandligi 6 nm dan 18 nm gacha bo‘lgan tartibli joylashgan nanoo‘lchamli bo‘rtiklar qatorining hosil bo‘lishi, hamda epitaksial qatlam sirtining silliq qismidagi g‘adir-budurlik o‘lchami ~1 nm dan oshmasligi epitaksial qatlam sirtini atom kuchi mikroskopida olingan natijalari ko‘rsatilgan.
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. 
(GaAs)1-z(ZnSe)z qattiq qorishma suyuq fazali epitaksiyasining fizik-texnologik xususiyatlarini, ularning strukturaviy va elektrofizik xossalarini, shuningdek ular asosidagi p-n- strukturalarida tok o‘tish mexanizmlarini o‘rganishdan olingan natijalar asosida:
~ 0.31 eV faollashuv energiyasiga ega bo‘lgan (GaAs)1-z(ZnSe)z (z  0.8) qattiq qorishmasining qorong‘ulikdagi o‘tkazuvchanligining faollashuv xususiyati, hamda (GaAs)1-z(ZnSe)z (0  z  0.8) qattiq qorishmasida zaryad tashuvchilarning 300–413 K temperaturalar oralig‘ida sochilishi asosan kristall panjara atomlarining issiqlik tebranishlari hisobiga sodir bo‘lishi haqidagi xulosalar Namangan muhandislik-qurilish institutida bajarilgan “Kuchli elektromagnit maydonda nanoo‘lchamli yarimo‘tkazgichlarning parametirlariga temperatura, deformatsiya va yorug‘likning ta’siri” nomli fundamental loyihada foydalanilgan (asos O‘zbekiston Respublikasi oliy ta’lim, fan va innovatsiyalar vazirligi huzuridagi Oliy ta’limni rivojlantirish tadqiqotlari markazi tomonidan 2025-yil 21-fevraldagi № 02/01-01-71 raqamli Ma’lumotnoma). Natijalardan foydalanish kuchli elektromagnit maydonlarda sodir bo‘ladigan ossilyasiya hodisalarining temperaturaga bog‘liqligini tushuntirishga imkon bergan; 
O‘zgaruvchan tarkibli (GaAs)1-z(ZnSe)z QQ epitaksial qatlamlarini Sn eritmasidan GaAs(100) tagliklarida o‘stirish texnologiyasi ishlab chiqilgan (O‘zbekiston respublikasi patenti “O‘zgaruvchan zonali (GaAs)1-z(ZnSe)z qatlamlarini olish usuli” IH DP № 5256, 27.07.1998 y.). O‘stirilgan qattiq qorishma tarkibiga kirgan Sn atomlari akseptor atom vazifasini bajarib, kovakli turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan o‘zgaruvchan zonali monokristall p(GaAs)1-z(ZnSe)z epitaksial qatlamlarini olish imkonini bergan;
O‘zgaruvchan tarkibli (GaAs)1-z(ZnSe)z qattiq qorishmasining epitaksial qatlamlarini Pb eritmasidan GaAs(100) tagliklarida o‘stirish texnologiyasi ishlab chiqilgan (O‘zbekiston respublikasi patenti “O‘zgaruvchan zonali (GaAs)1-z(ZnSe)z qatlamlarini olish usuli” IDP № 04776, 18.05.2001 y.). O‘stirilgan qattiq qorishma tarkibiga kirgan Pb atomlari donor atom vazifasini bajarib, elektronli turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan o‘zgaruvchan zonali monokristall n(GaAs)1-z(ZnSe)z epitaksial qatlamlarini olish imkonini bergan.