Foziljonov Mirzabaxrom Baxtiyorjon o‘g‘lining 
falsafa doktori (PhD) dissertatsiyasi himoyasi haqida e’lon

I. Umumiy ma’lumotlar.
Dissertatsiya mavzusi, ixtisoslik shifri (ilmiy daraja beriladigan fan tarmog‘i nomi): “Vertikal maydon tranzistorlarini elektrofizik xususiyatlariga chegara sohasidagi va oksid qatlamidagi lokal zaryadning ta’siri” 01.04.10–“Yarimo‘tkazgichlar fizikasi” ixtisosligi bo‘yicha falsafa doktori (PhD) (fizika-matematika fanlari).
Dissertatsiya mavzusi ro‘yhatga olingan raqam: B2024.1.PhD/FM1038
Ilmiy rahbar: Karimov Ibroximjon Nabievich, fizika-matematika fanlari doktori., Professor.
Dissertatsiya bajarilgan muassasa nomi: Andijon davlat universiteti 
IK faoliyat ko‘rsatayotgan muassasa nomi, IK raqami: Namangan davlat texnika universiteti, PhD.03/30.11.2022.FM/T.66.04.
Rasmiy opponentlar: Gulyamov Gafurjon, fizika-matematika fanlari doktori, professor; Zikrillaev Nurullo Fatxullaevich, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
Yetakchi tashkilot: Urganch davlat universiteti.    
Dissertatsiya yo‘nalishi: ilmiy amaliy ahamiyatga molik.
II. Tadqiqotning maqsadi: nanoo‘lchamli izolyasiyalangan uch zatvorli, izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosida  vertikal maydon tranzistorlarning tavsiflari va elektrofizik parametrlariga zatvor ostidagi oksid qatlamida joylashgan lokal zaryadning ta’sirini aniqlashdan iborat.
III. Tadqiqotning ilmiy yangiligi: 
izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosida olingan FinFET tranzistorining zatvor osti oksid qatlamida kanal bo‘ylab lokal zaryad joylashgan soha kengligi istokdan stok tomon ortishida, kanal sirtida zaryad tashuvchilar konsentratsiyasining taqsimotini o‘zgarishi xisobiga istok-zatvor va stok-zatvor bog‘lanish sig‘imlarini ortishi aniqlangan;
vertikal izolyasiyalangan zatvorli, izolyator ustida kremniy (SOI) texnologiyasi asosida olingan maydon tranzistor stok-zatvor va istok zatvor bog‘lanishlarning sig‘imlarini nisbati, zatvor osti oksid qatlamidagi kanal bo‘ylab lokal zaryad joylashgan soha kengligi stokdan istok tomonga kengayshi bilan nomonoton o‘zgarib maksimumga ega bo‘lishi ko‘rsatilgan;
izolyator ustida kremniy texnologiyasi asosida olingan vertikal izolyasiyalangan zatvorli maydon tranzistorida zatvor osti oksid qatlamida joylashgan lokal zaryadning vaziyati istokdan stok tomon ko‘chirilganda, kanal sirtidagi elektronlar zichligini o‘zgarishi xisobiga, istok-zatvor bog‘lanish sig‘imini monoton ortishi, stok-zatvor bog‘lanish sig‘imi esa monoton kamayishi  ko‘rsatilgan;
zatvor osti oksid qatlamidagi, kanal bo‘ylab lokal zaryad joylashgan soha kengligi 5 nm bo‘lgan lokal zaryad kanal bo‘ylab istokdan stok tomon ko‘chirilganda, izolyator-ustida-kremniy texnologiyasi asosida olingan FinFET tranzistorning stok toki, bo‘sag‘a kuchlanishini o‘zgarishi xisobiga, nomonoton o‘zgarib ma’lum maksimumga ega bo‘lishi aniqlangan;
FinFET tranzistorning stok toki, zatvor osti oksid qatlamidagi kanal bo‘ylab lokal zaryad joylashgan sohaning stokdan istok tomonga kengayishi, bo‘sag‘a kuchlanishining o‘zgarishiga mos ravishda, keskin ortishi ko‘rsatilgan;
IV. Tadqiqot natijalarining joriy qilinishi. Vertikal maydon tranzistorlarini elektrofizik xususiyatlariga chegara sohasidagi va oksid qatlamidagi lokal zaryadning ta’siri mavzusi bo‘yicha olingan ilmiy natijalar asosida: 
Vertikal maydon tranzistorlarini oksid qatlamida to‘plangan lokal zaryad vaziyati istokdan stok tomonga siljishi natijasida bo‘sag‘a kuchlanishining monoton kamayishi va stok sohasiga yaqin qismida yanada ortishini raqamli modellashtirish asosida olingan ilmiy natijalar “Foton” AJ da joriy qilingan (FOTON aksiyadorlik jamiyati, 2025-yil 6-fevraldagi 22-son ma’lumotnomasi). Natijada planar, vertikal, o‘tishsiz, tunnel va izolyasiyalangan zatvorli maydon tranzistorlarining tuzilmalari va ularning elektrofizik parametrlarini takomillashtirish hamda funksional tavsiflarini yanada yaxshilash jarayonida keng ko‘lamda qo‘llash tavsiya etilgan. 
Nanoo‘lchamli FinFET tranzistori zatvor-istok bog‘lanish sig‘imi oksid qatlamining stok yaqinida joylashgan lokal zaryadning kanal bo‘ylab chiziqli o‘lchamiga, shuningdek, zatvor-istok sig‘imining zatvor-stok sig‘imiga nisbati oksid qatlamidagi lokal zaryadning kanal bo‘ylab joylashuviga monoton bog‘liqligini aniqlashda olingan ilmiy natijalar Namangan muhandislik-qurilish institutida 2017-2020 yillarga mo‘ljallangan OT-F2-70 “Kuchli elektromagnit maydonda nanoo‘lchamli yarimo‘tkazgichlarning parametrlariga harorat, defomratsiya va yorug‘likning ta’siri” mavzusidagi fundamental tadqiqot loyihasini bajarishda joriy etilgan (Namangan muhandislik-qurilish instituti, 2025-yil 28-yanvardagi 06/1/10-09/43-son ma’lumotnomasi). Natijada nanoo‘lchamli metall–oksid–yarimo‘tkazgich strukturalarda oksid qatlamida joylashgan lokal zaryadning kanal bo‘ylab chiziqli o‘lchami zatvor–istok bog‘lanish sig‘imiga sezilarli ta’sir ko‘rsatishi ilmiy jihatdan asoslab berilgan.