Олимов Абдурауф Нематилло ўғлининг 
фалсафа доктори (PhD) диссертацияси ҳимояси ҳақида эълон

I. Умумий маълумотлар. 
Диссертация мавзуси, ихтисослик шифри (илмий даража бериладиган фан тармоғи номи): “ Сб2(ЦехС1-х)3 қатламларини олиш ва физик хусусиятларини мукаммал тадқиқ қилиш ” 01.04.10–яримўтказгичлар физикаси (физика-математика фанлари).  
Диссертация мавзуси рўйхатга олинган рақам: В2021.1.PhD/FM582
Илмий раҳбар: Разиков Тахирджон Муталович, физика-математика фанлари доктори, проф.
Диссертация бажарилган муассаса номи: ЎзР ФА Физика-техника институти. 
ИК фаолият кўрсатаётган муассаса номи, ИК рақами: Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика-техника институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.02/27.02.2020.FM/Т.110.01 рақамли Илмий кенгаш
Расмий оппонентлар: Расулов Рустам Явкачович, физика-математика фанлари доктори, проф; Ёдгорова Дилбар Мустофаевна, техника фанлари доктори, проф.
Етакчи ташкилот: Наманган давлат университети.     
Диссертация йўналиши: назарий ва амалий аҳамиятга молик.
II.Тадқиқотнинг мақсади Самарали қуёш элементлари учун Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларини олиш ва олинган юпқа қатламларнинг физик хусусиятларини тадқиқ қилиш.
III.Тадқиқотнинг илмий янгилиги:
Илк бор машинавий ўқитиш алгоритмлари ва Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламлари олишнинг термодинамик параметрлари асосида Сб2(СхСе1-х)3 қуёш элементларининг фотоволтаик параметрларини прогноз қилиш усули яратилди ҳамда [211], [221] ва [002] текстура коеффициентларининг қийматлари ошиб бориши билан қуёш элементлари учун оптимал қалинликнинг ҳам ошиб бориши аниқланган;
Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларининг таркиби, олиш жараёнидаги ўсиш тезлиги, таглик ҳарорати ва қуёш элементлари самарадорлиги орасидаги богʻлиқлик қонуниятлари илк бор термодинамик параметрларнинг ўзаро бир-бирига боғлиқ равишда ўрганилиб, ўсиш тезлигининг ~600 нм/мин, таглик ҳароратининг 300-400оC оралиқларида Сб2(СхСе1-х)3 асосидаги қуёш элементларининг самарадорлиги юқори қийматларга эришиши кўрсатиб берилган;
Тагликнинг 300оC ҳароратида ва таглик сирти яқинида юпқа қатламлар таркиби Сб/(С+Се)>0.67 бўлганда микрокристалчаларнинг максимал ўлчами 3 мкм гача ва асосий кристалланиш ёʻналиши [ҳкл, л=0] дан иборат бўлиши, таглик сирти яқинида Сб/(С+Се) ≤ 0.66 бўлган шароитда микрокристалчаларнинг максимал ўлчами 6 мкм гача ва асосий кристалланиш ёʻналиши [ҳкл, л=1] дан иборат бўлиши аниқланган; 
Олинган Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларнинг таркибида олтингугуртнинг миқдори ортиши билан асосий кристалланиш ёʻналиши [221] нинг 2θ=31.77 градусдан 32.4 2θ=32.40 градусга силжиши, Раман спектрларида 190 cм-1 ва 210 cм-1 даги чўққилар камайиб, 280 cм-1 ва 310 cм-1 даги чўққилар ортиб бориши ҳамда тақиқланган соҳа кенглигини 1.06 эВ дан 1.65 эВ га ўзгариши билан Сб2(СхСе1-х)3 қаттиқ қоришма ҳосил бўлганлиги кўрсатилган;
Илк бор Сб2Се3 юпқа қатламларини олишда ўзгармас ташқи электр майдонининг юпқа қатламлар хусусиятлари таъсири ўрганилди. Бир хил таркибий Сб/Се=0.77 нисбатда микрокристаллчалар ўлчамлари ~0.9 µм дан ~2 µм гача ортиши, микродоменларда кристаллчаларнинг айни бир хил ёʻналишда тартибланиши ва асосий дифракция чўққиларининг (211), (221) ва (301) дан (120), (230) ва (240) га ўзгариши билан ташқи электр майдоннинг таъсири кўрсатиб берилган.
IV. Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши.
Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларини структуравий, оптик ва электрофизик хоссаларининг тадқиқ этиш асосида: 
Диссертация тадқиқот иши доирасида турли таркибли (0≤х≤1) Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларидаги олтингугурт консентрацияси, олиш жараёнидаги таглик ҳарорати, ўстириш тезлиги ва қалинлигини оптималлаштириш усулларидан, шунингдек Сб2(СхСе1-х)3 юпқа қатламларининг морфологик, структуравий, оптик ва электрофизик хусусиятларини тадқиқ қилиш асосида олинган натижалардан АП19574404 рақамли «Қалай оксиди асосидаги иерархия структурали материаллар олиш» номли лойиҳанинг илмий техникавий вазифаларини бажаришда жорий қилинган. (Олмота физика ва технология институтининг 18-декабрдаги 459/10.02-10-сонли маълумотномаси). Натижада зол-гел усули билан юқори сифатли СнО2 юпқа қатламлари олишнинг технологик оптимал режимлари аниқланган ва олиш жараёнидаги таглик ҳарорати 300-500 оC, прекурсорлар консентрацияси 0.1-0.5 мол/л, қиздириш вақти 10-20 минут, юпқа қатламларнинг ўстириш тезлиги 
Диссертация тадқиқотида таклиф этилган технологик режимлар асосида олинган ютилиш коеффициенти α=104÷105 cм-1, тўгʻри ўтишли, оптимал таъқиқланган соҳа кенглиги Эг = 1.2 ÷1.5 эВ, солиштирма электр ўтказувчанлиги σ =10-4 ÷10-5 (Ом⸱cм)-1, п-тур ва Урбах энергияси Эу=0.16÷0.35 эВ бўлган Сб2(ЦехС1-х)3 юқори сифатли поликристалл юпқа қатламлари “Қуёш печида юқори номувозанат шароитда синтезланган композицион наноструктурали материалларни тадқиқ қилиш ва ишлаб чиқиш хамда улар асосида қопламалар яратиш (2021-2024йй)” номли лойиҳанинг илмий-техникавий вазифаларини бажаришда фойдаланилган (Ўзбекистон Республикаси Фанлар академиясининг 2025-йил 21-февралдаги 2/1255-452-сонли маълумотномаси). Натижада Сб2(ЦехС1-х)3 поликристалл юпқа қатламлари сиртига н-турдаги СнО2 шаффоф ўтказувчи юпқа қатлами ўстириш асосида илк марта юқори сифатли Сб2(ЦехС1-х)3/СнО2-гетеростуруктуралар олинган, шунингдек, уларнинг электрофизик ва фотоелектрик хоссалари тадқиқ этилган.