Хуррамов Рамозан Равшановичнинг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ СбхСей юпқа қатламларининг физик хоссалари ва улар асосидаги қуёш элементлари ” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2024.2.PhD/FM492
Илмий раҳбар: Разиков Тахирджон Муталович, физика-математика фанлари доктори, проф.
Диссертация бажарилган муассаса номи: ЎзР ФА Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Раджапов Сали Аширович, физика-математика фанлари доктори, катта илмий ходим; Халмурат Миджитович Илиев, физика-математика фанлари доктори, профессор.
Етакчи ташкилот: Ўзбекистон миллий университети.     
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади КМДЎ усули ёрдамида алоҳида Сб ва Се манбаларидан СбхСей юқори сифатли юпқа қатламларини ўстириш ва уларнинг физик хусусиятларини ўрганиш ва улар асосида юпқа қатламли ҚЕлари олишдан иборат.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Илк бор намуна таркибини бошқариш имконига эга бўлган, вакуумсиз КМДОʻ усули ёрдамида алоҳида Сб ва Се элементларидан СбхСей юқори сифатли поликристалл юпқа қатламларини олишнинг оптимал технологик режими ишлаб чиқилган;  
таглик ҳарорати 450 °C бўлганда СбхСей юпқа қатламларининг микрокристаллчалари зич жойлашган бўлиб, уларнинг диаметри ва узунликлари мос равишда 0.5÷2 µм ва 1÷6 µм эканлиги ва асосан (ҳк1) йўналишларда ўсиши рентгенограммаларда (211), (221) ва (061) каби чўққиларнинг юқори интенсивликда намоён бўлиши  билан аниқланган;
олинган Сб2Се3 юпқа қатламларининг ёруғлик ютиш коеффициенти α = 104÷105 см-1 бўлиб, тўғри оптик ўтишларга мос келиши ва таглик ҳарорати 400 °C дан 500 °C гача ўзгарганда, донлар ҳажми катталашиши ҳисобига таʼқиқланган соҳа кенглиги 1,26 эВ дан 1.16 эВ гача камайиши аниқланган; 
Сб2Се3 юпқа қатламларининг солиштирма электр оʻтказувчанлигининг ҳароратга богʻлиқлик функсиясидан, 400, 450 ва 500 °C таглик ҳароратидаги намуналарда мос равишда 270 меВ донор (СбСе3), 180 меВ аксептор (СеСб2) ва 230 донор (СбСе1 ёки ВСе1), 140 меВ аксептор (ВСб) фаолланиш энергиялари ҳосил боʻлиши коʻрсатиб берилган;
таглик ҳарорати 400 дан 500 °C гача ўзгарганда СбхСей юпқа қатламларида асосий заряд ташувчилари ҳаракатчанлигининг µ=7.6 cм2/(В∙с) дан 1.16 cм2/(В∙с) гача камайиши Холл эффекти натижаларининг таҳлили ёрдамида аниқланган; 
450 °C таглик ҳароратида олинган Сб₂Се₃ плёнкалари асосидаги ҚЕ нинг ёруг'ликдаги ВАХ натижалари фотоелектрик параметрларнинг қуйидаги қийматларга УСЙ = 476 мВ, Жқт = 22,97 мА/см2, ФФ = 49,0% ва ФИК = 5,36% эга эканлиги аниқланган;
400 ва 450 ℃ таглик ҳароратларидаги Сб2Се3 ҚЕлари учун максимал ЭҚЕ 70% га, 500 ℃ да намунанинг максимал ЭҚЕ си 60% дан пастроқ қийматга тушиб кетиши ёруғлик спектрининг кўзга кўринадиган ва инфрақизил соҳасида аниқланган;
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Турли таглик ҳароратидаги СбхСей юпқа қатламларининг структуравий, оптик ва электрофизик хоссаларини тадқиқ этиш ва Сб2Се3 асосидаги СЛГ/Мо/Сб2Се3/ЗнCдС/CдС/ЗнО/ИТО/Ау структурали ҚЕларини олиш асосида: 
Сб2Се3 юпқа қатламларини КМДО усулидан фойдаланган ҳолда олиш ва унинг структуравий, морфологик, оптик ва электрик хоссаларига таглик ҳароратининг тасирини ўрганиш, СЛГ/Мо/Сб2Се3/ЗнCдС/CдС/ЗнО/ИТО/Ау структурали ҚЕларининг физик хоссаларини ўрганиш орқали олинган натижаларни хорижий илмий журналларда ( Энергиес, 2023, 16(19), 6862, ИФ: 3, Қ1; Пҳйсиcа Сcрипта, 2023, 98(12), 125521, ИФ: 2.6, Қ2; Апплиед солар энергй, 2024, 60, 179-188, Қ3; Жоурнал оф Материалс Ресеарч анд Течнологй, 2024, 33, 6601-6609, ИФ: 11.2, Қ1) Сб2Се3 ва CЗЦ юпқа қатламларининг электрофизик ва оптик хоссаларини яхшилаш ва улар асосида қуёш элементларини татқиқот қилишда фойдаланилган. Натижада ҳавола келтирилган илмий ишларда Сб2Се3 юпқа қатламларининг электрофизик хоссаларини яхшилаш ва улар асосидаги қуёш элементларининг физик хоссаларини тушунтириш ва самарадорлигини ошириш имконини берган. CЗЦ асосидаги қуёш элементларида рекомбинация қаршилигининг 443.92 дан 1530.33 Ω cм2 га ўзгаришига хизмат қилган;
Диссертация доирасида ишлаб чиқилган технологик режимлар асосида АЛМ-20230502808 рақамли «Паст ҳароратларда электролиз усули билан водород олиш учун арзон хом ашёдан тайёрланадиган самарали нанокатализатор яратиш» номли лойиҳанинг илмий-техникавий вазифаларини бажаришда СЛГ/Мо/Сб2Се3/ЗнCдС/CдС/ЗнО/ИТО/Ау структурали ҚЕлари илк марта қўлланилган, ЗнО юпқа қатламларини олиш ва уларнинг оптоелектрик хусусиятларини тадқиқ қилиш усулларидан фойдаланилган. (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 24-февралдаги 2/1255-469-сонли маʼлумотномаси). Илмий натижалардан фойдаланиш лойиҳа доирасида олинган Мхене асосли катализаторлар термик барқарорлиги ошишига хизмат қилган.